強(qiáng)光巡檢電筒GAD202-J

技術(shù)參數(shù)：

額定電壓：DC3.7V

額定容量：2Ah

使用壽命：≥100000h

放電時(shí)間：工作光：19h / 強(qiáng)光：8~9h

充電時(shí)間：6h

電池壽命：約1000（循環(huán)）

強(qiáng)光巡檢電筒GAD202-J外形尺寸：φ35×157 mm（外徑×長(zhǎng)）

重    量：0.23kg

防護(hù)等級(jí)：IP66

產(chǎn)品特性：

采用高性能無(wú)記憶鋰電池，壽命長(zhǎng)，自放電率低，經(jīng)濟(jì)環(huán)保。GAD202-J采用固態(tài)高效LED光源，能耗少，壽命長(zhǎng)。

性能特點(diǎn)：

選用進(jìn)口高硬度鋁合金材料做外殼，確保GAD202-J抗強(qiáng)力沖擊和碰撞，采用多重防水結(jié)構(gòu)，可在各種惡劣環(huán)境和氣候條件下使用。

設(shè)有強(qiáng)光、工作光、頻閃三種工作模式，采用智能芯片控制開關(guān)，強(qiáng)弱光可任意轉(zhuǎn)換。GAD202-J配有過(guò)充過(guò)放及短路保護(hù)功能。

結(jié)構(gòu)緊湊，輕盈美觀，體積小，重量輕。

GAD202-J多功能強(qiáng)光巡檢電筒可跨在腰間或放在口袋中，輕便靈活。工作光具有強(qiáng)弱兩種選擇。

  LED產(chǎn)業(yè)在已經(jīng)形成了一套完整的產(chǎn)業(yè)鏈，強(qiáng)光巡檢電筒GAD202-J美國(guó)、日本、歐洲、中國(guó)臺(tái)灣和韓國(guó)等國(guó)家和地區(qū)的企業(yè)數(shù)量眾多，主要集中在襯底、外延片、芯片以及封裝領(lǐng)域。

    LED的核心技術(shù)是高亮度LED的外延生長(zhǎng)和芯片制造技術(shù)，具有較高的技術(shù)含量和附加值，是典型的技術(shù)密集型和資本密集型產(chǎn)業(yè)，該領(lǐng)域一直是業(yè)內(nèi)公司競(jìng)相攀登的行業(yè)高地。當(dāng)前，美國(guó)、日本等在核心器件的原材料和器件設(shè)計(jì)上具有技術(shù)優(yōu)勢(shì)，處于 水平，其 本的日亞化學(xué)和豐田合成、美國(guó)的Cree、德國(guó)的Osram在世界半導(dǎo)體照明市場(chǎng)上暫時(shí)處于技術(shù)壟斷地位。在銷售額和*方面，這些大公司也處于位置。

    對(duì)于制作LED芯片來(lái)說(shuō)，產(chǎn)業(yè)鏈zui前端襯底材料的選用是首先要考慮的問(wèn)題，需要根據(jù)設(shè)備和LED器件的要求進(jìn)行選擇。目前，上采用SiC作為襯底的芯片生產(chǎn)企業(yè)主要包括：美國(guó)的Cree公司、歐洲的SiCrystal和Nors公司、亞洲的天科合達(dá)藍(lán)光半導(dǎo)體有限公司和NionSteel公司，其中，美國(guó)Cree公司的SiC芯片技術(shù)和產(chǎn)銷量均處于地位，占80%左右的*，然而，高價(jià)格依然會(huì)阻礙SiC芯片的廣泛應(yīng)用。

    除了襯底外，外延片也屬于LED產(chǎn)業(yè)上游端。強(qiáng)光巡檢電筒GAD202-J目前LED外延片生產(chǎn)技術(shù)主要采用MOCVD，世界范圍內(nèi)能夠生產(chǎn)這一設(shè)備的企業(yè)不過(guò)3到5家。世界上zui大的兩家MOCVD生產(chǎn)商為德國(guó)的AIXTRON和美國(guó)的VEECO，它們占據(jù)MOCVD供應(yīng)市場(chǎng)90%以上的*，處于壟斷地位。

    從VLSI研究機(jī)構(gòu)2008年4月份和GartnerDataquest研究機(jī)構(gòu)2009年5月份的市場(chǎng)調(diào)研報(bào)告獲悉，2008年AIXTRON公司的*大約為72%，VEECO公司的*大約為19%。