德國(guó)DIAS紅外探測(cè)器的命名法則:
德國(guó)DIAS紅外公司PYROSENS探測(cè)器命名法 | ||||
紅外探測(cè)器數(shù)量 | 焦熱電芯片類型 | 電極形狀 | 尺寸 | 內(nèi)件的其它信息 |
無(wú) | LT | D | 0.5 | PC |
2 | LTA | Q | 1 | lx |
3 | LTI | G | 1.2 | lxPC |
4 | LTS | 2 | Cx | |
LTSI | 3 | l10 | ||
LTMI | l100 | |||
l10PC | ||||
l100PC | ||||
無(wú):?jiǎn)卧綔y(cè)器 | 參見(jiàn)下表說(shuō)明 | 參見(jiàn)下表 | 參見(jiàn)下表 | 參見(jiàn)下表 |
2:雙元探測(cè)器 | ||||
3:三元探測(cè)器 | ||||
4:四元探測(cè)器 |
上面列出了所有型號(hào)中可能出現(xiàn)的英文和數(shù)字,分別代表什么意思呢?
代碼 | 含義 |
LT | 鉭酸鋰探測(cè)器, 不帶吸收層,標(biāo)準(zhǔn)厚度,約25µm |
LTA | LT型號(hào),帶簡(jiǎn)易吸收層 |
LTI | 鉭酸鋰探測(cè)器 , 離子蝕刻, 厚度約5µm |
LTS | LT型號(hào),帶銀黑吸收層,吸收率約98% |
LTSI | LTI型號(hào),帶銀黑吸收層,吸收率約98% |
LTMI | LTI型號(hào),帶金屬NiCr吸收層,吸收率約85% |
D | 圓形敏感區(qū)域, 后續(xù)數(shù)字代表直徑(mm), LT芯片尺寸大于電極 |
Q | 圓形敏感區(qū)域, 后續(xù)數(shù)字代表一側(cè)直徑(mm), LT芯片尺寸大于電極 |
G | 圓形敏感區(qū)域, 后續(xù)數(shù)字代表一側(cè)直徑(mm), LT芯片和電極尺寸相同 |
w/o | 電壓模式,偏差電阻100G歐姆 |
PC | 熱平衡補(bǔ)償,可以同電壓或電流模式組合(也就是說(shuō)l100PC為電流模式探測(cè)器,帶100G歐反饋電阻和熱補(bǔ)償) |
lx | 電流模式,帶反饋電阻(標(biāo)準(zhǔn)電阻為10G歐或100G歐) |
lxPC | 電流模式,帶反饋電阻和熱補(bǔ)償 |
Cx | 電流模式,帶單電壓供電和反饋電阻(10G歐或100G歐) |
l10 | 電流模式, 反饋電阻10G歐 |
l100 | 電流模式, 反饋電阻100G歐 |
l10PC | 電流模式,反饋電阻10G歐,帶熱平衡補(bǔ)償 |
l100PC | 電流模式,反饋電阻100G歐,帶熱平衡補(bǔ)償 |
詳細(xì)型號(hào),請(qǐng)參見(jiàn):
單元紅外探測(cè)器 , 多元紅外探測(cè)器
,