多入射角激光橢偏儀
研發(fā)領(lǐng)域?qū)Ｓ玫亩嗳肷浣羌す鈾E偏儀，采用多項(xiàng)技術(shù)，儀器硬件和軟件具有多項(xiàng)定制功能設(shè)計(jì)，適用于光面或絨面納米薄膜測(cè)量、塊狀固體參數(shù)測(cè)量、快速變化的納米薄膜實(shí)時(shí)測(cè)量等不同的應(yīng)用場(chǎng)合。 產(chǎn)品特點(diǎn)： 1.高精度、高穩(wěn)定性 2.一體化集成設(shè)計(jì) 3.測(cè)量簡單 4.快速、高精度樣品方位對(duì)準(zhǔn) 5.多角度測(cè)量 6.實(shí)時(shí)測(cè)量 7.豐富的材料庫及物理模型 8.強(qiáng)大的數(shù)據(jù)分析和管理功能 應(yīng)用領(lǐng)域： 可應(yīng)用于納米薄膜的幾乎所有領(lǐng)域，如微電子、半導(dǎo)體、生命科學(xué)、電化學(xué)、顯示技術(shù)、磁介質(zhì)及金屬處理等?？蓪?duì)納米層構(gòu)樣品的薄膜厚度和折射率n及消光系數(shù)k進(jìn)行快速、高精度、高準(zhǔn)確度的測(cè)量，尤其適用于科研和工業(yè)產(chǎn)品環(huán)境中的新品研發(fā)及質(zhì)量監(jiān)控，可用于表征單層納米薄膜、多層納米層構(gòu)模系，以及塊狀材料（基底）。
技術(shù)指標(biāo)：
| 激光波長 | 632.8nm(He-Ne laser) |
| 膜層厚度精度 | 0.01nm(對(duì)于Si 基底上110nm 的SiO2 膜層 |
| 折射率精度 | 1x10-4 （對(duì)于Si 基底上110nm 的SiO2 膜層 |
| 光學(xué)結(jié)構(gòu) | PSCA |
| 激光光束直徑 | <1mm |
| 入射角度 | 40°-90°可選，步進(jìn)5° |
| 樣品方位調(diào)整 | 三維平移調(diào)節(jié)；±6.5mm（X-Y-Z三軸） 二維俯仰調(diào)節(jié)：±4° 光學(xué)自準(zhǔn)直系統(tǒng)對(duì)準(zhǔn) |
| 樣品臺(tái)尺寸 | Φ 170mm |
| 單次測(cè)量時(shí)間 | 0.2s |
| 推薦測(cè)量范圍 | 0-6000nm |
| 外形尺寸（長x寬x高） | 887x332x552mm(入射角為90°時(shí) |
| 儀器重量（凈重） | 25kg |
