HMDS預(yù)處理系統(tǒng)
通過對(duì)烘箱預(yù)處理過程的工作溫度、處理時(shí)間、處理時(shí)保持時(shí)間等參數(shù)的控制可以在硅片、基片表面均勻涂布一層HMDS,降低了HMDS處理后的硅片接觸角,降低了光刻膠的用量,提高光刻膠與硅片的黏附性。適用于硅片、砷化鎵、陶瓷、不銹鋼、鈮酸鋰、玻璃、藍(lán)寶石、晶圓等材料。
HMDS預(yù)處理系統(tǒng)
在半導(dǎo)體生產(chǎn)工藝中,光刻是集成電路圖形轉(zhuǎn)移重要的一個(gè)工藝環(huán)節(jié),涂膠質(zhì)量直接影響到光刻的質(zhì)量,涂膠工藝也顯得尤為重要。光刻涂膠工藝中絕大多數(shù)光刻膠是疏水的,而硅片表面的羥基和殘留的水分子是親水的,這造成光刻膠和硅片的黏合性較差,尤其是正膠,顯影時(shí)顯影液會(huì)侵入光刻膠和硅片的連接處,容易造成漂條、浮膠等,導(dǎo)致光刻圖形轉(zhuǎn)移的失敗,同時(shí)濕法腐蝕容易發(fā)生側(cè)向腐蝕。增黏劑HMDS(六甲基二硅胺)可以很好地改善這種狀況。將HMDS涂到半導(dǎo)體制造中硅片、砷化鎵、鈮酸鋰、玻璃、藍(lán)寶石、晶圓等材料表面后,經(jīng)烘箱加溫可反應(yīng)生成以硅氧烷為主體的化合物。它成功地將硅片表面由親水變?yōu)槭杷涫杷珊芎玫嘏c光刻膠結(jié)合,起著偶聯(lián)劑的作用。
1. 工作室尺寸 300×300×300,450×450×450,550×650×550(mm)可自定
2.材質(zhì)外箱采用304不銹鋼/冷軋板噴塑,內(nèi)箱采用316L醫(yī)用級(jí)不銹鋼
3.溫度范圍 RT+10-250℃
4. 溫度分辨率 0.1℃
5. 溫度波動(dòng)度 ≤±0.5℃
6. 真空度 ≤133pa(1torr)
7. 潔凈度 class 100,適用100級(jí)光刻間凈化環(huán)境
8.真空泵 旋片式油泵/干泵
9.控制儀表 人機(jī)界面
10.擱板層數(shù) 2層