HF刻蝕 均勻性 刻蝕速率均一性: 基板內 : ≤ 8% 基板間 : 3% 批次間 : 3% 基板邊緣保證距離:≤5mm O3成膜 均勻性 刻蝕速率均一性: 基板內 : ≤ 8% 基板間 : 4% 批次間 : 4% 基板邊緣保證距離:≤5mm 玻璃表面 接觸角 ≤ 5° Pure Glass 基板邊緣保證距離:≤5mm Particle 管控 清洗后顆粒 A: 總顆粒數(shù) ≤15,M+L≤5,L≤0(S:1~3μm M:3~5μm,L:5μm) B: 顆粒增加 :0 C: 顆粒去除率 >98% 設備流程 Robot Input→EUV→Buffer→Lift+Rinse+Turn→O3→Lift+Rinse+Turn→HF→Lift+Rinse+Turn→O3→Lift+Rinse+Turn→Final Rinse+BJ→AK→Robot Output 優(yōu)勢 節(jié)約空間; 功能完備,除產(chǎn)能外,性能等同量產(chǎn)線,特別適合用于產(chǎn)能要求不高的研發(fā)線; 價格低廉,使用方便,各個模塊獨立可獨立設置運行。
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