實(shí)驗(yàn)內(nèi)容：
觀察會(huì)聚偏振光激光LiNbO3晶體后形成的干涉圖形，
比較不同電壓下的差異，理解單軸與雙軸晶體的區(qū)別；
觀察測(cè)量不同電壓條件下的輸出光的偏振態(tài)；
理解Pockels效應(yīng)的工作機(jī)理，測(cè)量半波電壓，確定△n與E的線性關(guān)系，繪出調(diào)制曲線；
用外加電信號(hào)對(duì)晶體進(jìn)行調(diào)制，實(shí)驗(yàn)電信號(hào)的光傳輸；
理解工作點(diǎn)對(duì)調(diào)制、傳輸過(guò)程的影響。
儀器特點(diǎn)：采用半導(dǎo)體激光器（650nm，4mW）作為光源，使得實(shí)驗(yàn)操作靈活、簡(jiǎn)單；可觀察在電場(chǎng)作用下LN晶體由一個(gè)單軸晶體變化為雙軸晶體的過(guò)程，干涉圖樣完整、清晰。
儀器參數(shù)：
光學(xué)實(shí)驗(yàn)導(dǎo)軌800mm，半導(dǎo)體激光器650nm 4mW；激光功率計(jì)數(shù)字表頭，量程分別為200Μw、2mW、20mW、200mW和可調(diào)檔；晶體的通光面積為5*5mm；大驅(qū)動(dòng)電壓Vmax≥1600V。
實(shí)驗(yàn)內(nèi)容：
觀察會(huì)聚偏振光激光LiNbO3晶體后形成的干涉圖形，
比較不同電壓下的差異，理解單軸與雙軸晶體的區(qū)別；
觀察測(cè)量不同電壓條件下的輸出光的偏振態(tài)；
理解Pockels效應(yīng)的工作機(jī)理，測(cè)量半波電壓，確定△n與E的線性關(guān)系，繪出調(diào)制曲線；
用外加電信號(hào)對(duì)晶體進(jìn)行調(diào)制，實(shí)驗(yàn)電信號(hào)的光傳輸；
理解工作點(diǎn)對(duì)調(diào)制、傳輸過(guò)程的影響。
儀器特點(diǎn)：采用半導(dǎo)體激光器（650nm，4mW）作為光源，使得實(shí)驗(yàn)操作靈活、簡(jiǎn)單；可觀察在電場(chǎng)作用下LN晶體由一個(gè)單軸晶體變化為雙軸晶體的過(guò)程，干涉圖樣完整、清晰。
儀器參數(shù)：
光學(xué)實(shí)驗(yàn)導(dǎo)軌800mm，半導(dǎo)體激光器650nm 4mW；激光功率計(jì)數(shù)字表頭，量程分別為200Μw、2mW、20mW、200mW和可調(diào)檔；晶體的通光面積為5*5mm；大驅(qū)動(dòng)電壓Vmax≥1600V。
