系統(tǒng)概述：
DC / RF磁控濺射系統(tǒng)是最基本的真空等離子薄膜沉積技術(shù)，是通過DC、RF（13.56 MHz）或脈沖MF（10 – 200 kHz）電源對金屬、半導(dǎo)體及其化合物進(jìn)行薄膜沉積濺射和反應(yīng)膜磁控濺射沉積系統(tǒng)。
主要功能特點(diǎn)：
- 直流磁控濺射
- 脈沖中頻磁控濺射
- 射頻磁控濺射
- DC / RF反應(yīng)磁控濺射
- 脈沖反應(yīng)磁控濺射
應(yīng)用領(lǐng)域：
- 金屬和介質(zhì)膜
- 薄膜傳感器的制造
- 光學(xué)元件
- 納米與微電子
- 太陽能電池
主要配置：
- 半圓形型真空室尺寸Ф650mm x500mm
- 1000L/s渦輪分子泵+雙級旋片泵組合
- 全量程B-A復(fù)合真空規(guī)
- 三組3英寸磁控濺射靶
- 公自轉(zhuǎn)陽級基片掛架，更利于大基板沉積的均勻性保證。
- 1DC+1RF+1MF（10 – 200 kHz）濺射電源更高建設(shè)效率
- 全自動壓控閘閥
- 石英晶體監(jiān)測系統(tǒng)用于實(shí)時厚度測量（1 nm精度）
- 3路精密氣體質(zhì)量流量計(jì)（MFC）
- 基板600°C短波紅外可調(diào)加熱器
- 手動前門配備4"觀察窗
- 自動PLC控制系統(tǒng)提供手動調(diào)試模式
- windows應(yīng)用系統(tǒng)控制軟體，操作簡單易用
系統(tǒng)結(jié)構(gòu)圖如下：
- 可選1、2、3、靶位向上濺射方式，更利于靶位安裝和基片無污染沉積。
- 基板支架采用懸架可翻轉(zhuǎn)結(jié)構(gòu)，一次可裝載（沉積）3種以上不同規(guī)格的基材。
- 3英寸磁控濺射靶利于濺射多層金屬和介質(zhì)材料膜層，更適合用于小型精密光學(xué)器件和超硬膜層。
- 靶位可根據(jù)工藝在0-25°c角度可調(diào)和30-150mm陰極距離調(diào)整范圍，更便于從金屬-半導(dǎo)體-化合物反應(yīng)濺射沉積多工藝需求。
| 技術(shù)指標(biāo) | 可選配置和增加配件 |
| 三組磁控濺射靶全自動沉積 | 低溫泵高真空系統(tǒng) |
| 自動記錄并生成沉積薄膜參數(shù)圖，數(shù)據(jù)傳輸和打印 | 離子束輔助系統(tǒng)增加膜層致密性 |
| 自動基板公轉(zhuǎn)控制 | 石英晶體膜厚控制 |
| 系統(tǒng)壓力自動控制濺射壓力 | 備用腔室內(nèi)膽 |
| 3路MFC布?xì)庀到y(tǒng) | 電阻熱主蒸發(fā)系統(tǒng) |
| 極限真空7.0E-7torr(1000L/s) | 離子束等離子基板清洗 |
| 1*RF和1*DC+1MF（10 – 200 kHz）電源可三靶共濺 | 樣品基板公自轉(zhuǎn)旋轉(zhuǎn) |
| 電源規(guī)格：380V – 50/60 HZ-50A | 多路反應(yīng)氣體MFC |
| 尺寸：高175cm×寬100cm×深100cm | 腔體外壁冷卻 |
| 質(zhì)量：?276KG | 腔體密封套件 |
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