硅片紅外探傷系統(tǒng)
太陽能多晶硅晶片和單晶硅晶片的生產(chǎn)過程涉及到機械，濕化學(xué)，熱學(xué)和電子物理過程，從硅碇上切割下的晶片，進行蝕刻，摻雜。所有這些工藝過程，以及工藝間的晶片搬運，都會引入應(yīng)力，從而導(dǎo)致晶片的缺陷。例如 微裂紋（包括硅片表層內(nèi)部的微裂紋）、針孔、雜質(zhì)、污垢、內(nèi)部氣泡等。 在制作電池片以前，必須對晶片進行檢測分級，穩(wěn)定可靠的識別缺陷。 右圖的樣品顯示的微裂紋，由于機械拉伸引起。這類缺陷非常嚴重，因為裂紋就是潛在的斷裂點。

晶片檢測的在線和離線解決方案
本晶片檢測系統(tǒng)依據(jù)太陽能光伏工業(yè)需求進行設(shè)計，可集成到生產(chǎn)線上實現(xiàn)在線檢測，也可構(gòu)建獨立離線式檢測系統(tǒng)對一批晶片的缺陷進行檢測。 這兩種情況都不需要生產(chǎn)線停頓，都可在生產(chǎn)運轉(zhuǎn)中實現(xiàn)測試。 為了提供精確、穩(wěn)定的檢測結(jié)果，系統(tǒng)利用高分辨率的行掃描攝像頭，利用增強型近紅外光譜，并配備近紅外光學(xué)優(yōu)化透鏡，利用LED光源（避免鹵素光源照明的缺點），獲取穩(wěn)定、高分辨率圖象，實現(xiàn)精確檢測。 強大功能的缺陷分析處理軟件，包括信息預(yù)處理，濾波算法，以及高效的圖象數(shù)據(jù)分析處理算法分辨出灰度圖象非常近似的晶格和微裂紋。避免良品誤判，也避免缺陷晶片混入到下一步工藝— 電池片的生產(chǎn)中。 增加良率，確保有效的質(zhì)量控制，降低了成本，從而實現(xiàn)了生產(chǎn)效率的提高。

技術(shù)參數(shù)
晶片規(guī)格 5〞~6〞/100um~250um厚度
數(shù)據(jù)采集 ＜=1s （圖象記錄時間）
測試節(jié)拍 ＜=1.2 s （連續(xù)兩片晶圓間的間隔）
測試周期 ＜=2s（從開始檢測到檢測結(jié)果顯示）
缺陷類型 微裂紋，大裂紋，針孔，雜質(zhì)
光學(xué)裝置
攝像頭 高分辨率線陣攝像頭，4096象素
分辨率 40um/象素
照明 LED條形光源（近紅外光）
透鏡 高分辨率透鏡
電子設(shè)備
-PC 19〞工業(yè)PC，WinXP操作系統(tǒng)，19〞顯示器
-UPS電源 PC和攝像頭使用不間斷電源（UPS）
接口 數(shù)字I/0接口，24V光耦合信號
網(wǎng)絡(luò) 10/100/1000 Mbit,RJ 45 連接頭
電源 115~230VAC/50-60Hz/＜1200W
尺寸
測量傳感器部分 400mm×500mm×500mm（寬長高），或采用客戶定制尺寸
照明部分 400 mm×400mm×200mm（寬長高），或采用客戶定制尺寸

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