ABM雙面對準（BSV）光刻機ABM350BSV

光學系統(tǒng)ABM雙面對準（BSV）光刻機ABM350BSV

光學系統(tǒng)
  曝光時間調解器：0.1至999.9秒(可調節(jié)精度0.1s)；
  365-400nm光強傳感及電源供應控制電路及反饋閉環(huán)；
  聲控功率警報裝置可防止系統(tǒng)功率超過設定指標；
  有安全保護裝置的溫度及其氣流傳感器；
  全景準直透鏡光線偏差半角: <1.84度；
  波長濾片檢查及安裝裝置；
  抗衍射反射功能高效反光鏡；
  二向色的防熱透鏡裝置；
  防汞燈泄漏裝置；
  配備蠅眼棱鏡裝置；
  配備近紫外光源，
     --220 nm 輸出強度 – 大約 8-10 mW/ cm2
     --254 nm 輸出強度 – 大約 12-14 mW/ cm2
     --365 nm 輸出強度 – 大約 18-20 mW/ cm2
     --400 nm 輸出強度 – 大約 30-35 mW/ cm2

主要配置:
  6”，8”光源系統(tǒng)
  可支持2”，3”，4”，6”，8”（圓/方片）及碎片光刻（支持特殊工藝卡盤設計）
  手動系統(tǒng)，半自動系統(tǒng),
  支持電源350-2000 Watt
  支持深紫外近紫外波長（可選項）<1.84度；
  CCD或顯微鏡對準系統(tǒng)

主要性能指標：:
  光強均勻性Beam Uniformity:
     --<±1% over 2” 區(qū)域
     --<±2% over 4” 區(qū)域
     --<±2.5% over 6” 區(qū)域
  接觸式樣曝光特征尺寸CD（深紫外DUV）：0.35 um
  接觸式樣曝光特征尺寸CD(近紫外NUV）： 0.5 um
  支持接近式曝光，特征尺寸CD:
     --0.8um 硬接觸
     --1um 20 um 間距時
     --2um 50um 間距時
  正面對準精度±0.5um
  支持正膠、負膠及Su8膠等的厚膠光刻，特征尺寸：100um-300um
  支持LED優(yōu)異電流控制技術PSS工藝光刻
  支持真空、接近式、接觸式曝光
  支持恒定光強或恒定功率模式