PMEye-3000光致發(fā)光光譜成像（PL-Mapping）測量系統(tǒng)是卓立漢光研制的，用于LED外延片、半導(dǎo)體晶片、太陽能電池材料等，在生產(chǎn)線上的質(zhì)量控制和實(shí)驗(yàn)室中的產(chǎn)品研發(fā)檢測。該系統(tǒng)對樣品的PL譜進(jìn)行Mapping二維掃描成像，掃描結(jié)果以3D方式進(jìn)行顯示，使檢測結(jié)果更易于分析和比較。該系統(tǒng)的軟件窗口界面友好，操作簡單，只需簡單培訓(xùn)就能使用。

測試原理：
PL（光致發(fā)光）是一種輻射復(fù)合效應(yīng)。在一定波長光源的激發(fā)下，電子吸收激發(fā)光子的能量，向高能級(jí)躍遷而處于激發(fā)態(tài)。激發(fā)態(tài)是不穩(wěn)定的狀態(tài)，會(huì)以輻射復(fù)合的形式發(fā)射光子向低能級(jí)躍遷，這種被發(fā)射的光稱為熒光。熒光光譜代表了半導(dǎo)體材料內(nèi)部，一定的電子能級(jí)躍遷的機(jī)制，也反映了材料的性能及其缺陷。PL是一種用于提供半導(dǎo)體材料的電學(xué)、光學(xué)特性信息的光譜技術(shù)，可以研究帶隙、發(fā)光波長、結(jié)晶度和晶體結(jié)構(gòu)以及缺陷信息等等。
應(yīng)用領(lǐng)域舉例：
LED外延片，太陽能電池材料，半導(dǎo)體晶片，半導(dǎo)體薄膜材料等檢測與研究。

 

一體化設(shè)計(jì)，操作符合人體工學(xué)
    PMEye3000 PL Mapping測量系統(tǒng)采用立式一體化設(shè)計(jì)，關(guān)鍵尺寸根據(jù)人體工學(xué)理論設(shè)計(jì)，不管是樣品的操作高度和電腦使用高度，都特別適合于人員操作。主機(jī)與操作平臺(tái)高度集成，方便于在實(shí)驗(yàn)室和檢測車間里擺放。儀器側(cè)面設(shè)計(jì)有可收放平臺(tái)，可擺放液晶顯示器和鼠標(biāo)鍵盤。儀器底部裝有滾輪，方便于儀器在不同場地之間的搬動(dòng)。
模塊化設(shè)計(jì)
    PMEye-3000 PL Mapping測量系統(tǒng)全面采用模塊化設(shè)計(jì)思想，可根據(jù)用戶的樣品特點(diǎn)來選擇規(guī)格配置，讓用戶有更多的選擇余地。激發(fā)光源、樣品臺(tái)、光譜儀、探測器、數(shù)據(jù)采集設(shè)備都實(shí)現(xiàn)了模塊化設(shè)計(jì)。
操作簡便、全電腦控制
    PMEye-3000 PL Mapping測量系統(tǒng)，采用整機(jī)設(shè)計(jì)，用戶只需要根據(jù)需要放置檢測樣品，無需進(jìn)行復(fù)雜的光路調(diào)整，操作簡便；所有控制操作均通過計(jì)算機(jī)來控制實(shí)現(xiàn)。
    全新的樣品臺(tái)設(shè)計(jì)，采用真空吸附方式對樣品進(jìn)行固定，避免了用傳統(tǒng)方式固定樣品而造成的損壞；可對常規(guī)尺寸的LED外延片樣品進(jìn)行精確定位，提高測量重復(fù)精度。
兩種測量方式,用途更廣泛
    系統(tǒng)采用直流和交流兩種測量模式，直流模式用于常規(guī)檢測，交流模式用于微弱熒光檢測。
監(jiān)控激發(fā)光源,校正測量結(jié)果
    一般的PL測量系統(tǒng)只是測量熒光的波長和強(qiáng)度，而沒有對激發(fā)光源進(jìn)行監(jiān)控，而激發(fā)光源的不穩(wěn)定性將會(huì)對PL測量結(jié)果造成影響。PMEye-3000 PL Mapping測量系統(tǒng)增加對激光強(qiáng)度的監(jiān)控，并根據(jù)監(jiān)控結(jié)果來對PL測量進(jìn)行校正。這樣就可以消除激發(fā)光源的不穩(wěn)定帶來的測量誤差。
激光器選配靈活
    PMEye-3000 PL Mapping測量系統(tǒng)有多種高穩(wěn)定性的激光器可選，系統(tǒng)zui多可內(nèi)置2個(gè)激光器和一個(gè)外接激光器，標(biāo)配為1個(gè)405nm波長高穩(wěn)定激光器。用戶可以根據(jù)測量對象選配不同的激光器，使PL檢測更加精準(zhǔn)。
    可選配的激光器波長有： 405nm，442nm，532nm、785nm、808nm等，外置選配激光器波長為：325nm。
自動(dòng)Mapping功能
    PMEye-3000 PL Mapping測量系統(tǒng)配置200×200mm的二維電控位移臺(tái)，zui大可測量8英寸的樣品。用戶可以根據(jù)不同的樣品規(guī)格來設(shè)置掃描區(qū)域、掃描步長、掃描速度等，掃描速度可高達(dá)每秒180個(gè)點(diǎn)，空間分辨率可達(dá)50um。掃描結(jié)果以3D方式顯示，以不同的顏色來表示不同的熒光強(qiáng)度。

低溫樣品室附件
    該附件可實(shí)現(xiàn)樣品在低溫狀態(tài)下的熒光檢測。
    有些樣品在不同的溫度條件下，將呈現(xiàn)不同的熒光效果，這時(shí)就需要對樣品進(jìn)行低溫制冷。
    如圖所示，從圖中我們可以發(fā)現(xiàn)在室溫時(shí)，GaN薄膜的發(fā)光波長幾乎涵蓋整個(gè)可見光范圍，且強(qiáng)度的zui高峰出現(xiàn)在580nm附近，但整體而言其強(qiáng)度并不強(qiáng)；隨著溫度的降低，發(fā)光強(qiáng)度開始慢慢的增加，直到110K時(shí)，我們可以發(fā)現(xiàn)在350nm附近似乎有一個(gè)小峰開始出現(xiàn)，且當(dāng)溫度越降越低，這個(gè)小峰強(qiáng)度的增加也越顯著，一直到zui低溫25K時(shí)，基本上就只有一個(gè)熒光峰。
GaN薄膜的禁帶寬度在室溫時(shí)為3.40Ev,換算成波長為365nm，而我們利用PL系統(tǒng)所測的GaN薄膜在25K時(shí)在356.6nm附近有一個(gè)峰值，因此如果我們將GaN薄膜的禁帶寬度隨溫度變化情況也考慮進(jìn)去，則可以發(fā)現(xiàn)在理論上25K時(shí)GaN的禁帶寬度為3.48eV，即特征波長為357.1nm，非?？拷鼘?shí)驗(yàn)所得的356.6nm，因此我們可以推斷這個(gè)發(fā)光現(xiàn)象應(yīng)該就是GaN薄膜的自發(fā)輻射。

 

 

可選擇的外置激光器：
325nm HeCd激光器，功率有：10、15、20、、25、30、40、45、50、55、80、100mW等。