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(帶Load_Lock裝置)全自動型感應耦合等離子體刻蝕機(ICP)

參考價面議
具體成交價以合同協(xié)議為準
  • 公司名稱北京金盛微納科技有限公司
  • 品       牌
  • 型       號
  • 所  在  地
  • 廠商性質(zhì)其他
  • 更新時間2022/12/10 15:51:59
  • 訪問次數(shù)328
產(chǎn)品標簽:

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       北京金盛微納科技有限公司為國家、中關(guān)村,中國真空學會理事單位,中國電子專用設備工業(yè)協(xié)會、中國微米納米技術(shù)學會會員單位。主要從事半導體設備、微細加工設備的產(chǎn)品研制、設計開發(fā)、生產(chǎn)銷售,并開展相關(guān)工藝的研究及應用。主要產(chǎn)品有:勻膠機(SC)、烘膠臺(BP)、曝光機、刻蝕機(RIE、ICP、IBE)、等離子體淀積臺(PECVD)、磁控濺射臺(Sputter)、去膠機、濺射/刻蝕/淀積一體機、鍵合爐等。產(chǎn)品應用范圍涉及微電子、光電子、LED、MEMS、傳感器、平板顯示、通訊等領(lǐng)域,主要用于科研機構(gòu)、大專院校、生產(chǎn)企業(yè)和公司進行各種器件的研究、開發(fā)和批量生產(chǎn)。公司建有“微細加工工藝示范線”以“開放實驗室”的形式對各大專院校、研究院所、企業(yè)等相關(guān)研究、生產(chǎn)單位開放。在“開放實驗室”里用戶可獲得:設備選型、項目預研與立項、合作攻關(guān)、工藝培訓、外協(xié)加工等服務支持。


公司特點

產(chǎn)品成線:公司可提供面向用戶研發(fā)與生產(chǎn)的工藝線上的核心設備,從勻烘系列、光刻系列、刻蝕系列、鍍膜系列、去膠、鍵合系列到組合設備。設備產(chǎn)品成線奠定了產(chǎn)品研發(fā)和生產(chǎn)過程中設備的協(xié)同,提供了研發(fā)和生產(chǎn)有效的工藝、工序保障。

產(chǎn)品立體化:公司依據(jù)不同科研單位、大專院校和生產(chǎn)企業(yè)的需求,生產(chǎn)標準(手動)設備、自動設備、具有LOAD-LOCK功能的全自動設備,以及為特定用戶個性化生產(chǎn)的組合設備。以此形成滿足不同層面、不同個性化需求的立體化設備產(chǎn)品體系,自動化設備以及內(nèi)嵌的專家工藝,為產(chǎn)品生產(chǎn)的穩(wěn)定性、工藝的重復性提供了有效的硬件基礎(chǔ),使之更好地應用于科研和生產(chǎn)。

產(chǎn)品與工藝配套:依托公司完備的設備基礎(chǔ)和優(yōu)勢的工藝力量,公司在產(chǎn)品設備上,開發(fā)了相應工藝,使之達到設備和工藝的結(jié)合,讓用戶獲得效果及解決方案。公司的“開放試驗室”還可提供完善、便捷的售后服務、技術(shù)支持,由此形成了既無前憂又無后顧的產(chǎn)品服務環(huán)境,成為公司產(chǎn)品占有市場的又一利器。


詳細描述本產(chǎn)品具有三種功能:等離子體刻蝕(PE)、反應離子刻蝕(RIE)、感應耦合等離子體刻蝕(ICP)
(帶Load_Lock裝置)全自動型感應耦合等離子體刻蝕機(ICP) 產(chǎn)品信息

詳細描述

本產(chǎn)品具有三種功能:等離子體刻蝕(PE)、反應離子刻蝕(RIE)、感應耦合等離子體刻蝕(ICP)。其刻蝕原理不盡相同,既有純化學的,也有物理與化學相結(jié)合的模式。它既可以進行細線條(納米)加工,又可以進行體加工。

本設備具有選擇比好,刻蝕速度快、重復性好等特點,它較RIE具有更好的綜合刻蝕效果且應用范圍更廣??煽涛g的材料主要有Poly-Si、Si、SiO2、Si3N4、W、Mo、GaN、GaAs等。

本產(chǎn)品通過對真空系統(tǒng)、工作壓強、射頻電源匹配、氣體流量及工藝過程的全自動控制,使工藝的重復性、穩(wěn)定性、可靠性得到有效保證,并能精確地控制圖形的剖面,從而獲得好的刻蝕效果。

本設備的數(shù)字化參數(shù)界面和自動化操作方式為用戶提供了優(yōu)良的研發(fā)和生產(chǎn)平臺。 

本設備所增加的進樣室和機械手自動取送片裝置使設備的自動化程度更高,并能使刻蝕室的真空與工作環(huán)境得以改善,體刻蝕效果更佳。 

本產(chǎn)品通過軟、硬件相互配合的互鎖、智能監(jiān)控、在線狀態(tài)記憶、斷點保護等設計,結(jié)合各種硬保護裝置、使設備的安全性、可靠性得到有效保證。 

本設備主要用于微電子、光電子、通訊、微機等領(lǐng)域的器件研發(fā)和制造。

 

產(chǎn)品主要性能指標


型號

ICP-5100

真空系統(tǒng)

進樣室:機械泵系統(tǒng);刻蝕室:分子泵機組

刻蝕室數(shù)量

單室

刻蝕室規(guī)格

?300×280mm

電極尺寸

?200mm

刻蝕材料

Poly-Si、Si、SiO2、Si3N4、Au、Al、W、Mo、GaN、GaAs等

刻蝕速率

~4 μ/min (與刻蝕材料和工藝有關(guān))

刻蝕不均勻性

≤±5%

自動化程度

真空系統(tǒng)、機械手送/取樣片、下游壓力閉環(huán)控制、射頻電源、氣體流量、工藝過程全自動控制。

人機界面

Windows環(huán)境、觸摸屏操作

操作方式

全自動方式、非全自動方式

自動化裝置的選配

可選擇進口件或國產(chǎn)件

 

關(guān)鍵詞:人機界面
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