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ICP-2B型標(biāo)準(zhǔn)電感耦合等離子體刻蝕機(jī)

參考價(jià)面議
具體成交價(jià)以合同協(xié)議為準(zhǔn)
  • 公司名稱(chēng)武漢賽斯特精密儀器有限公司
  • 品       牌其他品牌
  • 型       號(hào)
  • 所  在  地武漢市
  • 廠商性質(zhì)生產(chǎn)廠家
  • 更新時(shí)間2020/11/16 21:42:33
  • 訪問(wèn)次數(shù)304
產(chǎn)品標(biāo)簽:

耦合等離子體刻蝕機(jī)

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     武漢賽斯特精密儀器有限公司是武漢市專(zhuān)業(yè)研發(fā),以力學(xué)試驗(yàn)機(jī)儀器為主,同時(shí)銷(xiāo)售各種、中低端分析儀器?,F(xiàn)有員工60多人,公司成功開(kāi)發(fā)了PCI放大采集卡和中文版試驗(yàn)軟件,并采用全數(shù)字化,操作簡(jiǎn)捷,*符合GB、ISO、JIS、ASTM、DIN等標(biāo)準(zhǔn)、國(guó)家標(biāo)準(zhǔn)、行業(yè)標(biāo)準(zhǔn)的要求,公司亦通過(guò)了ISO9001質(zhì)量體系認(rèn)證和國(guó)家計(jì)量體系認(rèn)證,榮獲了“武漢市第九界消費(fèi)者滿意單位”的稱(chēng)號(hào)。
 
    產(chǎn)品廣泛應(yīng)用于電子、高校、研究機(jī)構(gòu)、環(huán)保機(jī)構(gòu)、航天、石油化工、紡織制造、第三方檢測(cè)機(jī)構(gòu)、研究院、新能源、集成電路、芯片、封裝測(cè)試、半導(dǎo)體行業(yè)、顯示器領(lǐng)域、光電材料、鋰電池、機(jī)械生產(chǎn)等領(lǐng)域。并與武漢理工大學(xué)、華中科技大學(xué)等建立了長(zhǎng)期合作,每年投入大量研究經(jīng)費(fèi),招攬各方技術(shù)人才加盟突破國(guó)內(nèi)技術(shù)壁壘,不斷攻克新的技術(shù)難題,另外公司還積極拓展海外業(yè)務(wù),產(chǎn)品遠(yuǎn)銷(xiāo)越南,印度,埃及等國(guó)家和地區(qū)。
 
    本著“專(zhuān)業(yè)品質(zhì),專(zhuān)業(yè)服務(wù)”為宗旨,以“科技、品質(zhì)、競(jìng)爭(zhēng)、創(chuàng)新”為理念,通過(guò)不斷汲取新的技術(shù),新的理念,繼續(xù)開(kāi)發(fā)研制新產(chǎn)品,并為廣大客戶提供優(yōu)質(zhì)的售前,售中,售后服務(wù)。熱烈歡迎廣大新老朋友業(yè)函,來(lái)電,蒞臨我公司參觀指導(dǎo)!
檢測(cè)儀器全套,測(cè)試設(shè)備全套等
加工定制
本設(shè)備為單室高真空系統(tǒng),它主要由真空系統(tǒng)、氣路系統(tǒng)、電氣系統(tǒng)、射頻電源系統(tǒng)、冷卻系統(tǒng)、報(bào)警系統(tǒng)等組成。
ICP-2B型標(biāo)準(zhǔn)電感耦合等離子體刻蝕機(jī)
ICP-2B型標(biāo)準(zhǔn)電感耦合等離子體刻蝕機(jī) 產(chǎn)品信息

 一.  系統(tǒng)描述

本設(shè)備為單室高真空系統(tǒng),它主要由真空系統(tǒng)、氣路系統(tǒng)、電氣系統(tǒng)、射頻電源系統(tǒng)、冷卻系統(tǒng)、報(bào)警系統(tǒng)等組成。

    真空系統(tǒng)由一個(gè)分子泵(抽速600升/秒)+ 一個(gè)直聯(lián)旋片式真空泵(抽速9升/秒)組成抽氣系統(tǒng), 將真空室抽至高真空, 分子泵與真空室之間裝有一個(gè)手動(dòng)插板閥, 直聯(lián)旋片式真空泵為真空室予抽泵及分子泵前級(jí)泵。直聯(lián)旋片式真空泵與真空室之間及與分子泵之間均采用不銹鋼硬管及波紋管連接, 并裝有電磁氣動(dòng)隔斷閥。

射頻電源采用國(guó)產(chǎn)雙電源控制。

氣路系統(tǒng)采用四個(gè)質(zhì)量流量控制器控制四路氣體進(jìn)氣。氣體管路采用1/4英寸不銹鋼硬管,管路接頭連接形式采用雙卡套連接。

本設(shè)備設(shè)有安全保護(hù)及報(bào)警系統(tǒng)。

二. 技術(shù)指標(biāo)

1.極限真空度:  9×10-5Pa(環(huán)境濕度≤55%)

2. 刻蝕材料:   Si, SiO2, Si3N4等

3. 刻蝕速率:  0.01 ~ 2μ/min

  4. 刻蝕均勻性: ≤±5% (φ120mm范圍內(nèi))

5. 電極尺寸:   φ200mm

6. 反應(yīng)室尺寸:φ300×280mm

三.設(shè)備配置

1. 真空泵源:  分子泵一臺(tái)(抽速600升/秒)

               直聯(lián)旋片式真空泵一臺(tái)(抽速9升/秒)

2.真空閥門(mén): 150口徑氣動(dòng)插板閥壹個(gè)

           40口徑高真空電磁氣動(dòng)隔斷閥兩個(gè)

           機(jī)械泵口壓差閥壹個(gè)

3. 射頻功率源:  射頻電源(國(guó)產(chǎn))二套

4. 氣路系統(tǒng):   四臺(tái)質(zhì)量流量計(jì)(國(guó)產(chǎn))控制四路進(jìn)氣

5. 真空測(cè)量: 復(fù)合真空計(jì)一臺(tái)

 

ICP-2B型標(biāo)準(zhǔn)電感耦合等離子體刻蝕機(jī)

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