日立2011年新推出了SU9000新型超高分辨冷場發(fā)射掃描電鏡，達到掃描電鏡高二次電子分辨率0.4nm和STEM分辨率0.34nm。日立SU9000采取了全新改進的真空系統(tǒng)和電子光學系統(tǒng)，不僅分辨率性能明顯提升，而且作為一款冷場發(fā)射掃描電鏡甚至不需要傳統(tǒng)意義上的Flashing操作，可以高效率的快速獲取樣品超高分辨掃描電鏡圖像。
產(chǎn)品特點：
1. 新型電子光學系統(tǒng)設計達到掃描電鏡高分辨率：二次電子0.4nm（30KV），STEM 0.34nm（30KV）。
2. Hitachi專li設計的E×B系統(tǒng)，可以自由控制SE和BSE檢測信號。
3. 全新真空技術設計使得SU9000冷場發(fā)射電子束具有超穩(wěn)定和高亮度特點。
4. 全新物鏡設計顯著提高低加速電壓條件下的圖像分辨率。
5. STEM的明場像能夠調(diào)整信號檢測角度，明場像、暗場像和二次電子圖像可以同時顯示并拍攝照片。
6. 與FIB兼容的側(cè)插樣品桿提高更換樣品效率和高倍率圖像觀察效率。
新型超高分辨冷場發(fā)射掃描電鏡技術參數(shù)
| 項目 | 技術指標 | |||
| 二次電子分辨率 | 0.4nm （加速電壓30kV，放大倍率80萬倍） | |||
| 1.2nm （加速電壓1kV，放大倍率25萬倍） | ||||
| STEM分辨率 | 0.34nm（加速電壓30kV，晶格象） | |||
| 觀測倍率 | 底片輸出 | 顯示器輸出 | ||
| LM模式 | 80~10,000x | 220~25,000x | ||
| HM模式 | 800~3,000,000x | 2,200~8,000,000x | ||
| 樣品臺 | 側(cè)插式樣品桿 | |||
| 樣品移動行程 | X | ±4.0mm | ||
| Y | ±2.0mm | |||
| Z | ±0.3mm | |||
| T | ±40度 | |||
| 標準樣品臺 | 平面樣品臺：5.0mm×9.5mm×3.5mmH | |||
| 截面樣品臺：2.0mm×6.0mm×5.0mmH | ||||
| 樣品臺 | 截面樣品臺：2.0mm×12.0mm×6.0mmH | |||
| 雙傾截面樣品臺：0.8mm×8.5mm×3.5mmH | ||||
| 信號檢測器 | 二次電子探測器 | |||
| TOP 探測器（選配） | ||||
| BF/DF 雙STEM探測器（選配） | ||||
