Pluto-MC 真空等離子體涂覆(鍍膜)設備
產(chǎn)品簡介:
Pluto-MC利用等離子體改性時,將試樣置于特定的離子處理裝置中,通過高能態(tài)的等離子轟擊試樣的表面,將能量傳遞給試樣表層的分子,使試樣發(fā)生熱蝕、交聯(lián)、降解和氧化反應,并使試樣表面發(fā)生C-F鍵和C-C鍵的斷裂,產(chǎn)生大量自由基或引進某些極性基團,從而優(yōu)化試樣表面的性能。
產(chǎn)品特點:
Pluto-MC利用等離子體改性時,將試樣置于特定的離子處理裝置中,通過高能態(tài)的等離子轟擊試樣的表面,將能量傳遞給試樣表層的分子,使試樣發(fā)生熱蝕、交聯(lián)、降解和氧化反應,并使試樣表面發(fā)生C-F鍵和C-C鍵的斷裂,產(chǎn)生大量自由基或引進某些極性基團,從而優(yōu)化試樣表面的性能。
等離子體對其改性的主要途徑是引發(fā)表面接枝,具體方法是用非聚合氣體(如Ar,H2,O2,N2和空氣等)對樣品表面進行等離子體處理,使其表而形成活性自由基,之后利用活性自由基引發(fā)功能性單體,使其在表面進行接枝聚合
利用沉淀反應進行表面改性,這是工業(yè)上目前應用比較多的方法。
Pluto-MC 真空等離子體涂覆(鍍膜)設備產(chǎn)品特點:
1. 在現(xiàn)有設備基礎上,增加涂覆組件,可升級配置
2. 高精度控制,多參數(shù)設置,可控性佳
3. 已經(jīng)有成熟的應用,可提供疏水涂覆材料
4. 都有電極間距可調(diào)設計,反應程度可控,有效控制涂覆效率
5. 可根據(jù)客戶需求,定制和設計工藝
系統(tǒng)組件設有儲料腔、加熱裝置、保溫裝置和流量控制裝置。
儲料腔設計為可拆結構,便于清洗和更換不同的原料;
加熱裝置可氣化反應物質(zhì),并保持一定溫度;
流量控制裝置對反應物進行流量控制,使氣氛按需要的氣量喂入到反應腔內(nèi)
技術參數(shù):
● 加液容積:10-150ml
● 溫控范圍:加熱(室溫~200℃)保溫(室溫~200℃)
● 流量控制:轉子流量計
● 管路:至多4路氣體(同時可通入4種物質(zhì))
● 電源電壓:交流220V