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產(chǎn)品|公司|采購|招標(biāo)

廣電計量檢測集團(tuán)股份有限公司

標(biāo)準(zhǔn)型感應(yīng)耦合等離子體刻蝕機(jī)(ICP)

參考價面議
具體成交價以合同協(xié)議為準(zhǔn)
  • 公司名稱北京金盛微納科技有限公司
  • 品       牌
  • 型       號
  • 所  在  地
  • 廠商性質(zhì)其他
  • 更新時間2022/12/12 16:29:38
  • 訪問次數(shù)562
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       北京金盛微納科技有限公司為國家、中關(guān)村,中國真空學(xué)會理事單位,中國電子專用設(shè)備工業(yè)協(xié)會、中國微米納米技術(shù)學(xué)會會員單位。主要從事半導(dǎo)體設(shè)備、微細(xì)加工設(shè)備的產(chǎn)品研制、設(shè)計開發(fā)、生產(chǎn)銷售,并開展相關(guān)工藝的研究及應(yīng)用。主要產(chǎn)品有:勻膠機(jī)(SC)、烘膠臺(BP)、曝光機(jī)、刻蝕機(jī)(RIE、ICP、IBE)、等離子體淀積臺(PECVD)、磁控濺射臺(Sputter)、去膠機(jī)、濺射/刻蝕/淀積一體機(jī)、鍵合爐等。產(chǎn)品應(yīng)用范圍涉及微電子、光電子、LED、MEMS、傳感器、平板顯示、通訊等領(lǐng)域,主要用于科研機(jī)構(gòu)、大專院校、生產(chǎn)企業(yè)和公司進(jìn)行各種器件的研究、開發(fā)和批量生產(chǎn)。公司建有“微細(xì)加工工藝示范線”以“開放實驗室”的形式對各大專院校、研究院所、企業(yè)等相關(guān)研究、生產(chǎn)單位開放。在“開放實驗室”里用戶可獲得:設(shè)備選型、項目預(yù)研與立項、合作攻關(guān)、工藝培訓(xùn)、外協(xié)加工等服務(wù)支持。


公司特點

產(chǎn)品成線:公司可提供面向用戶研發(fā)與生產(chǎn)的工藝線上的核心設(shè)備,從勻烘系列、光刻系列、刻蝕系列、鍍膜系列、去膠、鍵合系列到組合設(shè)備。設(shè)備產(chǎn)品成線奠定了產(chǎn)品研發(fā)和生產(chǎn)過程中設(shè)備的協(xié)同,提供了研發(fā)和生產(chǎn)有效的工藝、工序保障。

產(chǎn)品立體化:公司依據(jù)不同科研單位、大專院校和生產(chǎn)企業(yè)的需求,生產(chǎn)標(biāo)準(zhǔn)(手動)設(shè)備、自動設(shè)備、具有LOAD-LOCK功能的全自動設(shè)備,以及為特定用戶個性化生產(chǎn)的組合設(shè)備。以此形成滿足不同層面、不同個性化需求的立體化設(shè)備產(chǎn)品體系,自動化設(shè)備以及內(nèi)嵌的專家工藝,為產(chǎn)品生產(chǎn)的穩(wěn)定性、工藝的重復(fù)性提供了有效的硬件基礎(chǔ),使之更好地應(yīng)用于科研和生產(chǎn)。

產(chǎn)品與工藝配套:依托公司完備的設(shè)備基礎(chǔ)和優(yōu)勢的工藝力量,公司在產(chǎn)品設(shè)備上,開發(fā)了相應(yīng)工藝,使之達(dá)到設(shè)備和工藝的結(jié)合,讓用戶獲得效果及解決方案。公司的“開放試驗室”還可提供完善、便捷的售后服務(wù)、技術(shù)支持,由此形成了既無前憂又無后顧的產(chǎn)品服務(wù)環(huán)境,成為公司產(chǎn)品占有市場的又一利器。


詳細(xì)描述本設(shè)備具有選擇比好,刻蝕速度快、重復(fù)性好等特點,它較RIE具有更好的綜合刻蝕效果且應(yīng)用范圍更廣
標(biāo)準(zhǔn)型感應(yīng)耦合等離子體刻蝕機(jī)(ICP) 產(chǎn)品信息

詳細(xì)描述

本設(shè)備具有選擇比好,刻蝕速度快、重復(fù)性好等特點,它較RIE具有更好的綜合刻蝕效果且應(yīng)用范圍更廣??煽涛g的材料主要有Poly-Si、Si、SiO2、Si3N4、W、Mo、GaN、GaAs等。

本設(shè)備主要用于微電子、光電子、通訊、微機(jī)等領(lǐng)域的器件研發(fā)和制造。


產(chǎn)品主要性能指標(biāo) 


型號

ICP-2B

真空系統(tǒng)

分子泵機(jī)組

刻蝕室數(shù)量

單室

刻蝕室規(guī)格

?300×280mm

電極尺寸

?200mm

刻蝕材料

Poly-Si、Si、SiO2、Si3N4、W、Mo、GaN、GaAs等。

刻蝕速率

~4 μ/min (與刻蝕材料和工藝有關(guān))

刻蝕不均勻性

≤±5%

深硅刻蝕控制單元

可選

操作方式

手動

 

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