兩箱式冷熱沖擊試驗箱 定制款模擬環(huán)境氣候

結(jié)構(gòu)特點

1. 分區(qū)設計

• 通常采用兩箱式或三箱式結(jié)構(gòu)。兩箱式結(jié)構(gòu)包含高溫箱和低溫箱，樣品通過自動轉(zhuǎn)移裝置在兩箱之間快速移動來實現(xiàn)冷熱沖擊；三箱式結(jié)構(gòu)則在高溫區(qū)和低溫區(qū)之外，額外設置了一個常溫緩沖區(qū)，樣品放置在緩沖區(qū)，通過控制閥門的開合，使高溫或低溫空氣進入緩沖區(qū)與樣品接觸，這樣樣品在靜止狀態(tài)下就能完成冷熱沖擊測試，減少了因移動可能造成的樣品震動等影響。

• 內(nèi)部各區(qū)域采用優(yōu)質(zhì)保溫材料進行隔熱處理，有效防止熱量的散失或竄流，確保高溫區(qū)和低溫區(qū)的溫度穩(wěn)定性以及溫度切換的高效性，同時也有助于降低設備的能耗。

2. 樣品架與夾具
   配備專門設計的樣品架和適配 DV 芯片的夾具，可靈活調(diào)整位置和間距，方便放置不同規(guī)格、數(shù)量的 DV 芯片進行批量測試。夾具能夠牢固地固定芯片，避免在溫度急劇變化過程中芯片出現(xiàn)位移、松動等情況，保障測試的準確性和可靠性。

兩箱式冷熱沖擊試驗箱 定制款模擬環(huán)境氣候

技術(shù)參數(shù)

1.溫度范圍：-40℃～150℃(D)

2.濕度范圍：30%～98%R.H（溫度在25℃～95℃）

3.溫度均勻度：≤±2℃  （空載時）

4.濕度均勻度：+2%  -3%R.H

5.溫度波動度：≤±0.5℃ （空載時）

6.濕度波動度：±2%

7.溫度偏差：≤±2℃

8.濕度偏差：≤±2%

9.降溫速率：0.7～1.0℃/min

10.升溫速率：1.0～3.0℃/min

11.時間設定范圍：0～999 小時

12.電源電壓：380V±10%

13.設備總功率：3KW～15KW

性能參數(shù)

1. 溫度范圍
   低溫區(qū)一般可達到 -60℃甚至更低，能夠模擬極度寒冷的環(huán)境，如高寒地區(qū)的戶外使用場景；高溫區(qū)溫度可達到 150℃以上，足以覆蓋芯片在設備長時間運行、局部發(fā)熱等情況下所面臨的高溫工況，充分考驗 DV 芯片在寬溫范圍內(nèi)的性能表現(xiàn)。

2. 溫度變化速率
   具備快速的溫度變化能力，可實現(xiàn)每分鐘 10℃ - 30℃甚至更快的溫度變化速率，快速地讓 DV 芯片經(jīng)歷冷熱交替，精準模擬現(xiàn)實中各種突發(fā)的、劇烈的溫度變化場景，如電子設備從寒冷的戶外進入溫暖室內(nèi)時瞬間的溫度變化等。

3. 溫度均勻性
   在整個測試工作室空間內(nèi)，無論是高溫狀態(tài)、低溫狀態(tài)還是溫度切換過程中，各點的溫度均勻性能夠控制在較小的偏差范圍內(nèi)，通?？蛇_到 ±1℃ - ±2℃，確保每一片處于測試中的 DV 芯片都能接受到均勻一致的冷熱沖擊，使測試結(jié)果更具代表性和科學性。