激情综合啪啪6月丁香,久久久久国产精品91福利,99精品日韩欧美在线观看,91成人午夜福利在线观看国产

上??四娮佑邢薰?/span>

主營(yíng)產(chǎn)品: 電子商品、電子元器件

您現(xiàn)在的位置: 首頁(yè)>>產(chǎn)品展示>>電氣自動(dòng)化

公司信息

聯(lián)人:
張獻(xiàn)超
址:
金山區(qū)衛(wèi)昌路251號(hào)2幢1019室
編:
鋪:
http://www.hg1112.cn/st156556/
給他留言

產(chǎn)品展示

Product

全部熱門(mén)

共計(jì) 353 條產(chǎn)品信息

產(chǎn)品圖片 產(chǎn)品名稱(chēng)
FZ1200R12KF1
FZ1200R12KF1
簡(jiǎn)單介紹:英飛凌FZ1200R12KF1模塊,絕緣柵雙極型晶體管,是由BJT(雙極型三極管)和MOS(絕緣柵型場(chǎng)效應(yīng)管)組成的復(fù)合全控型電壓驅(qū)動(dòng)式功率半導(dǎo)體器件, 兼有MOSFET的高輸入阻抗和GTR的低導(dǎo)通壓降兩方面的優(yōu)點(diǎn)。GTR飽和壓降低,載流密度大,但驅(qū)動(dòng)電流較大;MOSFET驅(qū)動(dòng)功率很小,開(kāi)關(guān)速度快,但導(dǎo)通壓降大,載流密度小。IGBT綜合了以上兩種器件的優(yōu)點(diǎn),驅(qū)動(dòng)功率小而飽和壓降低。
產(chǎn)品型號(hào):   所在地:上海市   更新時(shí)間:2022-07-18
參考價(jià):面議 詢(xún)價(jià)留言
FF900R12IE4
FF900R12IE4
簡(jiǎn)單介紹:英飛凌FF900R12IE4模塊,絕緣柵雙極型晶體管,是由BJT(雙極型三極管)和MOS(絕緣柵型場(chǎng)效應(yīng)管)組成的復(fù)合全控型電壓驅(qū)動(dòng)式功率半導(dǎo)體器件, 兼有MOSFET的高輸入阻抗和GTR的低導(dǎo)通壓降兩方面的優(yōu)點(diǎn)。GTR飽和壓降低,載流密度大,但驅(qū)動(dòng)電流較大;MOSFET驅(qū)動(dòng)功率很小,開(kāi)關(guān)速度快,但導(dǎo)通壓降大,載流密度小。IGBT綜合了以上兩種器件的優(yōu)點(diǎn),驅(qū)動(dòng)功率小而飽和壓降低。
產(chǎn)品型號(hào):   所在地:上海市   更新時(shí)間:2022-07-18
參考價(jià):面議 詢(xún)價(jià)留言
FF150R12RT4
FF150R12RT4
簡(jiǎn)單介紹:英飛凌FF150R12RT4模塊,絕緣柵雙極型晶體管,是由BJT(雙極型三極管)和MOS(絕緣柵型場(chǎng)效應(yīng)管)組成的復(fù)合全控型電壓驅(qū)動(dòng)式功率半導(dǎo)體器件, 兼有MOSFET的高輸入阻抗和GTR的低導(dǎo)通壓降兩方面的優(yōu)點(diǎn)。GTR飽和壓降低,載流密度大,但驅(qū)動(dòng)電流較大;MOSFET驅(qū)動(dòng)功率很小,開(kāi)關(guān)速度快,但導(dǎo)通壓降大,載流密度小。IGBT綜合了以上兩種器件的優(yōu)點(diǎn),驅(qū)動(dòng)功率小而飽和壓降低。
產(chǎn)品型號(hào):   所在地:上海市   更新時(shí)間:2022-07-18
參考價(jià):面議 詢(xún)價(jià)留言
FF100R12RT4
FF100R12RT4
簡(jiǎn)單介紹:英飛凌FF100R12RT4模塊,絕緣柵雙極型晶體管,是由BJT(雙極型三極管)和MOS(絕緣柵型場(chǎng)效應(yīng)管)組成的復(fù)合全控型電壓驅(qū)動(dòng)式功率半導(dǎo)體器件, 兼有MOSFET的高輸入阻抗和GTR的低導(dǎo)通壓降兩方面的優(yōu)點(diǎn)。GTR飽和壓降低,載流密度大,但驅(qū)動(dòng)電流較大;MOSFET驅(qū)動(dòng)功率很小,開(kāi)關(guān)速度快,但導(dǎo)通壓降大,載流密度小。IGBT綜合了以上兩種器件的優(yōu)點(diǎn),驅(qū)動(dòng)功率小而飽和壓降低。
產(chǎn)品型號(hào):   所在地:上海市   更新時(shí)間:2022-07-18
參考價(jià):面議 詢(xún)價(jià)留言
FF75R12RT4
FF75R12RT4
簡(jiǎn)單介紹:英飛凌FF75R12RT4模塊,絕緣柵雙極型晶體管,是由BJT(雙極型三極管)和MOS(絕緣柵型場(chǎng)效應(yīng)管)組成的復(fù)合全控型電壓驅(qū)動(dòng)式功率半導(dǎo)體器件, 兼有MOSFET的高輸入阻抗和GTR的低導(dǎo)通壓降兩方面的優(yōu)點(diǎn)。GTR飽和壓降低,載流密度大,但驅(qū)動(dòng)電流較大;MOSFET驅(qū)動(dòng)功率很小,開(kāi)關(guān)速度快,但導(dǎo)通壓降大,載流密度小。IGBT綜合了以上兩種器件的優(yōu)點(diǎn),驅(qū)動(dòng)功率小而飽和壓降低。
產(chǎn)品型號(hào):   所在地:上海市   更新時(shí)間:2022-07-18
參考價(jià):面議 詢(xún)價(jià)留言
FF50R12RT4
FF50R12RT4
簡(jiǎn)單介紹:英飛凌FF50R12RT4模塊,絕緣柵雙極型晶體管,是由BJT(雙極型三極管)和MOS(絕緣柵型場(chǎng)效應(yīng)管)組成的復(fù)合全控型電壓驅(qū)動(dòng)式功率半導(dǎo)體器件, 兼有MOSFET的高輸入阻抗和GTR的低導(dǎo)通壓降兩方面的優(yōu)點(diǎn)。GTR飽和壓降低,載流密度大,但驅(qū)動(dòng)電流較大;MOSFET驅(qū)動(dòng)功率很小,開(kāi)關(guān)速度快,但導(dǎo)通壓降大,載流密度小。IGBT綜合了以上兩種器件的優(yōu)點(diǎn),驅(qū)動(dòng)功率小而飽和壓降低。
產(chǎn)品型號(hào):   所在地:上海市   更新時(shí)間:2022-07-18
參考價(jià):面議 詢(xún)價(jià)留言
T853-500-65(46-65)
T853-500-65(46-65)
簡(jiǎn)單介紹:英飛凌T853-500-65(46-65)模塊,絕緣柵雙極型晶體管,是由BJT(雙極型三極管)和MOS(絕緣柵型場(chǎng)效應(yīng)管)組成的復(fù)合全控型電壓驅(qū)動(dòng)式功率半導(dǎo)體器件, 兼有MOSFET的高輸入阻抗和GTR的低導(dǎo)通壓降兩方面的優(yōu)點(diǎn)。GTR飽和壓降低,載流密度大,但驅(qū)動(dòng)電流較大;MOSFET驅(qū)動(dòng)功率很小,開(kāi)關(guān)速度快,但導(dǎo)通壓降大,載流密度小。IGBT綜合了以上兩種器件的優(yōu)點(diǎn),驅(qū)動(dòng)功率小而飽和壓降低。
產(chǎn)品型號(hào):   所在地:上海市   更新時(shí)間:2022-07-18
參考價(jià):面議 詢(xún)價(jià)留言
T253-500-65(46-65)
T253-500-65(46-65)
簡(jiǎn)單介紹:英飛凌T253-500-65(46-65)模塊,絕緣柵雙極型晶體管,是由BJT(雙極型三極管)和MOS(絕緣柵型場(chǎng)效應(yīng)管)組成的復(fù)合全控型電壓驅(qū)動(dòng)式功率半導(dǎo)體器件, 兼有MOSFET的高輸入阻抗和GTR的低導(dǎo)通壓降兩方面的優(yōu)點(diǎn)。GTR飽和壓降低,載流密度大,但驅(qū)動(dòng)電流較大;MOSFET驅(qū)動(dòng)功率很小,開(kāi)關(guān)速度快,但導(dǎo)通壓降大,載流密度小。IGBT綜合了以上兩種器件的優(yōu)點(diǎn),驅(qū)動(dòng)功率小而飽和壓降低。
產(chǎn)品型號(hào):   所在地:上海市   更新時(shí)間:2022-07-18
參考價(jià):面議 詢(xún)價(jià)留言
T543-250-65(46-65)
T543-250-65(46-65)
簡(jiǎn)單介紹:英飛凌T543-250-65(46-65)模塊,絕緣柵雙極型晶體管,是由BJT(雙極型三極管)和MOS(絕緣柵型場(chǎng)效應(yīng)管)組成的復(fù)合全控型電壓驅(qū)動(dòng)式功率半導(dǎo)體器件, 兼有MOSFET的高輸入阻抗和GTR的低導(dǎo)通壓降兩方面的優(yōu)點(diǎn)。GTR飽和壓降低,載流密度大,但驅(qū)動(dòng)電流較大;MOSFET驅(qū)動(dòng)功率很小,開(kāi)關(guān)速度快,但導(dǎo)通壓降大,載流密度小。IGBT綜合了以上兩種器件的優(yōu)點(diǎn),驅(qū)動(dòng)功率小而飽和壓降低。
產(chǎn)品型號(hào):   所在地:上海市   更新時(shí)間:2022-07-18
參考價(jià):面議 詢(xún)價(jià)留言
T343-250-65(46-65)
T343-250-65(46-65)
簡(jiǎn)單介紹:英飛凌T343-250-65(46-65)模塊,絕緣柵雙極型晶體管,是由BJT(雙極型三極管)和MOS(絕緣柵型場(chǎng)效應(yīng)管)組成的復(fù)合全控型電壓驅(qū)動(dòng)式功率半導(dǎo)體器件, 兼有MOSFET的高輸入阻抗和GTR的低導(dǎo)通壓降兩方面的優(yōu)點(diǎn)。GTR飽和壓降低,載流密度大,但驅(qū)動(dòng)電流較大;MOSFET驅(qū)動(dòng)功率很小,開(kāi)關(guān)速度快,但導(dǎo)通壓降大,載流密度小。IGBT綜合了以上兩種器件的優(yōu)點(diǎn),驅(qū)動(dòng)功率小而飽和壓降低。
產(chǎn)品型號(hào):   所在地:上海市   更新時(shí)間:2022-07-18
參考價(jià):面議 詢(xún)價(jià)留言
T193-2000-60(46-60)
T193-2000-60(46-60)
簡(jiǎn)單介紹:英飛凌T193-2000-60(46-60)模塊,絕緣柵雙極型晶體管,是由BJT(雙極型三極管)和MOS(絕緣柵型場(chǎng)效應(yīng)管)組成的復(fù)合全控型電壓驅(qū)動(dòng)式功率半導(dǎo)體器件, 兼有MOSFET的高輸入阻抗和GTR的低導(dǎo)通壓降兩方面的優(yōu)點(diǎn)。GTR飽和壓降低,載流密度大,但驅(qū)動(dòng)電流較大;MOSFET驅(qū)動(dòng)功率很小,開(kāi)關(guān)速度快,但導(dǎo)通壓降大,載流密度小。IGBT綜合了以上兩種器件的優(yōu)點(diǎn),驅(qū)動(dòng)功率小而飽和壓降低。
產(chǎn)品型號(hào):   所在地:上海市   更新時(shí)間:2022-07-18
參考價(jià):面議 詢(xún)價(jià)留言
T193-2300-52(46-52)
T193-2300-52(46-52)
簡(jiǎn)單介紹:英飛凌T193-2300-52(46-52)模塊,絕緣柵雙極型晶體管,是由BJT(雙極型三極管)和MOS(絕緣柵型場(chǎng)效應(yīng)管)組成的復(fù)合全控型電壓驅(qū)動(dòng)式功率半導(dǎo)體器件, 兼有MOSFET的高輸入阻抗和GTR的低導(dǎo)通壓降兩方面的優(yōu)點(diǎn)。GTR飽和壓降低,載流密度大,但驅(qū)動(dòng)電流較大;MOSFET驅(qū)動(dòng)功率很小,開(kāi)關(guān)速度快,但導(dǎo)通壓降大,載流密度小。IGBT綜合了以上兩種器件的優(yōu)點(diǎn),驅(qū)動(dòng)功率小而飽和壓降低。
產(chǎn)品型號(hào):   所在地:上海市   更新時(shí)間:2022-07-18
參考價(jià):面議 詢(xún)價(jià)留言
T933-250-44(38-44)
T933-250-44(38-44)
簡(jiǎn)單介紹:英飛凌T933-250-44(38-44)模塊,絕緣柵雙極型晶體管,是由BJT(雙極型三極管)和MOS(絕緣柵型場(chǎng)效應(yīng)管)組成的復(fù)合全控型電壓驅(qū)動(dòng)式功率半導(dǎo)體器件, 兼有MOSFET的高輸入阻抗和GTR的低導(dǎo)通壓降兩方面的優(yōu)點(diǎn)。GTR飽和壓降低,載流密度大,但驅(qū)動(dòng)電流較大;MOSFET驅(qū)動(dòng)功率很小,開(kāi)關(guān)速度快,但導(dǎo)通壓降大,載流密度小。IGBT綜合了以上兩種器件的優(yōu)點(diǎn),驅(qū)動(dòng)功率小而飽和壓降低。
產(chǎn)品型號(hào):   所在地:上海市   更新時(shí)間:2022-07-18
參考價(jià):面議 詢(xún)價(jià)留言
T933-160-44(38-44)
T933-160-44(38-44)
簡(jiǎn)單介紹:英飛凌T933-160-44(38-44)模塊,絕緣柵雙極型晶體管,是由BJT(雙極型三極管)和MOS(絕緣柵型場(chǎng)效應(yīng)管)組成的復(fù)合全控型電壓驅(qū)動(dòng)式功率半導(dǎo)體器件, 兼有MOSFET的高輸入阻抗和GTR的低導(dǎo)通壓降兩方面的優(yōu)點(diǎn)。GTR飽和壓降低,載流密度大,但驅(qū)動(dòng)電流較大;MOSFET驅(qū)動(dòng)功率很小,開(kāi)關(guān)速度快,但導(dǎo)通壓降大,載流密度小。IGBT綜合了以上兩種器件的優(yōu)點(diǎn),驅(qū)動(dòng)功率小而飽和壓降低。
產(chǎn)品型號(hào):   所在地:上海市   更新時(shí)間:2022-07-18
參考價(jià):面議 詢(xún)價(jià)留言
T553-800-44(38-44)
T553-800-44(38-44)
簡(jiǎn)單介紹:英飛凌T553-800-44(38-44)模塊,絕緣柵雙極型晶體管,是由BJT(雙極型三極管)和MOS(絕緣柵型場(chǎng)效應(yīng)管)組成的復(fù)合全控型電壓驅(qū)動(dòng)式功率半導(dǎo)體器件, 兼有MOSFET的高輸入阻抗和GTR的低導(dǎo)通壓降兩方面的優(yōu)點(diǎn)。GTR飽和壓降低,載流密度大,但驅(qū)動(dòng)電流較大;MOSFET驅(qū)動(dòng)功率很小,開(kāi)關(guān)速度快,但導(dǎo)通壓降大,載流密度小。IGBT綜合了以上兩種器件的優(yōu)點(diǎn),驅(qū)動(dòng)功率小而飽和壓降低。
產(chǎn)品型號(hào):   所在地:上海市   更新時(shí)間:2022-07-18
參考價(jià):面議 詢(xún)價(jià)留言
T373-1250-44(38-44)
T373-1250-44(38-44)
簡(jiǎn)單介紹:英飛凌T373-1250-44(38-44)模塊,絕緣柵雙極型晶體管,是由BJT(雙極型三極管)和MOS(絕緣柵型場(chǎng)效應(yīng)管)組成的復(fù)合全控型電壓驅(qū)動(dòng)式功率半導(dǎo)體器件, 兼有MOSFET的高輸入阻抗和GTR的低導(dǎo)通壓降兩方面的優(yōu)點(diǎn)。GTR飽和壓降低,載流密度大,但驅(qū)動(dòng)電流較大;MOSFET驅(qū)動(dòng)功率很小,開(kāi)關(guān)速度快,但導(dǎo)通壓降大,載流密度小。IGBT綜合了以上兩種器件的優(yōu)點(diǎn),驅(qū)動(dòng)功率小而飽和壓降低。
產(chǎn)品型號(hào):   所在地:上海市   更新時(shí)間:2022-07-18
參考價(jià):面議 詢(xún)價(jià)留言
T343-400-44(38-44)
T343-400-44(38-44)
簡(jiǎn)單介紹:英飛凌T343-400-44(38-44)模塊,絕緣柵雙極型晶體管,是由BJT(雙極型三極管)和MOS(絕緣柵型場(chǎng)效應(yīng)管)組成的復(fù)合全控型電壓驅(qū)動(dòng)式功率半導(dǎo)體器件, 兼有MOSFET的高輸入阻抗和GTR的低導(dǎo)通壓降兩方面的優(yōu)點(diǎn)。GTR飽和壓降低,載流密度大,但驅(qū)動(dòng)電流較大;MOSFET驅(qū)動(dòng)功率很小,開(kāi)關(guān)速度快,但導(dǎo)通壓降大,載流密度小。IGBT綜合了以上兩種器件的優(yōu)點(diǎn),驅(qū)動(dòng)功率小而飽和壓降低。
產(chǎn)品型號(hào):   所在地:上海市   更新時(shí)間:2022-07-18
參考價(jià):面議 詢(xún)價(jià)留言
T273-1250-44(38-44)
T273-1250-44(38-44)
簡(jiǎn)單介紹:英飛凌T273-1250-44(38-44)模塊,絕緣柵雙極型晶體管,是由BJT(雙極型三極管)和MOS(絕緣柵型場(chǎng)效應(yīng)管)組成的復(fù)合全控型電壓驅(qū)動(dòng)式功率半導(dǎo)體器件, 兼有MOSFET的高輸入阻抗和GTR的低導(dǎo)通壓降兩方面的優(yōu)點(diǎn)。GTR飽和壓降低,載流密度大,但驅(qū)動(dòng)電流較大;MOSFET驅(qū)動(dòng)功率很小,開(kāi)關(guān)速度快,但導(dǎo)通壓降大,載流密度小。IGBT綜合了以上兩種器件的優(yōu)點(diǎn),驅(qū)動(dòng)功率小而飽和壓降低。
產(chǎn)品型號(hào):   所在地:上海市   更新時(shí)間:2022-07-18
參考價(jià):面議 詢(xún)價(jià)留言
T243-400-44(38-44)
T243-400-44(38-44)
簡(jiǎn)單介紹:英飛凌T243-400-44(38-44)模塊,絕緣柵雙極型晶體管,是由BJT(雙極型三極管)和MOS(絕緣柵型場(chǎng)效應(yīng)管)組成的復(fù)合全控型電壓驅(qū)動(dòng)式功率半導(dǎo)體器件, 兼有MOSFET的高輸入阻抗和GTR的低導(dǎo)通壓降兩方面的優(yōu)點(diǎn)。GTR飽和壓降低,載流密度大,但驅(qū)動(dòng)電流較大;MOSFET驅(qū)動(dòng)功率很小,開(kāi)關(guān)速度快,但導(dǎo)通壓降大,載流密度小。IGBT綜合了以上兩種器件的優(yōu)點(diǎn),驅(qū)動(dòng)功率小而飽和壓降低。
產(chǎn)品型號(hào):   所在地:上海市   更新時(shí)間:2022-07-18
參考價(jià):面議 詢(xún)價(jià)留言
T193-2500-44(38-44)
T193-2500-44(38-44)
簡(jiǎn)單介紹:英飛凌T193-2500-44(38-44)模塊,絕緣柵雙極型晶體管,是由BJT(雙極型三極管)和MOS(絕緣柵型場(chǎng)效應(yīng)管)組成的復(fù)合全控型電壓驅(qū)動(dòng)式功率半導(dǎo)體器件, 兼有MOSFET的高輸入阻抗和GTR的低導(dǎo)通壓降兩方面的優(yōu)點(diǎn)。GTR飽和壓降低,載流密度大,但驅(qū)動(dòng)電流較大;MOSFET驅(qū)動(dòng)功率很小,開(kāi)關(guān)速度快,但導(dǎo)通壓降大,載流密度小。IGBT綜合了以上兩種器件的優(yōu)點(diǎn),驅(qū)動(dòng)功率小而飽和壓降低。
產(chǎn)品型號(hào):   所在地:上海市   更新時(shí)間:2022-07-18
參考價(jià):面議 詢(xún)價(jià)留言
每頁(yè)20條 共353條上一頁(yè)1112131415161718跳轉(zhuǎn)至





產(chǎn)品對(duì)比 二維碼

掃一掃訪問(wèn)手機(jī)商鋪

對(duì)比框

在線留言
亚洲国产成人久久成人52| 白虎鲍鱼抠逼免费看| 美女被插入小穴爆操视频| 国产午夜福利视频第三区| 久久久久久国产A免费观看| 亚洲精品自拍偷拍| 任你橹在线久久精品9| 国产一区二区三区免费观在线| 操我骚逼抽插视频| 欧美人人做人人爽人人喊| 在线观看国产日韩欧美一区二区| 中日韩国内精品视频| 中文字幕一高清免费视频| 欧美后入尻逼视频| 久久久国产调教性奴| 麻豆视频一级片在线观看| 黄色视频力肏女人| 正在播放老熟女人与小伙| 国产欧美亚洲一区二区三| 国产精品久久一区二区三区夜色| 欧美大鸡巴爆草美女| 99热这里有精品在线观看| 欧美精品性做久久久久久| 插到底啊啊啊视频| ai换脸久久一区二区亚洲av| 久久久久人妻一区精品加勒比| 国产成人AV剧情| 美女骚逼被操出白浆| 看一下日本人插逼逼洞视频| 福利国产第一视频| 久久久三级黄片免费视频| 美女呻吟翘臀后进爆白浆| 99久久九九爱精品国产| 国产乱色国产精品免费播放| 国产 欧美 日韩 黄片| 最新免费高清无码片| 国产一区二区三区精品片| 日本最新免费不卡一区二区三区| 喜欢被粗大阴茎插入| 人妻在线系列一区二区三| 国产精品久久久69粉嫩|