HUSTEC華科智源
HUSTEC-1600A-MT
IGBT靜態(tài)參數(shù)測(cè)試系統(tǒng)
一:靜態(tài)參數(shù)測(cè)試系統(tǒng)主要特點(diǎn)
華科智源HUSTEC-1200A-MT電參數(shù)測(cè)試儀可用于多種封裝形式的 IGBT測(cè)試,還可以測(cè)量大功率二極管 、IGBT模塊,大功率 IGBT、大功率雙極型晶體管,MOS管等器件的 V-I 特性測(cè)試,測(cè)試600A(可擴(kuò)展至2000A),5000V以下的各種功率器件,廣泛應(yīng)用于軌道交通,電動(dòng)汽車 ,風(fēng)力發(fā)電,變頻器,焊機(jī)行業(yè)的IGBT來料選型和失效分析,設(shè)備還可以用于變頻器,風(fēng)電,軌道交通,電焊機(jī)等行業(yè)的在線檢修,無需從電路板上取下來進(jìn)行單獨(dú)測(cè)試,可實(shí)現(xiàn)在線IGBT檢測(cè),測(cè)試方便,測(cè)試過程簡(jiǎn)單,既可以在測(cè)試主機(jī)里設(shè)置參數(shù)直接測(cè)試,又可以通過軟件控制主機(jī)編程后進(jìn)行自動(dòng)測(cè)試,通過電腦操作完成 IGBT 的靜態(tài)參數(shù)測(cè)試;
靜態(tài)參數(shù)測(cè)試系統(tǒng)測(cè)試參數(shù):
ICES 集電極-發(fā)射極漏電流
IGESF 正向柵極漏電流
IGESR 反向柵極漏電流
BVCES 集電極-發(fā)射極擊穿電壓
VGETH 柵極-發(fā)射極閾值電壓
VCESAT 集電極-發(fā)射極飽和電壓
ICON 通態(tài)電極電流
VGEON 通態(tài)柵極電壓
VF 二極管正向?qū)▔航?/span>
整個(gè)測(cè)試過程自動(dòng)完成,電腦軟件攜帶數(shù)據(jù)庫(kù)管理查詢功能,可生成測(cè)試曲線,方便操作使用。
二:靜態(tài)參數(shù)測(cè)試系統(tǒng)應(yīng)用范圍
A:IGBT單管及模塊,
B:大功率場(chǎng)效應(yīng)管(Mosfet)
C:大功率二極管
D:標(biāo)準(zhǔn)低阻值電阻
E:軌道交通,風(fēng)力發(fā)電,新能源汽車,變頻器,焊機(jī)等行業(yè)篩選以及在線故障檢測(cè)
三、靜態(tài)參數(shù)測(cè)試系統(tǒng)特征:
A:測(cè)量多種IGBT、MOS管
B:脈沖電流1200A,電壓5KV,測(cè)試范圍廣;
C:脈沖寬度 50uS~300uS
D:Vce測(cè)量精度2mV
E:Vce測(cè)量范圍>10V
F:電腦圖形顯示界面
G:智能保護(hù)被測(cè)量器件
H:上位機(jī)攜帶數(shù)據(jù)庫(kù)功能
I:MOS IGBT內(nèi)部二極管壓降
J : 一次測(cè)試IGBT全部靜態(tài)參數(shù)
K: 生成測(cè)試曲線(IV曲線直觀看到IGBT特性,可以做失效分析以及故障定位)
L:可以進(jìn)行不同曲線的對(duì)比,觀測(cè)同一批次產(chǎn)品的曲線狀態(tài),或者不同廠家同一規(guī)格參數(shù)的曲線對(duì)比;
序號(hào) | 測(cè)試項(xiàng)目 | 描述 | 測(cè)量范圍 | 分辨率 | 精度 |
1 | VF | 二極管正向?qū)▔航?/span> | 0~20V | 1mV | ±1%,±1mV |
2 | IF | 二極管正向?qū)娏?/span> | 0~1200A | ≤200A時(shí),0.1A | ≤200A時(shí),±1%±0.1A |
3 | >200A時(shí),1A | >200A時(shí),±1% | |||
4 | Vces | 集電極-發(fā)射極電壓 | 0~5000V | 1V | ±1%,±1V |
5 | Ic | 通態(tài)集電極電流 | 0~1200A | ≤200A時(shí),0.1A | ≤200A時(shí),±1%±0.1A |
6 | >200A時(shí),1A | >200A時(shí),±1% | |||
7 | Ices | 集電極-發(fā)射極漏電流 | 0~50mA | 1nA | ±1%,±10μA |
8 | Vgeth | 柵極-發(fā)射極閾值電壓 | 0~20V | 1mV | ±1%,±1mV |
9 | Vcesat | 集電極-發(fā)射極飽和電壓 | 0~20V | 1mV | ±1%,±1mV |
10 | Igesf | 正向柵極漏電流 | 0~10uA | 1nA | ±2%,±1nA |
11 | Igesr | 反向柵極漏電流 | |||
12 | Vges | 柵極發(fā)射極電壓 | 0~40V | 1mV | ±1%,±1mV |
華科智源靜態(tài)參數(shù)測(cè)試系統(tǒng)針對(duì) IGBT 的各種靜態(tài)參數(shù)而研制的智能測(cè)試系統(tǒng);自動(dòng)化程度高(按照操作人員設(shè)定的程序自動(dòng)工作),計(jì)算機(jī)可以記錄測(cè)試結(jié)果,測(cè)試結(jié)果可轉(zhuǎn)化為文本格式存儲(chǔ),測(cè)試方法靈活(可測(cè)試器件以及單個(gè)單元和多單元的模塊測(cè)試),安全穩(wěn)定(對(duì)設(shè)備的工作狀態(tài)進(jìn)行全程實(shí)時(shí)監(jiān)控并與硬件進(jìn)行互鎖),具有安全保護(hù)功能,測(cè)試速度方便快捷。