SRS-500型磁控濺射PVD系統(tǒng)，最多可配備五個(gè)獨(dú)立濺射靶位，采用渦輪分子泵組和自動(dòng)壓控系統(tǒng)等配置，適用于沉積各種金屬和反應(yīng)膜層。可實(shí)現(xiàn)單靶直濺和多靶共濺功能。適合快速制備多層金屬、反應(yīng)化合膜、半導(dǎo)體介質(zhì)復(fù)合膜等，配備精密沉積速率控制系統(tǒng)，非常適合新材料研發(fā)和小批量生產(chǎn)使用。
主要特點(diǎn)：
- 大抽速真空系統(tǒng)，即插即用快捷方便；
- 最多五個(gè)獨(dú)立磁控靶位可輕松切換功能，快速制作多種金屬和反應(yīng)介質(zhì)膜；
- 預(yù)設(shè)參數(shù)全自動(dòng)沉積無(wú)需人為干預(yù)；
- 材料和基板安裝方便實(shí)用，單片公轉(zhuǎn)可沉積φ280的膜片，可實(shí)現(xiàn)公自轉(zhuǎn)載具切換功能。
- 配備射頻源，可實(shí)現(xiàn)多種膜層工藝要求。
應(yīng)用領(lǐng)域：
- 金屬和介電膜
- 薄膜傳感器的制造
- 光學(xué)元件
- 納米與微電子
- 太陽(yáng)能電池
主要功能配置說明：
- Φ500mm*420mm(h)圓形不銹鋼腔室（可選玻璃腔室）
- 700L/s渦輪分子泵+雙級(jí)旋片泵真空泵組。
- 全量程復(fù)合真空計(jì)，自動(dòng)控制不同工藝壓力。
- 電動(dòng)壓控插板閥全程壓力自動(dòng)控制。
- 四個(gè)獨(dú)立2英寸濺射靶+2個(gè)熱蒸發(fā)源，或5個(gè)獨(dú)立濺射靶位，可同時(shí)濺射多種靶材。
- 配準(zhǔn)備DC電源和RF電源更利于濺射多種金屬和介質(zhì)膜層。
- MFC精密氣體控制系統(tǒng)。
- 石英晶體監(jiān)測(cè)系統(tǒng)用于實(shí)時(shí)厚度測(cè)量。
- 斜拉伸縮式觸控屏可預(yù)設(shè)控制沉積過程和快速數(shù)據(jù)輸入。
- 用戶友好軟件系統(tǒng)，可以通過網(wǎng)絡(luò)更新。
- 一鍵式全自動(dòng)升降系統(tǒng)，便于操作。
- 精密溫控系統(tǒng)和基片前后加熱裝置可精確控制控基片＞800°C。
- 伸縮式基片掛架，可輕松調(diào)節(jié)濺射距離和切換公自轉(zhuǎn)模式。
- 自動(dòng)腔體外包圍環(huán)繞冷卻系統(tǒng)，避免高溫鍍膜時(shí)腔室壁溫度過高。
系統(tǒng)外觀圖如下：
腔室結(jié)構(gòu)圖如下：
四靶位濺射+2個(gè)獨(dú)立熱蒸發(fā)單元
五個(gè)獨(dú)立濺射靶位腔室結(jié)構(gòu)圖
轉(zhuǎn)架結(jié)構(gòu)圖：
外形尺寸圖：
- 技術(shù)指標(biāo)
- 系統(tǒng)真空度：≤6 x10-5 Pa (經(jīng)烘烤除氣后)；
- 系統(tǒng)檢漏漏率：≤5.0x10-7 Pa.l/S，停泵關(guān)機(jī)12小時(shí)后保壓≤5 Pa；
- 濺射成膜速率：各種材料綜合速率≥10nm/min；
- 膜厚均勻性：公自轉(zhuǎn)綜合均勻度≤5%。
- 主要功能單元配置
- 更多PVD系統(tǒng)工藝說明可查閱本站點(diǎn)解決方案目錄：/jjfa
鑫鐳真空專業(yè)為科研項(xiàng)目和企業(yè)制作用于薄膜材料實(shí)驗(yàn)的小型多靶濺射PVD系統(tǒng)，提供各種真空鍍膜工藝設(shè)備搭配定制、鍍膜機(jī)機(jī)的全系統(tǒng)整合、升級(jí)和專用系統(tǒng)定制以及真空設(shè)備整機(jī)維修、安裝等服務(wù)。質(zhì)量可靠，提供多個(gè)案列參考。
