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BHAST溫濕度偏壓高加速應(yīng)力測(cè)試 試驗(yàn)箱
BHAST溫濕度偏壓高加速應(yīng)力測(cè)試,bHAST溫濕度偏壓高加速應(yīng)力測(cè)試(Bias Highly Accelerated Stress Test)bHAST測(cè)試為帶電的高溫高濕條件下的可靠性(參考與執(zhí)行試驗(yàn)標(biāo)準(zhǔn):JESD22-A110)。該測(cè)試的目的就是為了讓器件加速腐蝕,看芯片的工作狀態(tài)。施加電壓的原則如下:測(cè)試芯片所有供電要接上,處于工作狀態(tài)下的最小功耗。
BHAST溫濕度偏壓高加速應(yīng)力測(cè)試 試驗(yàn)箱
測(cè)試時(shí)間
通常會(huì)去做130攝氏度的測(cè)試,時(shí)間比較快,測(cè)試結(jié)果也可以得到認(rèn)可。芯片測(cè)試數(shù)量為:(3個(gè)Lot,每個(gè)lot最少25顆)
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帶電壓拉偏 ,遵循得原則:
(1) 所有電源上電,電壓:推薦操作范圍電壓(Maximum Recommended Operating Conditions)
(2) 芯片、材料功耗最?。〝?shù)字部分不翻轉(zhuǎn)、輸入晶振短接、其他降功耗方法)
(3) 輸入管腳在輸入電壓允許范圍內(nèi)拉高。
(4) 其他管腳,如時(shí)鐘端、復(fù)位端、輸出管腳在輸出范圍內(nèi)隨機(jī)拉高或者拉低