高效率的截面研磨
IM4000II配備截面研磨能力達到500 µm/h*1以上的高效率離子槍。因此,即使是硬質材料,也可以高效地制備出截面樣品。
1、即使是由不同硬度以及研磨速度材質所構成的復合材料,也可以通過IM4000Ⅱ制備出平滑的研磨面
2、優(yōu)化加工條件,降低因離子束所致樣品的損傷
3、可裝載20 mm(W) × 12 mm(D) × 7 mm(H)的樣品
直徑約為5mm范圍內的均勻加工
應用領域廣泛
可裝載直徑50 mm × 高度25 mm的樣品
可選擇旋轉和擺動(±60度,±90度的擺動)2種加工方法
去除機械研磨中難以消除的細小劃痕和形變
去除樣品表層部分
消除因FIB加工所致的損傷層
*1 需與主機同時訂購。
*1 僅支持帶有真空轉移交換倉的日立FE-SEM
*2 僅支持真空型日立AFM。
*1 在加速電壓6 kV下,將Si片從遮擋板邊緣突出100 µm并加工1小時的深度
樣品:Si片(2 mm厚)
加速電壓:6.0 kV
擺動角度:±30°
研磨時間:1小時
截面研磨時如果擺動的角度發(fā)生變化,加工的寬度和深度也會發(fā)生變化。下圖為Si片在擺動角度為±15°下進行截面研磨后的結果。除擺動角度以外,其他條件與上述加工條件一致。通過與上面結果進行對比后,可發(fā)現加工的深度變深。
對于觀察目標位于深處的樣品來說,能夠對樣品進行更快速的截面研磨。
樣品:Si片(2 mm厚)
加速電壓:6.0 kV
擺動角度:±15°
研磨時間:1小時
復合型研磨儀
截面研磨
平面研磨
平面研磨的主要用途
產品選配項:
低溫控制功能*1
將液氮裝入杜瓦罐中,以此作為冷卻源間接冷卻樣品。IM4000Ⅱ配有溫度調節(jié)控制功能,以防止樹脂和橡膠樣品過冷。
真空轉移功能
離子研磨加工后的樣品可以在不接觸空氣的狀態(tài)下直接轉移到SEM*1、AFM*2上。真空轉移功能與低溫控制功能可同時使用。(平面研磨真空轉移功能不適用低溫控制功能)。
觀察加工過程的體式顯微鏡
右圖為用于觀察樣品加工過程的體式顯微鏡。搭載了CCD相機的三目型顯微鏡能夠在顯示器上進行觀察。也可配置雙目型體式顯微鏡。
產品規(guī)格:
主要內容 | |
使用氣體 | 氬氣 |
氬氣流量控制方式 | 質量流量控制 |
加速電壓 | 0.0 ~ 6.0 kV |
尺寸 | 616(W) × 736(D) × 312(H) mm |
重量 | 主機53 kg+機械泵30 kg |
截面研磨 | |
研磨速度(Si材料) | 500 µm/h*1以上 |
樣品尺寸 | 20(W)×12(D)×7(H)mm |
樣品移動范圍 | X±7 mm、Y 0 ~+3 mm |
離子束間歇加工功能 開啟/關閉 時間設定范圍 | 1秒 ~ 59分59秒 |
擺動角度 | ±15°、±30°、±40° |
廣域截面研磨功能 | - |
平面研磨 | |
加工范圍 | φ32 mm |
樣品尺寸 | Φ50 X 25 (H) mm |
樣品移動范圍 | X 0~+5 mm |
離子束間歇加工功能 開啟/關閉 時間設定范圍 | 1秒 ~ 59分59秒 |
旋轉速度 | 1 rpm、25 rpm |
擺動角度 | ±60°、± 90° |
傾斜角度 | 0 ~ 90° |
*1 將Si片從遮擋板邊緣突出100 µm并加工1小時的深度。
選配項
項目 | 內容 |
低溫控制功能*2 | 通過液氮間接冷卻樣品,溫度設定范圍:0°C ~ -100°C |
超硬遮擋板 | 使用時間約為標準遮擋板的2倍(不含鈷) |
加工過程觀察用顯微鏡 | 放大倍數 15× ~ 100× 雙目型、三目型(可裝CCD) |
*2 需與主機同時訂購。冷卻溫度控制功能在使用時,部分功能可能使用有限。