LED 的原理 LED 的核心部分是由n 型半導(dǎo)體與p 型半導(dǎo)體組成的晶片，利用注入式發(fā)光原理制作而成。在n 型與p 型半導(dǎo)體之間，有一個p-n 結(jié)的過渡層，當(dāng)注入的多數(shù)載流子和少數(shù)載流子復(fù)合時，多余的能量會以光的形式在某些半導(dǎo)體材料中釋放出來，進(jìn)而將電能轉(zhuǎn)換成光能。如果反向加電壓，那么難以注入少數(shù)載流子，因此也就不會發(fā)光。

    LED 由周期表中的V 族元素與Ⅲ族元素組成，是由化合物半導(dǎo)體材料組成，如：磷化鎵與砷化鎵是單色LED 常用的材料。 目前，氮化鎵是制造白光LED 的主要材料。對于GaN 薄膜材料，目前還沒有體單晶GaN 可以同質(zhì)外延，主要是依靠有機金屬氣象沉淀法，在相關(guān)的異型支撐襯底上來生成。在沉底上依次鍍上n-A1GaN、p-A1GaN、n-GaN 等材料，然后使用一系列工藝過程，如： 封裝、劃片，來完成制造。這種工藝目前發(fā)展成熟，但由于藍(lán)寶石是GaN 基LED 的主要襯底材料，所以能夠替代它的襯底材料目前還未發(fā)現(xiàn)。  

    大功率LED 散熱的重要性 傳統(tǒng)管芯的功率比較小，需要散熱也不多，所以在散熱上，并沒有什么嚴(yán)重問題，但大功率的LED 就不同了，它的芯片功率密度非常大。目前，由于半導(dǎo)體制造技術(shù)的原因，有80% 以上的輸入功率轉(zhuǎn)化為了熱能，只有不到20% 轉(zhuǎn)化成了光能。芯片的熱量如果只是簡單的按比例將封裝尺寸放大，是無法散發(fā)出去的，且極有可能會導(dǎo)致焊錫融化，造成芯片失效，而加快熒光粉與芯片老化是必然會發(fā)生的情況，LED 的色度在溫度上升時也會變差。 對LED 來說散熱具有非常重大的意義，一般要求結(jié)溫在110C 以下，這樣才能保證器件的使用壽命。

     目前，大功率LED封裝需要考慮的首要問題就是如何改進(jìn)不斷增大的芯片功率所帶來的散熱問題。目前，比較常用的改進(jìn)LED 散熱問題的方法有兩種，分別是：加快散發(fā)內(nèi)部熱量，對LED的散熱結(jié)構(gòu)進(jìn)行改進(jìn)，使芯片的溫度可以有效降低；從根本上減少熱量的產(chǎn)生，提高芯片的發(fā)光效率，提高器件內(nèi)量子效率。  

    的LED熱量控制技術(shù)  傳統(tǒng)的方法是采用散熱器進(jìn)行散熱，水冷、熟管技術(shù)、風(fēng)冷、微管道散熱等，是目前較為常用的散熱技術(shù)。 深圳鑫太光科技公司采用*技術(shù)——LED智能驅(qū)動模塊，控制供應(yīng)電流，控制電流達(dá)到飽和光亮的電流不再上升，達(dá)到控制多余熱量的要求，因此不需要散熱器也可以使大功率的LED燈達(dá)到散熱要求，控制結(jié)溫，獲得更穩(wěn)定的光效。