技術特點
l 能夠測量小至1mm的晶體到或更大的樣品
l 各種樣品架及輸送夾具，用于線鋸、拋光等
l 側(cè)晶方向標記選項
l 無水冷卻
l **精度：0.01°(視晶體質(zhì)量而定)
l 確定單晶的晶格取向
l 使用Omega掃描方法的超高速晶體定位測量
l 氣冷式X射線管，無需水冷
l 適合于研究和生產(chǎn)質(zhì)量控制
l 手動操作(沒有自動化選項)
可測量材料的例子
? 立方/任意未知方向：Si, Ge, GaAs, GaP, InP
? 立方/特殊取向：Ag, Au, Ni, Pt, GaSb, InAs, InSb, AlSb, ZnTe, CdTe, SiC3C, PbS, PbTe, SnTe, MgO, LiF, MgAl2O4, SrTiO3, LaTiO3
? 正方：MgF2, TiO2, SrLaAlO4
? 六方/三角：SiC 2H, 4H, 6H, 15R, GaN, ZnO, LiNbO3, SiO2(石英)，Al2O3(藍寶石)，GaPO4, La3Ga5SiO14
? 斜方晶系：Mg2SiO4 NdGaO3
? 可根據(jù)客戶的要求進一步選料
平面方向的標記和測量
在晶圓片的注入和光刻過程中，需要平面或凹槽作為定位標記。切割過程中，晶片必須正確地對準晶圓片上易于切割的晶格面。因此，檢查平面或缺口的位置至關重要。
為了確定平面或缺口的位置，就需要測量平面內(nèi)的部件。由于Omega掃描法可以在一次測量中確定完整的晶體方位，基于此，便可以直接識別在平面方向或檢查方向的單位或缺口。
DDCOM通過旋轉(zhuǎn)轉(zhuǎn)盤，可以將任何平面方向轉(zhuǎn)換成用戶的特定位置。在必須定義平面方向的情況下，這可以**簡化將標記應用到特定平面方向的過程。
