YCB電纜價(jià)格,國標(biāo)YCB電纜
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(三)預(yù)制分支電纜的質(zhì)量驗(yàn)收注意事項(xiàng)
為了保證預(yù)制分支電纜加工制造準(zhǔn)確,產(chǎn)品質(zhì)量符合要求,須對(duì)電纜進(jìn)行以下項(xiàng)目驗(yàn)收。
1.檢查合格證及相關(guān)技術(shù)文件和國家標(biāo)準(zhǔn)生產(chǎn)的產(chǎn)品認(rèn)證標(biāo)志。
2.核對(duì)主干電纜和分支電纜型號(hào)、規(guī)格、長度及電壓等級(jí)是否符合設(shè)計(jì)要求。
3.電纜外觀完好無損,無壓扁、扭曲現(xiàn)象,護(hù)套無老化及裂紋,電纜封頭嚴(yán)密。
4.耐熱、阻燃電纜外保護(hù)層要有明顯標(biāo)識(shí)和制造廠標(biāo)。
5.對(duì)電纜進(jìn)行絕緣搖測,使用絕緣電阻表量程為1000V,要求電阻值≥10兆歐?! ?
(四)預(yù)制分支電纜的安裝及敷設(shè)注意事項(xiàng)
1.預(yù)制分支電纜出廠時(shí),分支電纜綁在主干電纜上,待主干電纜安裝固定后,再將分支電纜解開。
2.安裝前電纜頂端用封頭帽做防水處理,再用熱縮管壓緊加強(qiáng)。
3.安裝過程中應(yīng)注意固定好分支電纜,避免分支電纜晃動(dòng),以保證分支接頭內(nèi)部壓接部分接觸良好。
4.冰平埋地敷設(shè)同普通電纜相同,值得注意的是分支接頭部位由于不便穿管,故應(yīng)避免在易受機(jī)械外力的環(huán)境中敷設(shè)。
5.預(yù)制分支電纜垂直敷設(shè)有別于普通電纜的敷設(shè),需配套安裝附件,安裝附件包括托掛器(或稱為橫擔(dān))、電纜支架、電纜固定線夾和上端固定用的吊頭裝置。
6.為防止渦流效應(yīng),單芯電纜嚴(yán)禁使用鐵質(zhì)夾具,要用馬鞍塑料線夾固定;單芯電纜不能穿一根鋼管,穿管時(shí)必須A、B、c、N四根電纜合穿一根鋼管。
7.敷設(shè)前檢查電纜通道,確認(rèn)分支電纜是否能安全通過孔洞,制定詳細(xì)的預(yù)防措施,防止提升過程中分支部分在穿過孔洞時(shí)受損傷。
8.提升過程中不要對(duì)分支線施加張力,使用電纜重量4倍以上強(qiáng)度的提升繩索,電纜提升完畢后,應(yīng)立即將電纜頂端的吊頭固定在托掛器上,并應(yīng)立即將主干電纜每隔1.5>2m的間距用固定線夾進(jìn)行固定,在盡可能短的時(shí)間內(nèi)將預(yù)制分支電纜的重量均勻地分布在支架上,以防電纜局部受力以及墜落受損。
9.安裝完畢將電纜洞口用防火堵料進(jìn)行封堵,在預(yù)制分支電纜首末端、分支處掛電纜標(biāo)示牌。
硅烷交聯(lián)又稱溫水交聯(lián),1960年英國康寧公司(Dow-Corning)提出開發(fā)的,也稱為SioplasE法,即硅烷接枝交聯(lián)工藝,它是接枝和擠出分成兩個(gè)工序進(jìn)行,*步由絕緣料廠將硅烷交聯(lián)劑與基料在擠出機(jī)上接枝和擠出造粒,該料粒稱為A料,同時(shí)還提供催化劑和著色劑的母料,稱B料。第二步是電纜廠將A、B料以95:5的比例混合。并在普通擠出機(jī)上擠包在電纜導(dǎo)體上,再放入70℃~90℃溫水中交聯(lián)也可以在蒸汽房中交聯(lián)。該工藝投資成本低,可用一般的擠出機(jī)進(jìn)行加工,材料價(jià)格適中,得到廣泛的應(yīng)用。但也存在著以下缺點(diǎn):(1)接枝聚乙烯容易與空氣中水分發(fā)生先期交聯(lián),縮短了貯存時(shí)間,一般貯存期為半年。(2)接枝聚乙烯與催化劑母料的混合物,貯存期一般不超過3h,所以需要邊混合邊擠塑。(3)由于兩步法通過多次混合,容易導(dǎo)致雜質(zhì)的混入,故只能用于10kV及以下電纜絕緣的制造。
為了 克服Sioplas的局限性,1977年英國BICC和瑞士Mailiefer公司合作,在道康寧公司發(fā)明的兩步法基礎(chǔ)上,又發(fā)明了一步法硅烷交聯(lián)工藝,也稱作Monosil工藝。它將聚乙烯基料、炕氧劑和和液態(tài)硅烷同時(shí)計(jì)量、混合,即是將接枝反應(yīng)和添加催化劑過程合并,并采用長徑比為30:1的擠出機(jī)將絕緣擠包在電纜導(dǎo)體上,即將絕緣層的接枝和擠出由一個(gè)步驟來完成,故稱為一步法。它的材料成本zui低,雜質(zhì)的污染機(jī)會(huì)減少,而且材料貯存期可以大大增加。但是這種工藝技術(shù)難度大,設(shè)備投資比二步法大,需要配備一套液態(tài)硅烷的送料系統(tǒng)。
到了八十年代日本菱克隆公司在吸取兩步法和一步法的優(yōu)點(diǎn)基礎(chǔ)上開發(fā)共聚法。共聚法也是使用硅烷共聚單體——乙烯基-*氧基硅烷,只是采用的工藝不同。該工藝不是把有機(jī)硅烷接枝到聚合物鏈上,而是在聚合過程中導(dǎo)入可水解硅烷,從而產(chǎn)生一種易于加工的硅烷共聚物,具體方法是在高壓反應(yīng)釜中,使乙烯與硅烷共聚單體發(fā)生共聚反應(yīng),這項(xiàng)工藝的關(guān)鍵是,所選用的共聚單體必須是含有一種能夠與乙烯發(fā)生反應(yīng)生成聚合物鏈的不飽和基團(tuán)。乙烯硅烷共聚物與Sioplas接枝化合物結(jié)構(gòu)上基本相同。