高溫納米壓痕儀二級(jí)真空平臺(tái)
優(yōu)點(diǎn):
采用主動(dòng)參比技術(shù),極大降低 了熱漂移;
(400 °C下,小于 10 nm/min )
的材料設(shè)計(jì),無熱膨脹;
兩套獨(dú)立的載荷位移傳感器;
采用熱量反射屏蔽罩設(shè)計(jì)及壓痕測(cè)量水循環(huán)冷卻系統(tǒng);
高的框架剛度 (大于 10 8 N/m);
集成真空腔,允許測(cè)試樣品的真空度可達(dá)到5 x 10 -7 mbar。
技術(shù)參數(shù):
HT-UNHT超納米壓痕儀可選擇兩種不同范圍的加熱平臺(tái)。
UNHT超納米壓痕儀
載荷范圍 100 mN
載荷分辨率 0.001uN
加載速率 10’000 mN/min
保載時(shí)間 無限制
位移 100um
位移分辨率 0.0003 nm
400°C加熱臺(tái) 200°C加熱臺(tái)
加熱速度: 0.1°C/min 到 90°C/min 加熱速度: 0.1°C/min 到 90°C/min
溫度穩(wěn)定性 : 小于0.1°C 溫度穩(wěn)定性 : 小于0.1°C
樣品尺寸: 25 mm圓盤 樣品尺寸: 25 mm x 50 mm
優(yōu)點(diǎn):
采用主動(dòng)參比技術(shù),極大降低 了熱漂移;
(400 °C下,小于 10 nm/min )
的材料設(shè)計(jì),無熱膨脹;
兩套獨(dú)立的載荷位移傳感器;
采用熱量反射屏蔽罩設(shè)計(jì)及壓痕測(cè)量水循環(huán)冷卻系統(tǒng);
高的框架剛度 (大于 10 8 N/m);
集成真空腔,允許測(cè)試樣品的真空度可達(dá)到5 x 10 -7 mbar。
技術(shù)參數(shù):
HT-UNHT超納米壓痕儀可選擇兩種不同范圍的加熱平臺(tái)。
UNHT超納米壓痕儀
載荷范圍 100 mN
載荷分辨率 0.001uN
加載速率 10’000 mN/min
保載時(shí)間 無限制
位移 100um
位移分辨率 0.0003 nm
400°C加熱臺(tái) 200°C加熱臺(tái)
加熱速度: 0.1°C/min 到 90°C/min 加熱速度: 0.1°C/min 到 90°C/min
溫度穩(wěn)定性 : 小于0.1°C 溫度穩(wěn)定性 : 小于0.1°C
樣品尺寸: 25 mm圓盤 樣品尺寸: 25 mm x 50 mm