非線性頻率轉(zhuǎn)換晶體，KTA晶體，LiIO3晶體

LiS晶體，LiSe晶體，LTB晶體

德國(guó)MolTech GmbH提供用于非線性頻率轉(zhuǎn)換應(yīng)用的不同非線性光學(xué)晶體，該非線性光學(xué)晶體系列包含ADP晶體、 AGS晶體、AGSe晶體、BBO晶體、LBO晶體、CLBO晶體、GaSe晶體、HGS晶體、KDP晶體、DKDP晶體、KTA晶體、KTP晶體、LiIO3晶體、LiS晶體、LiSe晶體、LTB晶體、POM晶體、ZGP晶體、DLAP晶體等。從紫外開始的高功率紫外激光到10um以上的紅外領(lǐng)域，MolTech非線性晶體都能滿足用戶的需求。

德國(guó)Molecular Technology (MolTech) GmbH成立于1990 年，最初面向新材料、組件和技術(shù)的開發(fā)，特別是在“激光、光學(xué)、電子”領(lǐng)域。在公司的進(jìn)一步發(fā)展過程中，業(yè)務(wù)興趣擴(kuò)展到其他產(chǎn)品組，例如實(shí)驗(yàn)室設(shè)備和材料性能測(cè)試設(shè)備。

LiIO3晶體

LiIO3晶體是一種單軸非線性晶體，具有較高的非線性光學(xué)系數(shù)和較寬的透明度范圍。它被用于中低功率Ti:Sapphire、Alexandrite和其他激光器的倍頻。在某些情況下，它被用于Nd:YAG激光器的倍頻和三倍頻，以及用于測(cè)量超短脈沖寬度的自動(dòng)跟蹤器。

應(yīng)用：

  - 從690到2000納米范圍內(nèi)的基本激光發(fā)射的第二到第四次諧波代。

  - 光學(xué)參數(shù)振蕩，在800至4000納米范圍內(nèi)獲得調(diào)諧輻射

  - 在280至5500納米的透明晶體范圍內(nèi)的頻率倍增和混合

  - 測(cè)量超短激光脈沖的參數(shù)，包括單一的激光脈沖

- 紅外輻射的可視化，通過非線性光學(xué)方法獲得物體圖像

LIS晶體

LIS晶體的非線性特性與AgGaS2和AgGaSe2接近，但它們的晶體結(jié)構(gòu)不同。LiInS2是熱釋電，其電光參數(shù)是將其作為有效電光材料的基礎(chǔ)。

應(yīng)用。

- 將二氧化碳激光輻射圖像向上轉(zhuǎn)換到近紅外或可見光區(qū)域

- 中紅外范圍內(nèi)的不同頻率發(fā)生器（2-12微米）

- 1-12微米范圍內(nèi)的光學(xué)參數(shù)振蕩器，泵為Al2O3：Ti

- 在中紅外區(qū)域的頻率混合

- 用于使用OPO的可調(diào)諧固體激光器，由1.2-10微米范圍內(nèi)的Nd:YAG和其他激光器泵浦。

LISe晶體

LISe晶體的光譜透明度范圍和高雙折射率使人們能夠?qū)崿F(xiàn)所有廣泛使用的中紅外激光器的倍頻。它們的效率與AgGaS2晶體的效率相同，是LiInS2晶體效率的兩倍。LiInSe2晶體的優(yōu)點(diǎn)是可以通過近紅外固體激光器（尤其是Nd:YAG激光器）的輻射產(chǎn)生中紅外參量光振蕩器，其效率比使用的AgGaS2和LiInSe2晶體高出一倍多。同樣值得注意的是，LiInSe2晶體在飛秒脈沖的頻率轉(zhuǎn)換方面比所有已知的晶體在中紅外區(qū)域和直接轉(zhuǎn)換飛秒Ti:sapphire和Cr:forsterite激光器的輻射到中紅外區(qū)域方面都有潛在的優(yōu)勢(shì)。

LTB晶體

LTB晶體作為一種新開發(fā)的單晶，在表面聲波（SAW）設(shè)備中具有潛在的應(yīng)用，引起了人們的廣泛關(guān)注。它的特點(diǎn)是延遲時(shí)間的低溫系數(shù)，高機(jī)電耦合常數(shù)和大壓電常數(shù)。

應(yīng)用。

- YAG激光器的諧波產(chǎn)生（SHG, THG, 4HG, 5HG）。

- 基于可見激光輻射的SHG和SFH的高功率紫外光源

- 在BAW和SAW設(shè)備中

HGS晶體

較高的激光損傷閾值和轉(zhuǎn)換效率允許在 1.0 到 10 µm 的波長(zhǎng)范圍內(nèi)使用HGS晶體進(jìn)行倍頻和 OPO/OPA。已經(jīng)確定，對(duì)于 4 mm 長(zhǎng)的 HgGa2S4 元件，CO2 激光輻射的倍頻效率約為 10%（脈沖持續(xù)時(shí)間 30 ns，輻射功率密度 60 MW/cm2）。盡管大尺寸晶體生長(zhǎng)過程相當(dāng)困難，但其高轉(zhuǎn)換效率和寬范圍的輻射波長(zhǎng)調(diào)諧使得該非線性頻率轉(zhuǎn)換晶體有望與 AgGaS2、AgGaSe2、ZnGeP2 和 GaSe 晶體競(jìng)爭(zhēng)。

應(yīng)用：

- CO和CO2激光器上的二次諧波發(fā)生器

- 不同的頻率發(fā)生器到中紅外區(qū)域。

- 光學(xué)參數(shù)振蕩器

- 中紅外區(qū)域的頻率混合

GaSe晶體

硒化鎵（GaSe）非線性光學(xué)單晶是一種非常適合中紅外倍頻的材料，GaSe晶體具有大非線性系數(shù)、高損傷閾值和寬透明范圍。在6.0微米到12.0微米的波長(zhǎng)范圍內(nèi)研究了GaSe的倍頻特性，GaSe已經(jīng)成功地應(yīng)用在多個(gè)領(lǐng)域。由于材料結(jié)構(gòu)（沿(001)平面裂開）限制了應(yīng)用領(lǐng)域，因此無法切割特定相位匹配角的晶體。我們提供根據(jù)客戶訂單制作的GaSe光學(xué)元件。

應(yīng)用：

- CO2激光的高效倍頻（轉(zhuǎn)換率高達(dá)9%）；

- 用于脈沖CO、CO2和化學(xué)DF激光（l=2.36微米）輻射的倍頻；

- CO和CO2激光輻射的上轉(zhuǎn)換到可見光范圍；

- 通過釹和紅外染料激光或（F-）中心激光脈沖的差頻混合產(chǎn)生紅外脈沖；

- 在3.5-18微米內(nèi)產(chǎn)生OPG光；

- 產(chǎn)生太赫茲（T-射線）輻射。

KTA晶體

KTA晶體是最近為非線性光學(xué)和電光器件應(yīng)用開發(fā)的一種優(yōu)秀的光學(xué)非線性晶體。與KTP相比，這些非線性光學(xué)和電光系數(shù)更高，而且它們還有一個(gè)好處，就是在2.0-5.0微米區(qū)域的吸收明顯減少。大的非線性系數(shù)與寬的角度和溫度帶寬相結(jié)合。KTA晶體的其他優(yōu)點(diǎn)是低介電常數(shù)、低損耗正切和離子導(dǎo)電率比KTP低幾個(gè)數(shù)量級(jí)。這些鹽的單晶體具有化學(xué)和熱穩(wěn)定性，不吸濕，并且對(duì)高強(qiáng)度的激光輻射具有很強(qiáng)的抵抗力。

KTA晶體對(duì)于二次諧波發(fā)生（SHG）、和差頻率發(fā)生（SFG）/（DFG）、光參數(shù)振蕩（OPO）、電光Q開關(guān)和調(diào)制以及作為光波導(dǎo)的基材都很重要。基于這些晶體的OPO裝置是可靠的、可調(diào)諧激光輻射的固態(tài)源，其能量轉(zhuǎn)換效率高于50%。KTA有一個(gè)非常高的損傷閾值。在皮秒染料激光器的10 - 20 GW/cm2的水平上，沒有觀察到光學(xué)損傷。這種晶體是使用高溫通量技術(shù)生長(zhǎng)的。

應(yīng)用。

  - 在中紅外區(qū)域1-5.5mkm的光學(xué)參數(shù)振蕩器

  - 在中紅外區(qū)域1-5.5mkm的不同頻率發(fā)生器。