由 6 個(gè)芯片硅 P/N 光電二極管陣列組成的光學(xué)器件，輸出信號具有高均勻性。 該器件基于 PiN 二極管，具有反向偏置的性能。 每個(gè)硅片的有效面積為 2.5 x 1.1 mm2。

高光學(xué)響應(yīng)度歸因于沉積在光電二極管有源區(qū)域上的優(yōu)化抗反射涂層。 暗電流非常適合高溫應(yīng)用。

選擇材料是為了在整個(gè)溫度范圍內(nèi)獲得更好的性能。OID7與市場上其他標(biāo)準(zhǔn)件兼容，如OPR2100、OL2100、PA2100； 它在硅片（前端）和封裝（后端）中都有特殊設(shè)計(jì)，從而提高了組件的可靠性。

• 高響應(yīng)度 (> 0.65 A/W @ *= *p)
• 高量子效率（> 90% @ Vr=5V）
• 擴(kuò)展溫度范圍 -40°C +125°C
• 廣泛的活動區(qū)域
• 快速響應(yīng)時(shí)間
• 低暗電流
• 兼容 OPR2100-OL2100-PA2100

工作溫度范圍：-40…125 °C

儲存溫度：-40：125 °C

引線溫度（焊料）3s：260 °C

反向擊穿電壓@TA=25°C IR=100uA：40 V

芯片對環(huán)境（封裝）的熱阻：110 °C/W

暗電流

T=25°C V_R=5V：典型0.35 nA ，max.5 nA

T=125°C V_R=5V：典型5 uA

響應(yīng)度 V_R=5V λ=950nm：0.5…0.65 A/W

峰值響應(yīng)度 V_R=5V：950 nm

光譜帶寬@50% V_R=5V：600…1050 nm

正向電壓 I_F=10mA：0.85 V

上升時(shí)間 (10%...90%) （V_R=20V R_L=50，λ=650nm ip=250uA）：40 ns

下降時(shí)間 (90%...10%) ：40 ns

電容 V_R=0V f=10kHz Φ=0：典型20 pF，max.30 pF

有效面積：2.75 mm²

有效區(qū)域長度：2.5 mm

有效區(qū)域?qū)挾龋?.1 mm

增量旋轉(zhuǎn)編碼器

增量線性編碼器

一般用途