非線性光學(xué)晶體AgGaS2，CdSe，AgGaSe2
硒化鎘(CdSe)晶體具有高達(dá)24μm的紅外傳輸特性，具有相當(dāng)大的非線性(d31 = 18 pm/V)和較小的離場(chǎng)角。CdSe晶體可應(yīng)用于差頻產(chǎn)生(DFG)，光學(xué)參量振蕩(OPO)方案，提供超過12μm的吸收邊以上的紅外激光輻射。例如，CdSe OPO有可能被2μm的Tm摻雜、Ho摻雜、Tm和Ho共摻激光器泵浦，并產(chǎn)生長(zhǎng)紅外空轉(zhuǎn)輻射。除非線性光學(xué)應(yīng)用外，硒化鎘晶體材料還可用于紅外光學(xué)元件：基片、偏振片、波片等。
非線性光學(xué)晶體AgGaS2，CdSe，AgGaSe2指有非線性光學(xué)效應(yīng)的晶體，廣義指在強(qiáng)光或外場(chǎng)作用下能產(chǎn)生非線性光學(xué)效應(yīng)的晶體。通常將強(qiáng)光作用下產(chǎn)生的稱為非線性光學(xué)晶體。立陶宛Optogama公司為基礎(chǔ)研究、應(yīng)用研究和工業(yè)應(yīng)用提供不同的非線性晶體。晶體生產(chǎn)技術(shù)有：Stepanov，Kyropoulos，CZ，溫度梯度法，通量法。AgGaSe 2晶體、AgGaS 2晶體、CdSe晶體是三種相對(duì)不太常用的非線性光學(xué)晶體，但也有各自特殊的效果。
硒酸銀(AgGaSe2, AGSE)是一種有效的紅外輻射倍頻晶體，其透射光譜為0.73μm-18μm，在1800 nm中心附近無(wú)殘余電子射線吸收。AGSE的有效傳輸范圍在0.916μm以內(nèi)，且相位匹配范圍寬，在各種激光泵浦下具有很好的應(yīng)用潛力。在2.05μm處，用Ho：YLF激光泵浦AGSE可獲得2.512μm范圍內(nèi)的調(diào)諧。
硫鎵銀晶體(AgGaS2, AGS)在紅外光譜范圍內(nèi)，AGS已被證明是一種有效的非線性參量相互作用晶體。其透明區(qū)為0.53~12μm，基于AGS的光學(xué)參量振蕩器在紅外光譜范圍內(nèi)具有連續(xù)可調(diào)諧的寬波長(zhǎng)輻射特性。在Nd：YAG激光器泵浦的光學(xué)參量振蕩器中，采用了從550 nm開始的高短波長(zhǎng)透明性。采用250nm泵浦激光器，可調(diào)諧2.5~12.0μm左右的AGS光參量振蕩器，輸出范圍可通過和頻混頻或差頻混頻(sfm/dfm)來(lái)擴(kuò)展。該晶體具有較高的非線性系數(shù)、較高的損傷閾值和較寬的透射范圍.它還具有較低的光吸收和散射，較低的波前畸變。AGS具有近紅外和深紅外非線性相互作用的highest優(yōu)點(diǎn).AGS在0.53~12μm范圍內(nèi)是透明的。
硒酸銀晶體主要特點(diǎn)：
-優(yōu)良的傳輸范圍從0.73到18μm
-低光吸收和低散射
-高FOM（品質(zhì)因數(shù)），用于NIR和MIR中的非線性相互作用
AgGaSe 2晶體主要應(yīng)用：
- 4.0~18.3μm紅外區(qū)的頻率混合
-CO2激光器的二次諧波產(chǎn)生與上轉(zhuǎn)換
-效率達(dá)到10%的固體激光器的可調(diào)諧OPO
AgGaSe 2晶體技術(shù)特性：
化學(xué)公式 | AgGaSe2 |
晶體結(jié)構(gòu) | 四邊形，42m |
晶格參數(shù) | A=5.9920，c=10.8803 |
光學(xué)對(duì)稱性 | 負(fù)單軸(NO>Ne，λ<804 nm Ne>NO) |
密度 | 5.7克/厘米3 |
Mohs硬度 | 3-3.5 |
透明度范圍@“0”透過率水平 | 0.71-19μm |
Sellmeier方程@T=293 K(λinμm) | no2=6.8507+0.4297/(λ)2-0.1584)-0.00125λ2; ne2=6.6792+0.4598/(λ)2-0.2122)-0.00126λ2 |
折射率@10.5μm | no=2.5917，ne = 2.5585 |
導(dǎo)熱系數(shù)@T=293 K | 1 (||c) Wm-1K-1, 1,1 (⊥c) Wm-1K-1 |
激光損傷閾值 | >10兆瓦/cm2@10.6μm，150 ns |
硫鎵銀晶體主要特點(diǎn)：
-傳輸范圍為0.5到12μm的Only非線性特性
-低光吸收和低散射
-短波長(zhǎng)透光。
AgGaS2晶體主要應(yīng)用：
-4.0~18.3μm中紅外區(qū)的頻率混合
-CO的二次諧波產(chǎn)生與上轉(zhuǎn)換2雷射
-固體激光器的可調(diào)諧OPO
AgGaS2晶體技術(shù)特性：
化學(xué)公式 | AgGaS2 |
晶體結(jié)構(gòu) | 四邊形，42m |
晶格參數(shù) | A=5.742，c=10.26 |
光學(xué)對(duì)稱性 | 負(fù)單軸(N)o>ne，λ<0，497μmne>no) |
密度 | 4.58克/厘米3 |
Mohs硬度 | 3-3.5 |
透明度范圍@“0”透過率水平 | 0.47-13μm |
Sellmeier方程@0，54-12，9μm(λinμm) | no2=5.79419+0.23114/(λ)2 – 0.06882) – 2.4534×10-3 λ2 + 3.1814×10-7 λ4 – 9.7051×10-9 λ6; ne2=5.54120+0.22041/(λ)2 – 0.09824) – 2.5240×10-3 λ2 + 3.6214×10-7 λ4 – 8.3605×10-9 λ6 |
折射率@10.6321μm | no=2.3471，ne = 2.2914 |
導(dǎo)熱系數(shù)@T=293 K | 1.4(x{e76f}c)-1K-1，1.5(⊥c)Wm-1K-1 |
硫鎵銀晶體產(chǎn)品規(guī)格：
透光孔徑 | 85% |
面尺寸公差 | +0/-0.2毫米 |
厚度公差 | ±0.2毫米 |
平行度誤差 | <30 arcsec |
保護(hù)槽 | <0.2 mm at 45° |
表面質(zhì)量 | 20-10 S-D |
波前畸變 | <λ/4@6328 nm |
涂層 | BBar/BBar@12.2-2.4μm/2.4-11μm |
激光損傷閾值 | >350兆瓦/厘米2@1064 nm，10 ns |
CdSe晶體產(chǎn)品型號(hào)：
SKU | 面尺寸 | 長(zhǎng)度 | 塞塔 | PHI | 應(yīng)用 | 涂層 |
7356 | 5x5毫米 | 1毫米 | 39° | 45° | DFG@1，2-2，4μm，I型 | BBar/BBar@1.2-2.4/2.4-11μm，AOI=0° |
7395 | 8x8毫米 | 1毫米 | 39° | 45° | DFG@1，2-2，4μm，I型 | BBar/BBar@1.2-2.4/2.4-11μm，AOI=0° |
7396 | 6x6毫米 | 2毫米 | 50° | 0° | DFG@1，2-2，4μm，I型 | BBar/BBar@1.2-2.4/2.4-11μm，AOI=0° |
7397 | 8x8毫米 | 2毫米 | 50° | 0° | DFG@1，2-2，4μm，I型 | BBar/BBar@1.2-2.4/2.4-11μm，AOI=0° |
CdSe晶體的主要特點(diǎn)：
-寬透光度范圍(0.7-24μm)
-很大的非線性(d31 = 18 pm/V)
-小離場(chǎng)角
硒化鎘晶體的主要應(yīng)用：
- DFG，OPO方案產(chǎn)生的長(zhǎng)紅外波長(zhǎng)紅外輻射
-紅外光學(xué)元件的材料：基板，偏振片，波片等。
硒化鎘晶體的技術(shù)特性：
化學(xué)公式 | CdSe |
晶體結(jié)構(gòu) | 六角，6毫米 |
晶格參數(shù) | A=4.2985，c=7.0150 |
光學(xué)對(duì)稱性 | 正單軸(N)e>no) |
密度@288 K | 5.81克/厘米3 |
Mohs硬度 | 3.25 |
透明度范圍@“0”透過率水平 | 0.7-24μm |
Sellmeier方程@T=293 K(λinμm) | no2=4.2243+1.7680λ2/(λ)2-0.2270)+3.1200λ2/ (λ)2 - 3380); |
折射率@10，0μm | no=2.431，ne = 2.452 |
導(dǎo)熱系數(shù)@T=293 K | 6.9(x{e76f}c)-1K-1.6，2(⊥c)Wm-1K-1 |
激光損傷閾值 | 60兆瓦/厘米2@10.6μm，200 ns |
