產品簡介
效率高的太赫茲輻射源對一系列太赫茲科學技術的應用有著非常重要的影響，一個重要的方面就是寬的帶寬，以及高的電場強度。這通常依賴于大激發(fā)面積的輻射源，傳統(tǒng)的概念上輻射源需要高的偏置電壓（高至幾百V）激發(fā)才能達到KV/cm的THz電場強度。上海屹持光電推出的大激發(fā)面積太赫茲發(fā)射器是一款大激發(fā)面的且只需要很低偏置電壓的高效率光電導天線。
產品特點
√ 大的激發(fā)面積
√ 低的外部偏置電壓
√ 不需要外部冷卻裝置
√ 超級集成化的封裝設計
技術規(guī)格
上海屹持光電推出的Tera-SED是一款基于LT-GaAs的高效率太赫茲光電導天線。我們提供兩個不同版本的大激發(fā)面積光電導天線：10mm*10mm激發(fā)面積的天線適合于放大級飛秒激光器系統(tǒng)（單脈沖能量可以高至300uJ）；3mm*3mm版本的光電導天線適合于震蕩級飛秒激光器。
左圖為Tera-SED受激發(fā)輻射THz的原理示意圖，右圖是實驗測試頻譜數(shù)據（0.7nJ pump功率，GaP晶體探測的結果）
| 頻譜峰值 | 1THz-1.5THz |
| 頻譜寬度(@-10dB) | ~2.5THz |
| 光學激發(fā)功率密度 | 8W/mm2 |
| 激發(fā)功率 | 650mW |
| 激發(fā)波長 | 700-850nm |
| 尺寸 | 1英寸外徑 |
| 太赫茲脈沖強度 | 可至5KV/cm |
| 偏置電壓 | 10-30V |
| 偏置電壓調制頻率 | DC-100KHz |
| 占空比 | 5%-99% |
輻射太赫茲的能力
| | 偏置電壓Vbias | 占空比 | THz電場強度 |
| Tera-SED3 | up to 10V | CW | 100V/cm (@10V) |
| 10-20V | 50% | 200V/cm (@20V) | |
| 30V | 10% | 300V/cm | |
| Tera-SED10 | up to 5V | CW | 1000V/cm(@5V) |
| 5-20V | 50% | 2000V/cm(@20V) | |
| 25V | 5% | 5000V/cm |
