一體型機(jī)臺(tái),結(jié)構(gòu)緊湊,整機(jī)占地空間900mm*1100mm ~ 800mm*1560mm;
基于工控機(jī)的控制方案,自主開發(fā)的全自動(dòng)控制系統(tǒng),可高度定制化;
特點(diǎn):
● 一體型機(jī)臺(tái),結(jié)構(gòu)緊湊,整機(jī)占地空間900mm*1100mm ~ 800mm*1560mm;
● 基于工控機(jī)的控制方案,自主開發(fā)的全自動(dòng)控制系統(tǒng),可高度定制化;
● 機(jī)臺(tái)配置靈活,可作為專用刻蝕機(jī)臺(tái)也可以用于多用途刻蝕機(jī)臺(tái);
● 模塊化設(shè)計(jì),維護(hù)與升級(jí)極其方便;
● 工藝性能*穩(wěn)定。
主要技術(shù)性能指標(biāo):
● 樣片尺寸:2英寸及以下小尺寸碎片和非晶圓樣品、4英寸晶圓、4~6英寸晶圓、8英寸晶圓(可定制12英寸);
● BRF功率源: 300W/500W可調(diào),13.56MHZ;500W/1,000W可調(diào),13.56MHZ;1,000W/2,000W可調(diào),13.56 & 27MHZ;
● 氣體種類: RIE: O2,Ar,CF4,SF6,CHF3(標(biāo)配三路氣體);ICP:H2,CH4,O2,N2,Ar,SF6,CF4,CHF3,C4F8,NF3,NH3,C2F6等;
● 氣體流量控制:MFC;
● 樣片控溫: RIE 10℃~室溫,ICP控溫精度±1℃; -30°C~100°C/200/°C定制;
● 控制系統(tǒng):工控機(jī),板卡結(jié)構(gòu);全自動(dòng)(可定制);
● 交互界面:觸摸屏;
● 蝕刻材料:RIE: 硅、二氧化硅、石英、氮化硅、有機(jī)材料;ICP:硅基材料、金屬材料、有機(jī)材料、三五族和二六族化合物、陶瓷材料等。
主要應(yīng)用:
● 芯片失效分析去層蝕刻(RIE/ICP);
● 光電子三五族材料蝕刻(ICP);
● 深硅蝕刻和圖形加工(ICP);
● 光刻膠等有機(jī)物殘留去除(ICP)。
型號(hào):SHL FA100P-RIE/ SHL FA150E-RIE/ SHL200-ICP/ SHL200S-ICP/ SHL200C-ICP/ SHL200D-ICP
● 一體型機(jī)臺(tái),結(jié)構(gòu)緊湊,整機(jī)占地空間900mm*1100mm ~ 800mm*1560mm;
● 基于工控機(jī)的控制方案,自主開發(fā)的全自動(dòng)控制系統(tǒng),可高度定制化;
● 機(jī)臺(tái)配置靈活,可作為專用刻蝕機(jī)臺(tái)也可以用于多用途刻蝕機(jī)臺(tái);
● 模塊化設(shè)計(jì),維護(hù)與升級(jí)極其方便;
● 工藝性能*穩(wěn)定。
主要技術(shù)性能指標(biāo):
● 樣片尺寸:2英寸及以下小尺寸碎片和非晶圓樣品、4英寸晶圓、4~6英寸晶圓、8英寸晶圓(可定制12英寸);
● BRF功率源: 300W/500W可調(diào),13.56MHZ;500W/1,000W可調(diào),13.56MHZ;1,000W/2,000W可調(diào),13.56 & 27MHZ;
● 氣體種類: RIE: O2,Ar,CF4,SF6,CHF3(標(biāo)配三路氣體);ICP:H2,CH4,O2,N2,Ar,SF6,CF4,CHF3,C4F8,NF3,NH3,C2F6等;
● 氣體流量控制:MFC;
● 樣片控溫: RIE 10℃~室溫,ICP控溫精度±1℃; -30°C~100°C/200/°C定制;
● 控制系統(tǒng):工控機(jī),板卡結(jié)構(gòu);全自動(dòng)(可定制);
● 交互界面:觸摸屏;
● 蝕刻材料:RIE: 硅、二氧化硅、石英、氮化硅、有機(jī)材料;ICP:硅基材料、金屬材料、有機(jī)材料、三五族和二六族化合物、陶瓷材料等。
● 芯片失效分析去層蝕刻(RIE/ICP);
● 光電子三五族材料蝕刻(ICP);
● 深硅蝕刻和圖形加工(ICP);
● 光刻膠等有機(jī)物殘留去除(ICP)。