配備高亮度、長壽命的肖特基場發(fā)射電子槍
分辨率高,30 kV下優(yōu)于1 nm的極限分辨率
三級磁透鏡設計,束流可調(diào)范圍大
*低真空模式,以及高性能的低真空二次電子探測器,可觀察導電性弱或不導電樣品
無漏磁物鏡設計,可直接觀察磁性樣品
標配的光學導航模式,中文操作軟件,讓分析工作更輕松
PA-玻纖復合材料
加速電壓:10 kV / 放大倍率:×500
二氧化硅微球
加速電壓:10 kV / 放大倍率:×80000
金屬斷口
加速電壓:15 kV / 放大倍率:×5000
金屬微觀組織(鋁銅焊接件)
加速電壓:20 kV / 放大倍率:×10000
水菜花花粉
加速電壓:10 kV / 放大倍率:×50000
鈦酸鍶鋇陶瓷
加速電壓:10 kV / 放大倍率:×10000
鈦合金
加速電壓:10 kV / 放大倍率:×5000
鈦合金
加速電壓:10 kV / 放大倍率:×10000
關鍵參數(shù) | 分辨率 | 1 nm @ 30 kV,SE |
0.9 nm @ 30 kV, STEM | ||
加速電壓 | 200 V ~ 30 kV | |
放大倍率 | 1 ~ 1,000,000 x | |
電子槍類型 | 肖特基場發(fā)射電子槍 | |
樣品室 | 真空系統(tǒng) | 全自動控制 |
低真空模式(選配) | 180Pa | |
攝像頭 | 雙攝像頭(光學導航+樣品倉內(nèi)監(jiān)控) | |
行程 | X:120 mm | |
Y:115 mm | ||
Z:50 mm | ||
T: -10°~ +90° | ||
R: 360° | ||
探測器和擴展 | 標配 | 側向低角度電子探測器 |
選配 | 低真空二次電子探測器 | |
背散射電子探測器 | ||
STEM自動插入式掃描透射探測器 | ||
樣品交換倉 | ||
EDS能譜儀 | ||
EBSD背散射衍射 | ||
EBIC電子束感生電流 | ||
CL陰極熒光 | ||
高低溫原位拉伸臺 | ||
納米機械手 | ||
大圖拼接 | ||
軌跡球&旋鈕控制板 | ||
軟件 | 語言 | 中文 |
操作系統(tǒng) | Windows | |
導航 | 光學導航、手勢快捷導航 | |
自動功能 | 自動亮度對比度、自動聚焦、自動像散 |