LayTec于11月前推出的產(chǎn)品Pyro 400。傳統(tǒng)的紅外高溫測量法只能監(jiān)測到藍(lán)寶石或SiC晶片下面的基座表面溫度,與之不同的是,Pyro 400是一種真正能測量GaN層表面溫度的解決方案。該工具在GaN發(fā)光（波長400nm）處實(shí)現(xiàn)高溫測量。
圖1. Pyro 400被安裝在Aixtron的行星式MOCVD系統(tǒng)中。 該公司Kolja Haberland博士展示了生長過程中GaN LED結(jié)構(gòu)（包括多量子阱）的相關(guān)細(xì)節(jié)。圖2展示了一個(gè)典型的線掃描測量結(jié)果,利用Pyro 400對基座的進(jìn)行監(jiān)測的晶片溫度曲線,所得數(shù)據(jù)直接反應(yīng)了行星式反應(yīng)腔內(nèi)每塊晶片的GaN溫度分布狀況。通過結(jié)合EpiCurve®測量出的反射比與曲率值,原位測量為優(yōu)化均勻度和LED性能提供了所有的重要信息。此外,數(shù)據(jù)還清晰地展示了晶片曲率導(dǎo)致的溫度分布變化,并證實(shí)了晶片凹面的中心更熱。
圖2. 采用Pyro 400線掃描法測量8×3配置的反應(yīng)腔。一個(gè)是凹型翹曲幅度較大的（#2, 3, 5, 7）晶片模板,另一個(gè)是凹型翹曲幅度較小的（#4, 5, 8）GaN模板,兩者的溫度曲線不同。藍(lán)色背景標(biāo)明了晶片之間的差距。 Haberland博士還指出,GaN層的表面溫度對載氣、旋轉(zhuǎn)速度以反應(yīng)及腔的內(nèi)壓的變化非常敏感。而細(xì)微的變化這些不是傳統(tǒng)的紅外高溫測量法所能感測到的。此外,Pyro 400在GaN緩沖層生長過程中不存在發(fā)射振蕩,因此能進(jìn)行溫度反饋控制。 總之,在基于GaN的LED或激光器生長過程中,Pyro 400為之提供了一種新的、高度的溫度測量方法,使之受益匪淺。
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