深圳海納光學(xué)專(zhuān)業(yè)代理以色列DUMA大功率激光光束質(zhì)量分析儀。近年來(lái)大功率激光光束質(zhì)量的測(cè)量一直是激光行業(yè)的一個(gè)難點(diǎn)和痛點(diǎn)。無(wú)論是CMOS/CCD傳感器還是刀口式檢測(cè)原理,都無(wú)法承受大功率激光的直接接收,因?yàn)镃MOS傳感器或者CCD傳感器的靈敏度都很高,僅可以承受到微瓦到毫瓦的功率范圍,這使得大功率激光無(wú)法實(shí)現(xiàn)直接檢測(cè),這會(huì)導(dǎo)致因激光功率過(guò)高而直接損壞傳感器,哪怕使用衰減片(ND)仍無(wú)法滿(mǎn)足,甚至需要配合多個(gè)衰減片進(jìn)行一個(gè)整體組合后才可使用,這會(huì)使得激光整體模式受到不可估計(jì)的影響。
以色列DUMA公司近期研制出一款風(fēng)冷采樣器,通過(guò)壓縮空氣降溫的原理來(lái)實(shí)現(xiàn)冷卻。該采樣器可以提供1.1×10-5的采樣效率,相比于衰減片(ND)而言,效率更高,且適用于多種場(chǎng)合。該采樣器可以與現(xiàn)有光束質(zhì)量分析儀相匹配,出廠(chǎng)即完成裝配,可以滿(mǎn)足用戶(hù)對(duì)于高功率激光的檢測(cè),對(duì)于連續(xù)激光,可承受4KW的功率。
我司為用戶(hù)提供兩種系列大功率激光光束質(zhì)量分析儀,LAM和M2-Beam,其中LAM可用于檢測(cè)工作面上的聚焦激光,其檢測(cè)原理為刀口式測(cè)量原理,僅可檢測(cè)連續(xù)激光(CW),M2-Beam的普通型號(hào)同樣采取刀口式測(cè)量原理。當(dāng)然,為了滿(mǎn)足用戶(hù)對(duì)于脈沖激光(Pulsed)的檢測(cè)需求,我們也提供CMOS傳感器版本(-U3型號(hào))。
以上機(jī)型均可安裝風(fēng)冷采樣器,SAM-HP-M。需要注意的是,在測(cè)量大功率激光時(shí),連續(xù)曝光時(shí)間不能超過(guò)5s。并且高功率機(jī)型出廠(chǎng)后,風(fēng)冷采樣器處于已裝配狀態(tài),原則上講我們不提倡用戶(hù)將其拆卸,因?yàn)槠渲猩婕暗浇邮諏?duì)準(zhǔn)和安裝工藝問(wèn)題,這會(huì)導(dǎo)致拆卸后無(wú)法安裝的問(wèn)題存在,基于更小的靈敏度,儀器哪怕裝載了風(fēng)冷采樣器,對(duì)于小功率激光仍具備一定的探測(cè)能力。
大功率光束分析儀的核心部件——風(fēng)冷采樣器規(guī)格參數(shù):
型號(hào) SAM3-HP
光譜范圍 250-2000nm
采樣系數(shù) 1.1×10-5
外型尺寸 40 mm dia. × 31 mm length
通光孔徑 8 × 8 mm
從輸入到采樣表面的zui小光路 25mm(視具體型號(hào)而定)
LAM大功率激光光束質(zhì)量分析儀產(chǎn)品規(guī)格參數(shù):
LAM-BA LAM-U3
傳感器類(lèi)型 硅基,使用刀口法測(cè)量技術(shù) CMOS
刀口數(shù) 7 -
光譜范圍: 硅:350-1100nm 350-1310nm
功率范圍@900/1070 nm 高達(dá)4KW(需要衰減片和高壓空氣風(fēng)冷,可能會(huì)有一些限制) 連續(xù)激光1-2500W,脈沖激光1-1000W
光斑尺寸范圍 35微米至8毫米 75微米-6毫米
分辨率(H × V像素) 根據(jù)光束大小自適應(yīng) 1920 ×1200
傳感器有效尺寸 9 × 9 11.34 × 7.13
工作距離 49mm 從輸入表面到傳感器的光學(xué)距離為40.7±0.2毫米
zui高BPP zui大輸入角度-25deg zui大輸入角度-25deg
zui大功率密度 1,000,000 W/cm2 1,000,000 W/cm2
光束寬度精度 ± 1.5 % ± 1.5 %
功率精度 ± 5 % ± 5 %
工作溫度 0℃-35℃ 0℃-35℃
M2-Beam 大功率光束分析儀產(chǎn)品規(guī)格:
-輸入光束
M2Beam M2Beam U3
技術(shù)工藝 刀口式掃描原理,應(yīng)用Si探測(cè)器,InGaAs探測(cè)器和增強(qiáng)型InGaAs探測(cè)器 USB 3.0接口
CMOS 2.4MP
內(nèi)置過(guò)濾論
光譜響應(yīng)(nm) SI傳感器:350-1100
InGaAs傳感器:800-1800
Enhanced InGaAs 傳感器:800-2700 VIS-NIR:350-1600
UV-NIR:220-1350
激光功率范圍 Si:100 μW-1 W(帶衰減片)
InGaAs&UV:100 μW-5 mW
HP:4 kW以下 10μW-100mW,內(nèi)置濾光輪
HP:4 kW以下
刀口數(shù) 7 —
光束尺寸 帶透鏡高達(dá)25mm直徑(Si&UV版本)
束腰到透鏡距離 2.0~2.5米*
zui小2米
-掃描裝配附件
材質(zhì) 鋁
透鏡焦距 300mm(在632.6nm時(shí))
透鏡直徑 25mm
掃描次數(shù) 140
zui小步進(jìn)尺寸 100μm
掃描長(zhǎng)度 280mm
-整機(jī)
重量 2.5kg
尺寸 100×173×415 mm
托架 M6或1/4“固定
機(jī)械調(diào)整 水平角:±1.5°
垂直角:±1.5°
電纜長(zhǎng)度 2.5m
高功率光束分析儀訂購(gòu)型號(hào)及描述:
LAM-BA: 7-blades, Si detector with high power attenuator and mounting adapter
LAM-U3: A camera for 350 –1310 nm with motorized built-in filter wheel with high power attenuator and mounting adaptor, a set of interchangeable filters,
M2Beam-Si – measurement device for silicon range (350 – 1100nm)
M2Beam-UV – measurement device for silicon range (190 – 1100nm)
M2Beam-IR – measurement device for silicon range (800 – 1800nm)
M2Beam-U3-VIS-NIR - measurement device for 350-1600 nm CMOS based
M2Beam-UV-NIR – Special – consult factory.
SAM3-HP-M – beam sampler for high power beams