螣芯HS系列單雙面對準(zhǔn)光刻機(jī)
全自動接觸式光刻機(jī)（紫外光刻機(jī)）4-12寸可選
全自動單 /雙面接近式曝光機(jī)，兼容方形片光刻 4-12寸晶圓單、雙面曝光機(jī) 靈活多選定制
主要應(yīng)用：MEMS制造、CMOS圖像傳感器、存儲器、聲波器件、微流體芯片、化合物半導(dǎo)體、 晶圓級封裝、（TSV）等領(lǐng)域。
把涂有光刻膠的晶圓與掩膜重疊，專用顯微鏡和X?Y?θ，實(shí)現(xiàn)多層曝光時的自動對位，
對位臺。自動進(jìn)行基板調(diào)整、對位、曝光、傳送。
技術(shù)參數(shù)：
1．工作方式：裝載機(jī)械手將晶圓片從 A 晶圓盒自動裝載至預(yù)定位工作臺，經(jīng)過定位傳感器及自動旋轉(zhuǎn)系統(tǒng)的調(diào)節(jié)，實(shí)現(xiàn)工件的預(yù)定位；裝載機(jī)械手再將完成預(yù)定位后的晶圓片裝載至對準(zhǔn)工作臺，經(jīng)過計(jì)算機(jī)圖像識別及自動對準(zhǔn)系統(tǒng)的調(diào)節(jié)，實(shí)現(xiàn)掩模版上圖形與晶圓片上的圖形的自動對準(zhǔn)，也可以不用對位圖形完成一次曝光，經(jīng)過曝光系統(tǒng)的自動曝光后，再由卸載機(jī)械手將晶圓片自動放入 B 晶圓盒，直至整個晶圓盒內(nèi)的晶圓全部完成套刻曝光。
2．曝光面積： 6寸”（可定制）
3．曝光照度不均勻性：≤3%；
4．曝光強(qiáng)度：0～≥50mw/cm2可調(diào)；
5．紫外光束角：≤3°（可選 2?或 1°相對曝光照度會變?nèi)酰?/p>
6．紫外光中心波長：365nm；（可選汞燈全波段）
7．紫外光源壽命：≥2 萬小時；
8．分離量：0～≥1090um 可調(diào)；
9．對準(zhǔn)精度：≤1μm；
10．曝光方式：硬接觸、軟接觸和接近式曝光；
11. 曝光模式：可選擇一次曝光或套刻曝光
12. 定位傳感器及自動旋轉(zhuǎn)系統(tǒng)（含預(yù)訂位工作臺）：旋轉(zhuǎn)角度 Q≥±180°旋
轉(zhuǎn)精度 Q≤0.001°；
13．圖像識別及自動對準(zhǔn)系統(tǒng)（含對準(zhǔn)工作臺）：對準(zhǔn)范圍 X.Y≥±5mm，升旋
轉(zhuǎn)角度 Q≥±3°，顯微鏡整體橫向相對移動≥±70mm。
14．掩模版尺寸： 7”x7 “（可定制）
15．晶圓尺寸： 6“（可定制）
16.A.B 晶圓盒移動：Z≥±100mm；
17．裝卸載機(jī)械手：X≥±100mm，Y≥±100mm,Z≥±20mm；
18.晶圓盒晶圓片數(shù)量：根據(jù)客戶晶圓盒晶圓數(shù)量定；
19．版架臺移動：X.Y≥±3mm，Z≥±2mm；
20．曝光定時：0～999.9 秒可調(diào)；
21. 生產(chǎn)節(jié)拍：10 秒+曝光時間；
22．電源：單相 AC220V 50HZ ，功耗≤1KW；
23．潔凈空氣壓力：≥0.4MPa；
24．真空度：-0.07MPa～-0.09MPa；25．尺寸：1200*1000*1500mm ；
26．重量：約 200kg
螣芯HS系列單雙面對準(zhǔn)光刻機(jī)
