產(chǎn)品介紹:
在標(biāo)準(zhǔn)半導(dǎo)體周期中使用常規(guī)光學(xué)光刻由GaAs高遷移率異質(zhì)結(jié)構(gòu)制造檢測(cè)器。成像傳感器在在單個(gè)晶片上。 該過(guò)程確保等離子體檢測(cè)器參數(shù)的高均勻性和再現(xiàn)性(像素到像素偏差響應(yīng)度在20%范圍內(nèi))。 每個(gè)單位檢測(cè)器在10 GHz - 1 THz頻率范圍內(nèi)具有可達(dá)50 kV / W的室溫響應(yīng)能力,帶有讀出電路和噪聲等效功率1 nW / Hz0.5。 檢測(cè)機(jī)制是基于入射THz輻射轉(zhuǎn)換成二維電子系統(tǒng)(2DES)等離子體振蕩。 然后根據(jù)缺陷區(qū)域中2DES電子密度的不均勻性對(duì)等離子體波進(jìn)行校正。
產(chǎn)品參數(shù):
型號(hào) | Tera-256 | Tera-1024 | Tera-4096 |
像素 | 256(16×16) | 1024(32×32) | 4096(64×64) |
像素尺寸 | 1.5×1.5mm2 | 1.5×1.5mm2 | 1.5×1.5mm2 |
響應(yīng)度 | 50kv/W | 50kv/W | 50kv/W |
噪聲等效功率 | 1nW/Hz0.5 | 1nW/Hz0.5 | 1nW/Hz0.5 |
設(shè)備尺寸 | 12×12×4cm | 12×12×4cm | 12×12×4cm |
注:如需詳細(xì)規(guī)格參數(shù)資料,或有其他要求,請(qǐng)聯(lián)系我們。
主要應(yīng)用:
太赫茲成像