硅片HMDS涂布機(jī)臺(tái),4寸Wafer hmds烤箱的作用:
在半導(dǎo)體生產(chǎn)工藝中,光刻是集成電路圖形轉(zhuǎn)移重要的一個(gè)工藝環(huán)節(jié),涂膠質(zhì)量直接影響到光刻 的質(zhì)量,涂膠工藝也顯得尤為重要。光刻涂膠工藝中絕大多數(shù)光刻膠是疏水的,而硅片表面的羥 基和殘留的水分子是親水的,這造成光刻膠和硅片的黏合性較差,尤其是正膠,顯影時(shí)顯影液會(huì) 侵入光刻膠和硅片的連接處,容易造成漂條、浮膠等,導(dǎo)致光刻圖形轉(zhuǎn)移的失敗,同時(shí)濕法腐蝕 容易發(fā)生側(cè)向腐蝕。增黏劑 HMDS(六甲基二硅氮烷)可以很好地改善這種狀況。將 HMDS 涂到硅片 表面后,經(jīng)烘箱加溫可反應(yīng)生成以硅氧烷為主體的化合物。它成功地將硅片表面由親水變?yōu)槭杷?其疏水基可很好地與光刻膠結(jié)合,起著偶聯(lián)劑的作用。
硅片HMDS涂布機(jī)臺(tái),4寸Wafer hmds烤箱的工作原理:
首先確定烘箱工作溫度,打開真空泵抽真空,待腔內(nèi)真牢度達(dá)到某一高真空度后,開始充人氮?dú)?,充到達(dá)到某低真空度后,再次進(jìn)行抽真空、充入氮?dú)獾倪^程,到達(dá)設(shè)定的充入氮?dú)獯螖?shù)后,開始保持一段時(shí)間,使硅片充分受熱,減少硅片表面的水分。然后再次開始抽真空,充入 HMDS氣體,在到達(dá)設(shè)定時(shí)間后,停止充入 HMDS 藥液,進(jìn)入保持階段,使硅片充分與 HMDS 反應(yīng)。當(dāng)達(dá)到設(shè)定的保持時(shí)間后,再次開始抽真空。充入氮?dú)猓瓿烧麄€(gè)作業(yè)過程。HMDS 與硅片反應(yīng)機(jī)理:首先加熱到 150℃ -170℃,去除硅片表面的水分,然后 HMDS 與表面的 OH 一反應(yīng),在硅片表而生成硅醚,消除氫鍵作,從而使極性表面變成非極性表面。整個(gè)反應(yīng)持續(xù)到空間位阻(*基硅烷基較大)阻止其進(jìn)一步反應(yīng)。
的注意事項(xiàng):
尾氣排放:多余的 HMDS 蒸汽(尾氣)將由真空泵抽出,排放到廢氣收集管道。在無廢氣收集 管道時(shí)需做專門處理。