詳細描述
本產(chǎn)品具有三種功能:等離子體刻蝕(PE)、反應離子刻蝕(RIE)、感應耦合等離子體刻蝕(ICP)。其刻蝕原理不盡相同,既有純化學的,也有物理與化學相結(jié)合的模式。它既可以進行細線條(納米)加工,又可以進行體加工。
本設備具有選擇比好,刻蝕速度快、重復性好等特點,它較RIE具有更好的綜合刻蝕效果且應用范圍更廣??煽涛g的材料主要有Poly-Si、Si、SiO2、Si3N4、W、Mo、GaN、GaAs等。
本產(chǎn)品通過對真空系統(tǒng)、工作壓強、射頻電源匹配、氣體流量及工藝過程的全自動控制,使工藝的重復性、穩(wěn)定性、可靠性得到有效保證,并能精確地控制圖形的剖面,從而獲得好的刻蝕效果。
本設備的數(shù)字化參數(shù)界面和自動化操作方式為用戶提供了優(yōu)良的研發(fā)和生產(chǎn)平臺。
本設備所增加的進樣室和機械手自動取送片裝置使設備的自動化程度更高,并能使刻蝕室的真空與工作環(huán)境得以改善,體刻蝕效果更佳。
本產(chǎn)品通過軟、硬件相互配合的互鎖、智能監(jiān)控、在線狀態(tài)記憶、斷點保護等設計,結(jié)合各種硬保護裝置、使設備的安全性、可靠性得到有效保證。
本設備主要用于微電子、光電子、通訊、微機等領(lǐng)域的器件研發(fā)和制造。
產(chǎn)品主要性能指標
型號 | ICP-5100 |
真空系統(tǒng) | 進樣室:機械泵系統(tǒng);刻蝕室:分子泵機組 |
刻蝕室數(shù)量 | 單室 |
刻蝕室規(guī)格 | ?300×280mm |
電極尺寸 | ? |
刻蝕材料 | Poly-Si、Si、SiO2、Si3N4、Au、Al、W、Mo、GaN、GaAs等 |
刻蝕速率 | ~4 μ/min (與刻蝕材料和工藝有關(guān)) |
刻蝕不均勻性 | ≤±5% |
自動化程度 | 真空系統(tǒng)、機械手送/取樣片、下游壓力閉環(huán)控制、射頻電源、氣體流量、工藝過程全自動控制。 |
人機界面 | Windows環(huán)境、觸摸屏操作 |
操作方式 | 全自動方式、非全自動方式 |
自動化裝置的選配 | 可選擇進口件或國產(chǎn)件 |