德國Sentechv SI 500 電感耦合等離子體ICP干法刻蝕系統(tǒng)
產(chǎn)品描述
感應(yīng)耦合等離子刻蝕機(jī)臺,低損傷納米結(jié)構(gòu)刻蝕,高速率刻蝕,內(nèi)置ICP等離子源,動態(tài)溫控
Inhouse ICP plasma source 內(nèi)置ICP等離子源
平板三螺旋天線(PTSA)等離子源是SENTECH的等離子工藝系統(tǒng)。PTSA能產(chǎn)生高密度低能量分布的等離子體。在多種材料刻蝕工藝中都能實(shí)現(xiàn)高效率耦合及穩(wěn)定起輝。
Low damage for nano structuring 納米結(jié)構(gòu)低損傷刻蝕
由于等離子的能量分布低,從而能實(shí)現(xiàn)低損傷刻蝕和納米結(jié)構(gòu)刻蝕。
Simple high rate etching 簡單高速率刻蝕。
MEMS制造工藝中,Si材料光滑側(cè)壁的高速高選擇比刻蝕,可以很容易的通過室溫或低溫工藝實(shí)現(xiàn)。
Dynamic temperature control 動態(tài)溫控
襯底溫度設(shè)定和工藝過程中的穩(wěn)定性是影響刻蝕工藝質(zhì)量的重要因素。ICP襯底電極結(jié)合背面氦氣冷卻和溫度傳感器進(jìn)行動態(tài)溫控,工藝溫度范圍為-150?°C 至 +400?°C。
SI500代表著研發(fā)和生產(chǎn)領(lǐng)域ICP工藝的水平。它具有 基于動態(tài)溫控背電極、平板三螺旋天線等離子源和全自動控制的真空系統(tǒng),SENTECH控制軟件應(yīng)用遠(yuǎn)程控制總線技術(shù)的以及友好的用戶界面。SI500可以進(jìn)行200mm的晶圓片刻蝕。單片真空裝片裝置保證了工藝穩(wěn)定性,同時(shí)保證工藝可以靈活切換。
SI500刻蝕機(jī)可以實(shí)現(xiàn)多種材料的刻蝕,包括III-V族化合物半導(dǎo)體,電介質(zhì),石英,玻璃,硅、硅化物和金屬。
SENTECH面向高靈活性和高產(chǎn)能的刻蝕和沉積系統(tǒng)提供各種級別的自動化裝置,從預(yù)真空系統(tǒng)到6端口的多工藝腔室裝置。SI500可以作為多腔室工藝模塊。
型號:SI500
ICP plasma etcher
With vacuum loadlock
For up to 200?mm wafers
Substrate temperature from -20?°C to 300?°C
型號:SI500C
Cryogenic ICP plasma etcher
With transfer chamber and vacuum loadlock
Substrate temperature from -150?°C to 400?°C
型號:SI500-300
ICP plasma etcher
With vacuum loadlock
For 300?mm wafers
型號:SI500-RIE
RIE plasma etcher
Smart solution for He backside cooled etching
Capacitive coupled plasma source,
upgradable to ICP plasma source PTSA 200