GCSTD-D新款GCSTD系列 微波介電常數(shù)分析儀的詳細(xì)資料：

電極系統(tǒng)

加到試樣上的電極

電極可選用 5.1.3中任意一種。如果不用保護(hù)環(huán)。而且試樣上下的兩個(gè)電極難以對(duì)齊時(shí)，其中一個(gè)電極應(yīng)比另一個(gè)電極大些。已經(jīng)加有電極的試樣應(yīng)放置在兩個(gè)金屬電極之間，這兩個(gè)金屬電極要比試樣上的電極稍小些。對(duì)于平板形和圓柱形這兩種不同電極結(jié)構(gòu)的電容計(jì)算公式以及邊緣電容近似計(jì)算的經(jīng)驗(yàn)公式由表 飛給出。

對(duì)于介質(zhì)損耗因數(shù)的測(cè)量，這種類(lèi)型的電極在高頻下不能滿(mǎn)足要求，除非試樣的表面和金屬板都非常平整。圖 〕所示的電極系統(tǒng)也要求試樣厚度均勻

試樣上不加電極

表面電導(dǎo)率很低的試樣可以不加電極而將試樣插人電極系統(tǒng)中測(cè)量，在這個(gè)電極系統(tǒng)中，試樣的一側(cè)或兩側(cè)有一個(gè)充滿(mǎn)空氣或液體的間隙。

平板電極或圓柱形電極結(jié)構(gòu)的電容計(jì)算公式由表 3給出。

下面兩種型式的電極裝置特別合適

空氣填充測(cè)微計(jì)電極

當(dāng)試樣插人和不插人時(shí)，電容都能調(diào)節(jié)到同一個(gè)值 ，不需進(jìn)行測(cè)量系統(tǒng)的電氣校正就能測(cè)定電容率。電極系統(tǒng)中可包括保護(hù)電極

流體排出法

在電容率近似等于試樣的電容率，而介質(zhì)損耗因數(shù)可以忽略的一種液體內(nèi)進(jìn)行測(cè)量，這種測(cè)量與試樣厚度測(cè)量的精度關(guān)系不大。當(dāng)相繼采用兩種流體時(shí)，試樣厚度和電極系統(tǒng)的尺寸可以從計(jì)算公式中消去試樣為與試驗(yàn)池電極直徑相同的圓片，或?qū)y(cè)微計(jì)電極來(lái)說(shuō)，試樣可以比電極小到足以使邊緣效應(yīng)忽略不計(jì) 在測(cè)微計(jì)電極中，為了忽略邊緣效應(yīng)，試樣直徑約比測(cè)微計(jì)電極直徑小兩倍的試樣厚度。

邊緣效應(yīng)

為了避免邊緣效應(yīng)引起電容率的測(cè)量誤差，電極系統(tǒng)可加上保護(hù)電極。保護(hù)電極的寬度應(yīng)至少為兩倍的試樣厚度，保護(hù)電極和主電極之間的間隙應(yīng)比試樣厚度小。假如不能用保護(hù)環(huán)，通常需對(duì)邊緣電容進(jìn)行修正，表 工給出了近似計(jì)算公式 這些公式是經(jīng)驗(yàn)公式，只適用于規(guī)定的幾種特定的試樣形狀

此外，在一個(gè)合適的頻率和溫度下，邊緣電容可采用有保護(hù)環(huán)和無(wú)保護(hù)環(huán)的(比較)測(cè)量來(lái)獲得，用所得到的邊緣電容修正其他頻率和溫度下的電容也可滿(mǎn)足精度要求

試驗(yàn)方法：

接觸法：適用于厚度均勻、上下表面平整、光滑材料

非接觸法：適用于上下表面不平整、不光滑材料

電極類(lèi)型：固定電極-測(cè)量電極φ38mm/φ50mm(標(biāo)配電極1套，標(biāo)配為38mm)

液體電極-液體容量15ml

粉體電極-根據(jù)樣品量可配電極

試樣類(lèi)型：固體、液體、粉體、膏體/規(guī)則物或者不規(guī)則物

簡(jiǎn)要介紹

測(cè)試材料：

無(wú)源元件：電容器、電感器、磁芯、電阻器、壓電器件、變壓器、芯片組件和網(wǎng)絡(luò)元件等的阻抗參數(shù)評(píng)估和性能分析。

半導(dǎo)體元件：變?nèi)荻O管的C-VDC特性；晶體管或集成電路的寄生參數(shù)分析

其它元件：印制電路板、繼電器、開(kāi)關(guān)、電纜、電池等的阻抗評(píng)估

介質(zhì)材料：塑料、陶瓷和其它材料的介電常數(shù)和損耗角評(píng)估

磁性材料：鐵氧體、非晶體和其它磁性材料的導(dǎo)磁率和損耗角評(píng)估

半導(dǎo)體材料：半導(dǎo)體材料的介電常數(shù)、導(dǎo)電率和C-V特性

液晶材料：液晶單元的介電常數(shù)、彈性常數(shù)等C-V特性

新款GCSTD系列 微波介電常數(shù)分析儀

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