應用領域	型號	特性
半導體	NR9-PY	用于lift-off工藝，高黏附性、高效，耐高溫
	NR71-PY	用于lift-off工藝，高溫，可作為間隔材料
	NR9-P	高黏附性，適用于電鍍和濕法刻蝕
	NR71-P	做掩膜，適用于干法刻蝕，可作為間隔材料
	NR21-P	100um的膜厚，具有良好的分辨率
	NR5	可作厚膜掩膜，適用于離子刻蝕
	PR1	耐高溫，用于一般圖案的正性光刻膠，離子刻蝕，濕法刻蝕
	IC1/DC5	濾波等電解質(zhì)材料
	PC3	平坦化，臨時黏附及機械保護
	BDC1/PDC1/ZPDC1	摻雜工藝
太陽能	BDC1	摻硼材料
	PDC1	摻磷材料
	NR71/NR9-PY	用于lift-off工藝，高黏附性、高效，耐高溫/做間隔材料
	NR9-P	高黏附性，適用于電鍍和濕法刻蝕
LED/OLED/HBLED	NR9-PY	用于lift-off工藝，高黏附性、高效，耐高溫
	NR71-P	做掩膜，適用于干法刻蝕，可作間隔材料
	IC1	濾波等電解質(zhì)材料
MEMS	NR9-P	高黏附性，適用于電鍍和濕法刻蝕
	NR5/NR71	可作厚膜掩膜，適用于離子刻蝕/做掩膜，可作間隔材料
	NR2	可實現(xiàn)120um膜厚，6：1深寬比的圖案，適用于電鍍、濕法刻蝕
	NR71/NR9-PY	用于lift-off工藝，高黏附性、高效，耐高溫/做間隔材料
	PC3	平坦化，臨時黏附及機械保護
	IC1	濾波等電解質(zhì)材料
微流體與生物芯片	NR71-P	做掩膜，適用于干法刻蝕，可作間隔材料
	NR2	可實現(xiàn)120um膜厚，6：1深寬比的圖案，適用于電鍍、濕法刻蝕
	NR5	可作厚膜掩膜，適用于離子刻蝕
光電子	NR71/NR9-PY	用于lift-off工藝，高黏附性、高效，耐高溫/做間隔材料
	NR71-P	做掩膜，適用于干法刻蝕，可作間隔材料
	PR1	刻蝕制程中的正性光刻膠，適用于噴涂和輥涂
	NR9-P	高黏附性，適用于電鍍和濕法刻蝕
	NR2-P	可實現(xiàn)100um膜厚的凹凸圖案，分辨率好，易于去膠
封裝	NR2-P	可實現(xiàn)100um膜厚的凹凸圖案，分辨率好，易于去膠
	NR5	可作厚膜掩膜，適用于離子刻蝕
	PR1	刻蝕制程中的正性光刻膠，適用于噴涂和輥涂
平坦化	PC3	平坦化，臨時黏附及機械保護
圖案印刷	PR1	刻蝕制程中的正性光刻膠，適用于噴涂和輥涂
圖案印刷	NR9	增強了黏附性，適用于噴涂和輥涂
顯影液	RD6	顯影時間短，適用于正、負性光刻膠，
去膠液	RR41/RR5	可以安全、高效的去除光刻膠及臨時涂層，適用于多種襯底材料
邊膠清洗液	EBR2	高效、快速的邊膠去除