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樂清市輝利電氣有限公司

主營(yíng)產(chǎn)品: 斷路器,接觸器,繼電器,接近開關(guān),光電開關(guān),變頻器,變壓器,低壓電器

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產(chǎn)品圖片 產(chǎn)品名稱
歐姆龍E2E-X1R5E1-Z
歐姆龍E2E-X1R5E1-Z
簡(jiǎn)單介紹:歐姆龍E2E-X1R5E1-Z 高頻振蕩器和放大處理電路組成,利用金屬物體在接近這個(gè)能產(chǎn)生電磁場(chǎng)的振蕩感應(yīng)頭時(shí),使物體內(nèi)部產(chǎn)生渦流。這個(gè)渦流反作用于接近開關(guān),使接近開關(guān)振蕩能力衰減,內(nèi)部電路的參數(shù)發(fā)生變化,由此識(shí)別出有無(wú)金屬物體接近,進(jìn)而控制開關(guān)的通或斷。這種接近開關(guān)所能檢測(cè)的物體必須是金屬物體。
產(chǎn)品型號(hào):   所在地:溫州市   更新時(shí)間:2018-05-05
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歐姆龍接近開關(guān)E3S-DS10E41 E3S-DS30E4
歐姆龍接近開關(guān)E3S-DS10E41 E3S-DS30E4
簡(jiǎn)單介紹:歐姆龍接近開關(guān)E3S-DS10E41 E3S-DS30E4高頻振蕩器和放大處理電路組成,利用金屬物體在接近這個(gè)能產(chǎn)生電磁場(chǎng)的振蕩感應(yīng)頭時(shí),使物體內(nèi)部產(chǎn)生渦流。這個(gè)渦流反作用于接近開關(guān),使接近開關(guān)振蕩能力衰減,內(nèi)部電路的參數(shù)發(fā)生變化,由此識(shí)別出有無(wú)金屬物體接近,進(jìn)而控制開關(guān)的通或斷。這種接近開關(guān)所能檢測(cè)的物體必須是金屬物體。
產(chǎn)品型號(hào):   所在地:溫州市   更新時(shí)間:2018-05-05
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歐姆龍E3S-AT1 E3S-AT61 E3S-AD1 E3S-AD61
歐姆龍E3S-AT1 E3S-AT61 E3S-AD1 E3S-AD61
簡(jiǎn)單介紹:歐姆龍E3S-AT1 E3S-AT61 E3S-AD1 E3S-AD61 高頻振蕩器和放大處理電路組成,利用金屬物體在接近這個(gè)能產(chǎn)生電磁場(chǎng)的振蕩感應(yīng)頭時(shí),使物體內(nèi)部產(chǎn)生渦流。這個(gè)渦流反作用于接近開關(guān),使接近開關(guān)振蕩能力衰減,內(nèi)部電路的參數(shù)發(fā)生變化,由此識(shí)別出有無(wú)金屬物體接近,進(jìn)而控制開關(guān)的通或斷。這種接近開關(guān)所能檢測(cè)的物體必須是金屬物體。
產(chǎn)品型號(hào):   所在地:溫州市   更新時(shí)間:2018-05-05
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歐姆龍接近開關(guān)TL-N20MY1
歐姆龍接近開關(guān)TL-N20MY1
簡(jiǎn)單介紹:歐姆龍接近開關(guān)TL-N20MY1高頻振蕩器和放大處理電路組成,利用金屬物體在接近這個(gè)能產(chǎn)生電磁場(chǎng)的振蕩感應(yīng)頭時(shí),使物體內(nèi)部產(chǎn)生渦流。這個(gè)渦流反作用于接近開關(guān),使接近開關(guān)振蕩能力衰減,內(nèi)部電路的參數(shù)發(fā)生變化,由此識(shí)別出有無(wú)金屬物體接近,進(jìn)而控制開關(guān)的通或斷。這種接近開關(guān)所能檢測(cè)的物體必須是金屬物體。
產(chǎn)品型號(hào):   所在地:溫州市   更新時(shí)間:2018-05-04
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歐姆龍E3R-R2E4 E3T-ST1 E3T-ST12E3T-S121
歐姆龍E3R-R2E4 E3T-ST1 E3T-ST12E3T-S121
簡(jiǎn)單介紹:歐姆龍E3R-R2E4 E3T-ST1 E3T-ST12E3T-S121高頻振蕩器和放大處理電路組成,利用金屬物體在接近這個(gè)能產(chǎn)生電磁場(chǎng)的振蕩感應(yīng)頭時(shí),使物體內(nèi)部產(chǎn)生渦流。這個(gè)渦流反作用于接近開關(guān),使接近開關(guān)振蕩能力衰減,內(nèi)部電路的參數(shù)發(fā)生變化,由此識(shí)別出有無(wú)金屬物體接近,進(jìn)而控制開關(guān)的通或斷。這種接近開關(guān)所能檢測(cè)的物體必須是金屬物體。
產(chǎn)品型號(hào):   所在地:溫州市   更新時(shí)間:2018-05-03
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歐姆龍接近開關(guān)EE-SX672 EE-SX672A
歐姆龍接近開關(guān)EE-SX672 EE-SX672A
簡(jiǎn)單介紹:歐姆龍接近開關(guān)EE-SX672 EE-SX672A高頻振蕩器和放大處理電路組成,利用金屬物體在接近這個(gè)能產(chǎn)生電磁場(chǎng)的振蕩感應(yīng)頭時(shí),使物體內(nèi)部產(chǎn)生渦流。這個(gè)渦流反作用于接近開關(guān),使接近開關(guān)振蕩能力衰減,內(nèi)部電路的參數(shù)發(fā)生變化,由此識(shí)別出有無(wú)金屬物體接近,進(jìn)而控制開關(guān)的通或斷。這種接近開關(guān)所能檢測(cè)的物體必須是金屬物體。
產(chǎn)品型號(hào):   所在地:溫州市   更新時(shí)間:2018-05-03
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歐姆龍接近開關(guān)E2E-X1R5E1-Z
歐姆龍接近開關(guān)E2E-X1R5E1-Z
簡(jiǎn)單介紹:歐姆龍接近開關(guān)E2E-X1R5E1-Z高頻振蕩器和放大處理電路組成,利用金屬物體在接近這個(gè)能產(chǎn)生電磁場(chǎng)的振蕩感應(yīng)頭時(shí),使物體內(nèi)部產(chǎn)生渦流。這個(gè)渦流反作用于接近開關(guān),使接近開關(guān)振蕩能力衰減,內(nèi)部電路的參數(shù)發(fā)生變化,由此識(shí)別出有無(wú)金屬物體接近,進(jìn)而控制開關(guān)的通或斷。這種接近開關(guān)所能檢測(cè)的物體必須是金屬物體。
產(chǎn)品型號(hào):   所在地:溫州市   更新時(shí)間:2018-05-03
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歐姆龍接近開關(guān)E3JM-10M4T-G
歐姆龍接近開關(guān)E3JM-10M4T-G
簡(jiǎn)單介紹:歐姆龍接近開關(guān)E3JM-10M4T-G高頻振蕩器和放大處理電路組成,利用金屬物體在接近這個(gè)能產(chǎn)生電磁場(chǎng)的振蕩感應(yīng)頭時(shí),使物體內(nèi)部產(chǎn)生渦流。這個(gè)渦流反作用于接近開關(guān),使接近開關(guān)振蕩能力衰減,內(nèi)部電路的參數(shù)發(fā)生變化,由此識(shí)別出有無(wú)金屬物體接近,進(jìn)而控制開關(guān)的通或斷。這種接近開關(guān)所能檢測(cè)的物體必須是金屬物體。
產(chǎn)品型號(hào):   所在地:溫州市   更新時(shí)間:2018-05-03
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歐姆龍接近開關(guān)EE-SX670
歐姆龍接近開關(guān)EE-SX670
簡(jiǎn)單介紹:歐姆龍接近開關(guān)EE-SX670高頻振蕩器和放大處理電路組成,利用金屬物體在接近這個(gè)能產(chǎn)生電磁場(chǎng)的振蕩感應(yīng)頭時(shí),使物體內(nèi)部產(chǎn)生渦流。這個(gè)渦流反作用于接近開關(guān),使接近開關(guān)振蕩能力衰減,內(nèi)部電路的參數(shù)發(fā)生變化,由此識(shí)別出有無(wú)金屬物體接近,進(jìn)而控制開關(guān)的通或斷。這種接近開關(guān)所能檢測(cè)的物體必須是金屬物體。
產(chǎn)品型號(hào):   所在地:溫州市   更新時(shí)間:2018-05-03
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歐姆龍接近開關(guān)E2E-X10E1-Z
歐姆龍接近開關(guān)E2E-X10E1-Z
簡(jiǎn)單介紹:歐姆龍接近開關(guān)E2E-X10E1-Z 高頻振蕩器和放大處理電路組成,利用金屬物體在接近這個(gè)能產(chǎn)生電磁場(chǎng)的振蕩感應(yīng)頭時(shí),使物體內(nèi)部產(chǎn)生渦流。這個(gè)渦流反作用于接近開關(guān),使接近開關(guān)振蕩能力衰減,內(nèi)部電路的參數(shù)發(fā)生變化,由此識(shí)別出有無(wú)金屬物體接近,進(jìn)而控制開關(guān)的通或斷。這種接近開關(guān)所能檢測(cè)的物體必須是金屬物體。
產(chǎn)品型號(hào):   所在地:溫州市   更新時(shí)間:2018-05-03
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歐姆龍接近開關(guān)E2E-X18ME1-Z
歐姆龍接近開關(guān)E2E-X18ME1-Z
簡(jiǎn)單介紹:歐姆龍接近開關(guān)E2E-X18ME1-Z 高頻振蕩器和放大處理電路組成,利用金屬物體在接近這個(gè)能產(chǎn)生電磁場(chǎng)的振蕩感應(yīng)頭時(shí),使物體內(nèi)部產(chǎn)生渦流。這個(gè)渦流反作用于接近開關(guān),使接近開關(guān)振蕩能力衰減,內(nèi)部電路的參數(shù)發(fā)生變化,由此識(shí)別出有無(wú)金屬物體接近,進(jìn)而控制開關(guān)的通或斷。這種接近開關(guān)所能檢測(cè)的物體必須是金屬物體。
產(chǎn)品型號(hào):   所在地:溫州市   更新時(shí)間:2018-05-02
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歐姆龍接近開關(guān)E2E-X10Y1
歐姆龍接近開關(guān)E2E-X10Y1
簡(jiǎn)單介紹:歐姆龍接近開關(guān)E2E-X10Y1高頻振蕩器和放大處理電路組成,利用金屬物體在接近這個(gè)能產(chǎn)生電磁場(chǎng)的振蕩感應(yīng)頭時(shí),使物體內(nèi)部產(chǎn)生渦流。這個(gè)渦流反作用于接近開關(guān),使接近開關(guān)振蕩能力衰減,內(nèi)部電路的參數(shù)發(fā)生變化,由此識(shí)別出有無(wú)金屬物體接近,進(jìn)而控制開關(guān)的通或斷。這種接近開關(guān)所能檢測(cè)的物體必須是金屬物體。
產(chǎn)品型號(hào):   所在地:溫州市   更新時(shí)間:2018-05-02
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歐姆龍E3F3-D31E3F3-D32E3F3-R61E3F3-T61
歐姆龍E3F3-D31E3F3-D32E3F3-R61E3F3-T61
簡(jiǎn)單介紹:歐姆龍E3F3-D31E3F3-D32E3F3-R61E3F3-T61高頻振蕩器和放大處理電路組成,利用金屬物體在接近這個(gè)能產(chǎn)生電磁場(chǎng)的振蕩感應(yīng)頭時(shí),使物體內(nèi)部產(chǎn)生渦流。這個(gè)渦流反作用于接近開關(guān),使接近開關(guān)振蕩能力衰減,內(nèi)部電路的參數(shù)發(fā)生變化,由此識(shí)別出有無(wú)金屬物體接近,進(jìn)而控制開關(guān)的通或斷。這種接近開關(guān)所能檢測(cè)的物體必須是金屬物體。
產(chǎn)品型號(hào):   所在地:溫州市   更新時(shí)間:2018-05-02
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歐姆龍接近開關(guān)E3Z-D61 E3Z-D62
歐姆龍接近開關(guān)E3Z-D61 E3Z-D62
簡(jiǎn)單介紹:歐姆龍接近開關(guān)E3Z-D61 E3Z-D62高頻振蕩器和放大處理電路組成,利用金屬物體在接近這個(gè)能產(chǎn)生電磁場(chǎng)的振蕩感應(yīng)頭時(shí),使物體內(nèi)部產(chǎn)生渦流。這個(gè)渦流反作用于接近開關(guān),使接近開關(guān)振蕩能力衰減,內(nèi)部電路的參數(shù)發(fā)生變化,由此識(shí)別出有無(wú)金屬物體接近,進(jìn)而控制開關(guān)的通或斷。這種接近開關(guān)所能檢測(cè)的物體必須是金屬物體。
產(chǎn)品型號(hào):   所在地:溫州市   更新時(shí)間:2018-05-01
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歐姆龍E3T-FT12E3T-FD11E3F3-D11E3F3-D12
歐姆龍E3T-FT12E3T-FD11E3F3-D11E3F3-D12
簡(jiǎn)單介紹:歐姆龍E3T-FT12E3T-FD11E3F3-D11E3F3-D12高頻振蕩器和放大處理電路組成,利用金屬物體在接近這個(gè)能產(chǎn)生電磁場(chǎng)的振蕩感應(yīng)頭時(shí),使物體內(nèi)部產(chǎn)生渦流。這個(gè)渦流反作用于接近開關(guān),使接近開關(guān)振蕩能力衰減,內(nèi)部電路的參數(shù)發(fā)生變化,由此識(shí)別出有無(wú)金屬物體接近,進(jìn)而控制開關(guān)的通或斷。這種接近開關(guān)所能檢測(cè)的物體必須是金屬物體。
產(chǎn)品型號(hào):   所在地:溫州市   更新時(shí)間:2018-05-01
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歐姆龍E3S-AR61E3S-AR61 E3R-DS30E4E3R-5E4
歐姆龍E3S-AR61E3S-AR61 E3R-DS30E4E3R-5E4
簡(jiǎn)單介紹:歐姆龍E3S-AR61E3S-AR61 E3R-DS30E4E3R-5E4高頻振蕩器和放大處理電路組成,利用金屬物體在接近這個(gè)能產(chǎn)生電磁場(chǎng)的振蕩感應(yīng)頭時(shí),使物體內(nèi)部產(chǎn)生渦流。這個(gè)渦流反作用于接近開關(guān),使接近開關(guān)振蕩能力衰減,內(nèi)部電路的參數(shù)發(fā)生變化,由此識(shí)別出有無(wú)金屬物體接近,進(jìn)而控制開關(guān)的通或斷。這種接近開關(guān)所能檢測(cè)的物體必須是金屬物體。
產(chǎn)品型號(hào):   所在地:溫州市   更新時(shí)間:2018-04-30
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歐姆龍接近開關(guān)E3JK-DS30M1  E3JK-DS30M2
歐姆龍接近開關(guān)E3JK-DS30M1 E3JK-DS30M2
簡(jiǎn)單介紹:歐姆龍接近開關(guān)E3JK-DS30M1 E3JK-DS30M2高頻振蕩器和放大處理電路組成,利用金屬物體在接近這個(gè)能產(chǎn)生電磁場(chǎng)的振蕩感應(yīng)頭時(shí),使物體內(nèi)部產(chǎn)生渦流。這個(gè)渦流反作用于接近開關(guān),使接近開關(guān)振蕩能力衰減,內(nèi)部電路的參數(shù)發(fā)生變化,由此識(shí)別出有無(wú)金屬物體接近,進(jìn)而控制開關(guān)的通或斷。這種接近開關(guān)所能檢測(cè)的物體必須是金屬物體。
產(chǎn)品型號(hào):   所在地:溫州市   更新時(shí)間:2018-04-30
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歐姆龍接近開關(guān)EE-SPY402 EE-SPY302
歐姆龍接近開關(guān)EE-SPY402 EE-SPY302
簡(jiǎn)單介紹:歐姆龍接近開關(guān)EE-SPY402 EE-SPY302高頻振蕩器和放大處理電路組成,利用金屬物體在接近這個(gè)能產(chǎn)生電磁場(chǎng)的振蕩感應(yīng)頭時(shí),使物體內(nèi)部產(chǎn)生渦流。這個(gè)渦流反作用于接近開關(guān),使接近開關(guān)振蕩能力衰減,內(nèi)部電路的參數(shù)發(fā)生變化,由此識(shí)別出有無(wú)金屬物體接近,進(jìn)而控制開關(guān)的通或斷。這種接近開關(guān)所能檢測(cè)的物體必須是金屬物體。
產(chǎn)品型號(hào):   所在地:溫州市   更新時(shí)間:2018-04-30
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歐姆龍接近開關(guān)E3S-5E4 E3S-DS10E4
歐姆龍接近開關(guān)E3S-5E4 E3S-DS10E4
簡(jiǎn)單介紹:歐姆龍接近開關(guān)E3S-5E4 E3S-DS10E4高頻振蕩器和放大處理電路組成,利用金屬物體在接近這個(gè)能產(chǎn)生電磁場(chǎng)的振蕩感應(yīng)頭時(shí),使物體內(nèi)部產(chǎn)生渦流。這個(gè)渦流反作用于接近開關(guān),使接近開關(guān)振蕩能力衰減,內(nèi)部電路的參數(shù)發(fā)生變化,由此識(shí)別出有無(wú)金屬物體接近,進(jìn)而控制開關(guān)的通或斷。這種接近開關(guān)所能檢測(cè)的物體必須是金屬物體。
產(chǎn)品型號(hào):   所在地:溫州市   更新時(shí)間:2015-04-29
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歐姆龍接近開關(guān)E3Z-T61 E3Z-T81
歐姆龍接近開關(guān)E3Z-T61 E3Z-T81
簡(jiǎn)單介紹:歐姆龍接近開關(guān)E3Z-T61 E3Z-T81高頻振蕩器和放大處理電路組成,利用金屬物體在接近這個(gè)能產(chǎn)生電磁場(chǎng)的振蕩感應(yīng)頭時(shí),使物體內(nèi)部產(chǎn)生渦流。這個(gè)渦流反作用于接近開關(guān),使接近開關(guān)振蕩能力衰減,內(nèi)部電路的參數(shù)發(fā)生變化,由此識(shí)別出有無(wú)金屬物體接近,進(jìn)而控制開關(guān)的通或斷。這種接近開關(guān)所能檢測(cè)的物體必須是金屬物體。
產(chǎn)品型號(hào):   所在地:溫州市   更新時(shí)間:2015-04-29
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