英國Oxford 反應離子刻蝕機PlasmaPro 800 RIE
概述:
PlasmaPro 800系列是結構緊湊、且使用方便的直開式系統(tǒng),該系統(tǒng)為大批量晶圓和300mm晶圓上的反應離子蝕刻(RIE)工藝提供了靈活的解決方案。大尺寸的晶圓平臺能夠處理量產(chǎn)級別的批量以及300mm晶圓的工藝。
高性能工藝
準確的襯底溫度控制
準確的工藝控制
成熟的300mm單晶圓失效分析工藝
選項
PlasmaPro 800 PECVD
旨在生產(chǎn)高質量的均勻介質薄膜。PECVD 中的應力控制是由可選的或者混合的高/低頻等離子體源提供的, 使通過調(diào)整工藝得到具有張應力,壓應力或者低應力的沉積薄膜成為可能。
PlasmaPro 800 RIE/PE:在同一設備上結合了RIE的各向異性和 PE模式刻蝕的高選擇性。
PlasmaPro 800 RIE:成熟的干法刻蝕廣泛應用于整個工業(yè)領域。
特征:
為化合物半導體、光電子和光子學應用提供了的工藝靈活性,PlasmaPro 800 可提供:
大型下電極 - 低成本
刻蝕終點監(jiān)測 - 可靠性和可維護性俱佳
通過激光干涉儀與/或發(fā)射光譜進行終點監(jiān)測 - 增強刻蝕控制
可選擇帶有4-、8-或12-條氣路的氣柜 - 可提供靈活的工藝和工藝氣體,可以與主機分離,放置在遠端服務區(qū)
近距離耦合渦輪泵 - 提供*的泵送速度加快氣體的流動速度
數(shù)據(jù)記錄 - 追溯腔室的歷史狀態(tài)以及工藝條件
液體冷卻和/或電加熱電極 - 出色的電極溫度控制和穩(wěn)定性
應用:
使用我們的具有特殊配置的失效分析設備進行干法刻蝕解剖工藝 —— 具有RIE和 PE兩種模式
RIE/PE工藝涵蓋了從封裝好的芯片和裸芯片到整片300mm晶圓刻蝕
高質量的PECVD 沉積的SiNx和SiO2薄膜 ,適用于光子學、介電層鈍化和諸多其它領域
SiO2,SiNx和石英刻蝕
金屬和聚酰亞胺有機物刻蝕
用于高亮度LED生產(chǎn)的鈍化沉積
III-V族刻蝕工藝