設(shè)備概述
反應(yīng)離子刻蝕(RIE)是利用射頻放電使反應(yīng)氣體電離產(chǎn)生活性離子,利用活性離子與工件表面材料進(jìn)行化合生成揮發(fā)性產(chǎn)物被真空泵抽走,從而實現(xiàn)對工件表面材料的去除,屬干法刻蝕設(shè)備。廣泛應(yīng)用于半導(dǎo)體器件、電力電子器件、光電子、太陽能電池、微機(jī)械等領(lǐng)域。
設(shè)備特點
●反應(yīng)壓力恒定、自動控制,工藝重復(fù)性好
●工藝氣體噴淋耦合,刻蝕均勻性好
●工藝過程自動控制,操作簡單、方便
技術(shù)指標(biāo)
●適用晶片尺寸:4"~8";
●均勻性: ± 5%(片內(nèi)), ± 3%(批間)
●基片臺冷卻:水冷
應(yīng)用范圍
用于在基板表面拋光或材料的去除,尤其適用于非金屬材料、氧化物薄膜的快速刻蝕,如多晶硅、SiO2、Si3N4等。