在對低電阻率晶錠和晶圓進(jìn)行非接觸式測量方式上擁有非常重要的重復(fù)性Si | Ge | 化合物半導(dǎo)體 | 寬帶隙 | 材料 | 金屬 | 導(dǎo)電 | 氧化物和氮化物[ Ge | Si | SiC | InP | GaAs | GaN | InAs以及更多]
特征 ：
| 電阻率的非接觸式測量和成像 | 高頻渦流傳感原理與集成紅外溫度傳感器可校正樣品的溫度變化 |
| 信號靈敏度 | 基于線圈頻率讀數(shù)（正在申請）的高信號靈敏度，可實(shí)現(xiàn)準(zhǔn)確可靠的電阻率測量，并具有高再現(xiàn)性和可重復(fù)性 |
| 測量時間 | 測量時間 < 3 s，測量之間時間 < 1 s |
| 測量速度 | 200 mm 晶圓/晶錠 < 30 s，9個點(diǎn) |
| 多點(diǎn)測量及測繪顯示 | 不超過9999個點(diǎn) |
| 材料外形尺寸 | 平坦或略微彎曲的晶圓、晶錠、錠板、毛坯和薄膜 |
| X-Y位置分辨率 | ≥ 0.1mm |
| 邊緣扣除 | 5 mm |
| 可靠性 | 模塊化、緊湊的臺式儀器設(shè)計，可靠性高，正常運(yùn)行時間 > 99% |
| 電阻率測量的重復(fù)性 | ≤ 0.15%，基于使用ANOVA Gage R&R方法對材料系統(tǒng)分析（MSA） |
更多技術(shù)規(guī)格和配置選項(xiàng):
為自動化流程做準(zhǔn)備 | 可用于不同的平臺 |
測量方法符合 | SEMI MF673標(biāo)準(zhǔn) |
數(shù)據(jù)及數(shù)據(jù)有效性檢查 | 使用NIST標(biāo)準(zhǔn) |
校準(zhǔn)精度 | ±1% |
集成紅外溫度傳感器 （±0.1°） | 允許報告標(biāo)準(zhǔn)溫度下的電阻率，（與樣品的實(shí)際溫度不同） |
樣品厚度校準(zhǔn) | 對于高頻信號穿透深度大于穿透深度的樣品 |
電力要求 | 100-250 VAC, 5 A |
尺寸 | 465 ′ 550 ′ 600 mm |
軟件控制 | 配備Window10或新版本的標(biāo)準(zhǔn)PC，2個以太網(wǎng)端口 |
用戶友好且的操作軟件：
◇ 電阻率測量配方；
◇ 導(dǎo)出/導(dǎo)入功能和原始數(shù)據(jù)訪問；
◇ 多級用戶賬戶管理；
◇ 所有執(zhí)行的測量概覽；
◇ 繪圖選項(xiàng)（線、十字、星、完整地圖、地形、用戶定義圖案）；
◇ 分析功能包；統(tǒng)計、方差分析、溫度校正函數(shù)和數(shù)據(jù)庫；
◇ 遠(yuǎn)程訪問；基于互聯(lián)網(wǎng)的系統(tǒng)允許在世界任何地方進(jìn)行遠(yuǎn)程操作和技術(shù)支持；
電渦流傳感器的測量原理
中心處可實(shí)現(xiàn)較大的準(zhǔn)確性和精確度
4H-SiC晶圓整個生長面區(qū)域的電阻率變化測量
硅晶圓電阻率變化測量 — 面掃描、分布和線掃描
