BSO晶體、Fe:LiNbO 3晶體、SBN晶體、BGO晶體
Optogama提供4Lasers品牌的BSO，Fe：LiNbO3、SBN和BGO晶體主要用于開發(fā)光折變效應的應用。光折變效應是一種通過光強的空間變化來改變局部折射率的現(xiàn)象。在光折變材料中，當相干光相互干擾時觀察到，光折變材料形成了空間變化的照明模式。這種效果可以用來存儲臨時的、可擦除的全息圖，也稱為全息數(shù)據(jù)存儲。它也可以用來制造相位共軛鏡或光學空間孤子。
硅酸鉍(Bi)12SiO20，bso)晶體是一種高效率的光導材料，暗導率低，允許大量的光誘導空間電荷的積累。巨大的光電導性和電光特性提高了BSO晶體的應用范圍：空間光調(diào)制器、光開關、相位共軛混合器。Optogama用改進的Czochralski法生長了BSO晶體，其孔徑可達3英寸。
鈮酸鋰(LiNbO)3摻雜鐵(Fe：LiNbO)的LN晶體3)具有高的光折變靈敏度、高的電光系數(shù)和衍射效率、化學力學性能，是一種很有吸引力的光折變材料。Fe：LiNbO3晶體采用Czochralsky法生長，尺寸大。廣泛的可用摻雜劑和水平可以調(diào)整特定應用的材料性能。更重要的是，Fe：Linbo3晶體操作方便，成本低，適合批量生產(chǎn)。
SBN晶體晶體具有優(yōu)良的光學和光折變性能。它們表面上是純的，被Ce，Cr，Co或Fe摻雜。不同成分的SBN晶體在電光、聲光、光折變、非線性光學等領域有著廣泛的應用。包裹體和其它非均勻性SBN晶體，采用改進的Stepanov法生長，線性尺寸可達40 mm。
鍺酸鉍（Bi12GeO20，BGO）晶體是具有低暗電導率的高效光電導體，可以積累大量光致空間電荷。
硅酸鉍晶體主要特點：
-高電光系數(shù)(r41=5pm/v)
-高相位共軛效率
-可在3“以下的大尺寸元件或晶片中使用。
-可根據(jù)要求定制
BSO晶體主要應用：
-空間光調(diào)制器
-光開關
-相位共軛混合器。
BSO晶體的技術(shù)特性：
| 化學公式 | Bi12SiO20 |
| 晶體結(jié)構(gòu) | 立方體，點編組23 |
| 晶格參數(shù) | 10.10 a |
| 密度 | 9.2克/cm3 |
| Mohs硬度 | 5 |
| 透明度范圍 | 0.45-6μm |
| 折射率 | 2.5 |
| 光學活性 | 42deg/mm |
| 電光系數(shù) | r41 = 5 pm/V |
| 介電常數(shù)(低頻) | 56 |
| 暗電阻 | 1014 Ohm cm |
BSO晶體的產(chǎn)品規(guī)格：
| 透明孔徑 | 85 % |
| 面尺寸公差 | +0/-0.2毫米 |
| 厚度公差 | ±0.2毫米 |
| 平行度誤差 | <30 arcsec |
| 保護槽 | <0.3 mm at 45° |
| 表面質(zhì)量 | 40-20 S-D |
| 波前畸變 | <λ/4@6328 nm |
| 涂層 | 無涂層 |
硅酸鉍晶體產(chǎn)品型號
| SKU | 面尺寸 | 厚度 | 定向 | 價格（RMB） |
| 1558 | 30×30毫米 | 1.0毫米 | [110] | 5500 |
| 6880 | 20x20毫米 | 1.0毫米 | [110] | 4500 |
| 6881 | 20x20毫米 | 1.0毫米 | [100] | 4500 |
| 6882 | 10x10毫米 | 5毫米 | [110] | 6500 |
| 6883 | 10x10毫米 | 5毫米 | [100] | 6500 |
| 6884 | 5x5毫米 | 5毫米 | [110] | 4800 |
| 6885 | 5x5毫米 | 5毫米 | [100] | 4900 |
| 9095 | 30×30毫米 | 1.5毫米 | [110] | 5600 |
鈮酸鋰晶體主要特點：
-高電光系數(shù)(r41=5pm/v)
-高相位共軛效率
-可在3“以下的大尺寸元件或晶片中使用。
-可根據(jù)要求定制
LiNbO3晶體的主要應用：
-空間光調(diào)制器
-光開關
-全息記錄
-光波導
LiNbO3晶體技術(shù)特性：
| 化學公式 | Fe：LiNbO3 |
| 晶體結(jié)構(gòu) | 三角形，3m |
| 密度 | 4.64克/cm3 |
| Mohs硬度 | 5 |
| 透明度范圍 | 0.35-5.5μm |
| 折射率@0，63μm | ne = 2.20, no = 2,29 |
| 電光系數(shù) | r22 = 6,8 pm/V,r31 = 10 pm/V,r33 = 32 pm/V |
| 介電常數(shù) | e11 = 85,e33 = 30 |
鈮酸鋰晶體產(chǎn)品規(guī)格：
| Fe2O3 | 0.1 mol. %，0.05 mol. %，0.03 mol. %，0.02 mol. % |
| 定向 | 90°切割(X-切割，Y-切割) |
| 透明孔徑 | 85 % |
| 面尺寸公差 | +0/-0.2毫米 |
| 厚度公差 | ±0.2毫米 |
| 平行度誤差 | <3 arcmin |
| 保護槽 | <0.3 mm at 45° |
| 表面質(zhì)量 | 20-10 S-D |
| 波前畸變 | <λ/4@6328 nm |
| 涂層 | 無，可根據(jù)要求提供抗反射或銦錫氧化物涂層 |
| 電極 | 無，可根據(jù)要求提供 |
鈮酸鋰晶體產(chǎn)品型號：
| SKU | 面尺寸 | 長度 | 摻雜水平 | 價格（RMB） |
| 4052 | 10x10毫米 | 5毫米 | 0，05%Fe2O3 | 請求 |
| 6457 | 10x10毫米 | 5毫米 | 0，02%Fe2O3 | 請求 |
| 6458 | 10x10毫米 | 5毫米 | 0，03%Fe2O3 | 請求 |
| 7005 | 10x10毫米 | 5毫米 | 0，1%Fe2O3 | 請求 |
| 7006 | 10x10毫米 | 1毫米 | 0，02%Fe2O3 | 4000 |
| 7007 | 10x10毫米 | 1毫米 | 0，03%Fe2O3 | 4000 |
| 7008 | 10x10毫米 | 1毫米 | 0，05%Fe2O3 | 4000 |
| 7009 | 10x10毫米 | 1毫米 | 0，1%Fe2O3 | 4000 |
| 7010 | 20x20毫米 | 1毫米 | 0，02%Fe2O3 | 請求 |
| 7011 | 20x20毫米 | 1毫米 | 0，03%Fe2O3 | 請求 |
| 7012 | 20x20毫米 | 1毫米 | 0，05%Fe2O3 | 請求 |
| 7013 | 20x20毫米 | 1毫米 | 0，1%Fe2O3 | 請求 |
SBN晶體的主要特點：
-Ce，Cr，Co，Fe純摻雜
-有效相位共軛
-定制尺寸，摻雜水平，無極化，減反射涂層和沒有電極晶體可根據(jù)要求
SBN晶體的主要應用：
-光學信息記錄
-熱釋電探測器
-自泵浦自共軛鏡
-光學相關器
SBN晶體的技術(shù)特性：
| 構(gòu)圖 | SBN：61 | SBN：75 |
| 晶體結(jié)構(gòu) | 四邊形，4毫米 | 四邊形，4毫米 |
| 晶格參數(shù) | a = 12,46 ?, c = 3,946 ? | a = 12,43024 ?, c = 3,91341 ? |
| 密度 | 5,4 g/cm3 | 5,4 g/cm3 |
| Mohs硬度 | 5.5 | 5.5 |
| 熔化溫度 | 1480°C | 1480°C |
| 居里溫度 | 75°C | 56℃ |
| 透光度范圍 | 0.45-5.5μm | 0.4-5.5μm |
| 折射率@633 nm | no = 2.3103,ne = 2.2817 | no = 2.3117,ne = 2.2987 |
| Δn@633 nm | -0.0286 | -0.0130 |
| 傳動 | 0.45-5.5μm | 0.4-5.5μm |
| 半波電壓(λ/2) | 240 V | 60V |
| 介電常數(shù)(T=293 K) | 900 | 340 |
| 電光系數(shù) | R13=45 pm/V,R33=250 pm/V | R13=65 pm/V,R33=740 pm/V,r42=40 pm/V |
| 熱釋電系數(shù) | 0.065μC×cm-2×K-1 | 0.28μC×cm-2×K-1 |
| 介電常數(shù) | 880 | 3400 |
SBN晶體的產(chǎn)品規(guī)格：
| 定向 | 沿四方軸的短邊 |
| 波林 | 極化 |
| 電極 | 碳水電極 |
| 透明孔徑 | 85% |
| 面尺寸公差 | +0/-0.2毫米 |
| 厚度公差 | ±0.2毫米 |
| 平行度誤差 | <30 arcsec |
| 保護槽 | <0.1 mm at 45° |
| 表面質(zhì)量 | 20-10 S-D通過透明光圈，60-40 S-D其他表面 |
| 表面平整度 | <λ/4@6328 nm |
| 涂層 | 無涂層 |
SBN晶體的產(chǎn)品型號：
| SKU | 材料 | 面尺寸 | 長度 | 摻雜 | 價格(RMB) |
| 6940 | SBN：61 | 5x5毫米 | 5毫米 | CeO 2 0，002 wt，% | 15000 |
| 6941 | SBN：61 | 5x5毫米 | 10毫米 | CeO 2 0，002 wt，% | 18500 |
| 6942 | SBN：61 | 5x5毫米 | 15毫米 | CeO 2 0，002 wt，% | 24000 |
| 6943 | SBN：61 | 5x5毫米 | 20毫米 | CeO 2 0，002 wt，% | 30000 |
| 6944 | SBN：61 | 5x5毫米 | 5毫米 | CeO 2 0，01 wt，% | 15000 |
| 6945 | SBN：61 | 5x5毫米 | 10毫米 | CeO 2 0，01 wt，% | 18800 |
| 6946 | SBN：61 | 5x5毫米 | 15毫米 | CeO 2 0，01 wt，% | 22000 |
| 6947 | SBN：61 | 5x5毫米 | 20毫米 | CeO 2 0，01 wt，% | 30000 |
| 6948 | SBN：61 | 5x5毫米 | 5毫米 | CeO 2 0，1 wt，% | 15000 |
| 6949 | SBN：61 | 5x5毫米 | 10毫米 | CeO 2 0，1 wt，% | 18500 |
| 6950 | SBN：61 | 5x5毫米 | 15毫米 | CeO 2 0，1 wt，% | 24000 |
| 6951 | SBN：61 | 5x5毫米 | 20毫米 | CeO 2 0，1 wt，% | 30000 |
| 73 | SBN：61 | 5x5毫米 | 5毫米 | 未摻雜 | 15000 |
| 74 | SBN：61 | 5x5毫米 | 10毫米 | 未摻雜 | 18500 |
| 75 | SBN：61 | 5x5毫米 | 15毫米 | 未摻雜 | 24000 |
| 76 | SBN：61 | 5x5毫米 | 20毫米 | 未摻雜 | 30000 |
BGO晶體的主要特點：
-高電光系數(shù)(r41=3，5 pm/v)
-低暗電導
-大尺寸元件或晶片最多可達3“
-可根據(jù)要求定制
BGO晶體的主要應用：
-空間光調(diào)制器
-光開關
-光學相關器
BGO晶體的技術(shù)特性：
| 化學公式 | Bi12GeO20 |
| 晶體結(jié)構(gòu) | 立方體，點編組23 |
| 晶格參數(shù) | 10.15 a |
| 密度 | 9.2克/cm3 |
| 傳輸范圍 | 0.45-7米 |
| 折射率@0.63m | 2,55 |
| 光學活性@500 nm | 41.5度/毫米 |
| 電光系數(shù)r41 | 3.5 pm/V |
| 介電常數(shù) | 40 |
| 暗電阻 | 1014 Ohm cm |
BGO晶體的產(chǎn)品規(guī)格：
| 透明孔徑 | 85% |
| 面尺寸公差 | +0/-0.2毫米 |
| 厚度公差 | ±0.2毫米 |
| 平行度誤差 | <30 arcsec |
| 保護槽 | <0.3 mm at 45° |
| 表面質(zhì)量 | 40-20 S-D |
| 波前畸變 | <λ/4@6328 nm |
| 涂層 | 無涂層 |
BGO晶體的產(chǎn)品型號：
| SKU | 面尺寸 | 長度 | 定向 | 價格(RMB) |
| 6868 | 5x5毫米 | 5毫米 | [110] | 5600 |
| 6871 | 5x5毫米 | 5毫米 | [100] | 5600 |
| 6872 | 10x10毫米 | 5毫米 | [110] | 8500 |
| 6873 | 10x10毫米 | 5毫米 | [100] | 8500 |
| 6874 | 20x20毫米 | 1毫米 | [110] | 5000 |
| 6875 | 20x20毫米 | 1毫米 | [100] | 5000 |
| 6876 | 30×30毫米 | 1毫米 | [110]，邊與<001>平面±2deg平行 | 6000 |
| 6877 | 30×30毫米 | 1，5毫米 | [110] | 6000 |
