Microchip公司（原Microsemi）的1000C通過(guò)的SC和BVA晶體加工技術(shù)，實(shí)現(xiàn)了超低的相位噪聲、優(yōu)異的短期穩(wěn)定性，和低老化率的特性。連續(xù)工作30天內(nèi)即可達(dá)到標(biāo)稱的老化率指標(biāo)，運(yùn)行時(shí)間更長(zhǎng)可以獲得更加優(yōu)異的表現(xiàn)，在連續(xù)加電運(yùn)行數(shù)年之后，日老化率指標(biāo)甚至低至1E-12。
1000C采用杜瓦隔熱技術(shù)的恒溫槽設(shè)計(jì)，在整個(gè)工作溫度范圍內(nèi)均具有優(yōu)異的溫度特性，其受到溫度變化影響所產(chǎn)生的頻率改變<5.0E-9。此外，1000C還具有一個(gè)監(jiān)測(cè)恒溫槽溫度變化的傳感器（監(jiān)測(cè)靈敏度：10mV/℃）。
1000C提供高性能和超高性能兩個(gè)版本。超高性能版本，SSB相位噪聲可達(dá)：-130dBc@1Hz、-160dBc@100KHz，穩(wěn)定后，短期穩(wěn)定度可以達(dá)到：2E-13（0.1s ~ 100s）。高性能版本SSB相位噪聲也可達(dá)到：-120 dBc@1Hz、-160dBc@100KHz，穩(wěn)定后，短期穩(wěn)定也可以達(dá)到3E-13(0.1s ~ 100S)。
1000C采用低噪聲、高隔離度的緩沖放大器提供4路獨(dú)立的5MHz輸出。緩沖放大器隔離信號(hào)輸出盡可能不受負(fù)載變化的影響。而內(nèi)部的電壓調(diào)節(jié)器則使得電源紋波所引起的影響有效降低。伺服循環(huán)系統(tǒng)采用線性的電子頻控技術(shù)來(lái)進(jìn)行良好的頻率調(diào)整，在壓控調(diào)整的范圍內(nèi)，其調(diào)整線性優(yōu)于5%。
1000C能夠滿足廣泛的軍事和工業(yè)環(huán)境的應(yīng)用需求。其可以被應(yīng)用在高精度的頻率計(jì)數(shù)器和綜合器、GPS接收機(jī)、微波倍頻器、相位噪聲校準(zhǔn)測(cè)試設(shè)備、2級(jí)通信應(yīng)用、雷達(dá)和戰(zhàn)術(shù)通信系統(tǒng)、安全通信系統(tǒng)、衛(wèi)星地面終端以及航天飛行系統(tǒng)等。
低老化率：5.0E-11/天 低相位噪聲：-130dBc@1Hz，-160dBc@100kHz（超高性能） 4路獨(dú)立緩沖和電壓隔離的5MHz輸出 短期穩(wěn)定度：0.1s至100s優(yōu)于2.0E-13（超高性能） 快速啟動(dòng)：15分鐘達(dá)到2.0E-8 可在0℃至55℃的寬溫環(huán)境下運(yùn)行 電壓調(diào)節(jié)0V至10V 調(diào)節(jié)范圍6.0E-7
頻率輸出：
頻率：4路5kHz
幅度：1Vrms(2路)，0.5Vrms(2路)
諧波：<-40dBc
雜散：<-80dBc
連接器：SMA
短期穩(wěn)定性：0.1-100s）艾倫方差
<3.0E-13 高性能，<2.0E-13超高性
日老化率：（工作30天后）
<5.0E-9（在整個(gè)工作溫度范圍）
SSB相位噪聲： 高性能 超高性能
1Hz -120dBc -130dBc
10Hz -145dBc -150dBc
100Hz -156dBc -157dBc
1,000Hz -160dBc -160dBc
10,000Hz -160dBc -160dBc
100,000Hz -160dBc -160dBc
溫度特性：<5.0E-9（在整個(gè)工作溫度范圍）
頻率調(diào)整：
壓控極性：正向
壓控范圍：0V-10V
負(fù)載特性： <5.0E-11，50Ω
供電電壓：
18-30VDC
功耗：?jiǎn)?dòng)13W，運(yùn)行3.5W
連接器：DB9
環(huán)境指標(biāo)：
電壓特性：電壓改變+-1%，<1.0E-11
EMI敏感性（邊頻帶）：<-100dBc，0.1Vrms，10Hz-104Hz
操作溫度：0℃至55℃
存儲(chǔ)溫度：-40℃至85℃
開(kāi)機(jī)特性：15分鐘，至2.0E-8
恒溫槽溫度監(jiān)控： 10mV/℃
規(guī)格尺寸：規(guī)格尺寸尺寸：7.6cm*16.5cm*7.6cm(寬*深*高)
重量：<0.67Kg
MTBF：>130,000小時(shí)
