性能指標

二次電子像分辨率

1. 高加速：0.8 nm@15.0 kV (GB)
2. 低加速：1.2 nm@1.0 kV (GB)
3. 極低加速：3.0 nm@0.1 kV (GB)
4. 分析：3.0 nm@15 kV, 5 nA, WD 10 mm，
5. WD: 2.0 ～ 25.0 mm (LDF模式時可達41mm) 

主要應(yīng)用

該電鏡及其附件主要用于各種材料的最細微納米結(jié)構(gòu)的觀察，能夠在低電壓下為高磁性樣品成像和分析，GB和GBSH模式可減少非導電樣品上的電荷，減少對高分辨成像的鏡頭像差影響，得到不導電樣品的高分辨圖像。 

樣品要求

1. 樣品直徑＜32mm，高度＜20mm。
2. 不接受粉末樣品。
3. 可接金屬塊體，薄膜等固體樣品。 

儀器說明

JSM-7800F具有浸沒式肖特基電子槍；超級混合式物鏡 : SHL；用新型探測器過濾電子能量。