納米銦錫金屬氧化物高速分散機(jī),金屬氧化物高速分散機(jī),納米銦錫高速分散機(jī)，高剪切研磨分散機(jī),分體式高速分散機(jī)，管線式分散機(jī)
分散是至少兩種互不相溶或者難以相溶且不發(fā)生化學(xué)反應(yīng)的物質(zhì)的混合過(guò)程。工業(yè)分散的目標(biāo)是在連續(xù)相中實(shí)現(xiàn)“令人滿意的”精細(xì)分布。
作為納米銦錫金屬氧化物，具有很好的導(dǎo)電性和透明性，可以切斷對(duì)人體有害的電子輻射、紫外線及遠(yuǎn)紅外線。因此，銦錫氧化物通常噴涂在玻璃、塑料及電子顯示屏上，用作透明導(dǎo)電薄膜，同時(shí)減少對(duì)人體有害的電子輻射及紫外、紅外。
ITO 是一種N型氧化物半導(dǎo)體-氧化銦錫,ITO薄膜即銦錫氧化物半導(dǎo)體透明導(dǎo)電膜，通常有兩個(gè)性能指標(biāo)：電阻率和透光率。
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在氧化物導(dǎo)電膜中，以摻Sn的In2O3(ITO)膜的透過(guò)率zui高和導(dǎo)電性能，而且容易在酸液中蝕刻出細(xì)微的圖形，其中透光率達(dá)90%以上。ITO中其透光率和阻值分別由In2O3與SnO2之比例來(lái)控制，通常SnO2:In2O3=1:9。
目前ITO膜層之電阻率一般在5*10E-4左右，可達(dá)5*10E-5，已接近金屬的電阻率，在實(shí)際應(yīng)用時(shí)，常以方塊電阻來(lái)表征ITO的導(dǎo)電性能，其透過(guò)率則可達(dá)90%以上，ITO膜之透過(guò)率和阻值分別由In2O3與SnO2之比例控制，增加氧化銦比例則可提高ITO之透過(guò)率，通常SnO2: In2O3=1:9，因?yàn)檠趸a之厚度超過(guò)200Å時(shí)，通常透明度已不夠好---雖然導(dǎo)電性能很好。
顆粒細(xì)化到納米級(jí)后，其表面積累了大量的正、負(fù)電荷，納米顆粒的形狀極不規(guī)則，這樣造成了電荷的聚集。納米顆粒表面原子比例隨著納米粒徑的降低而迅速增加，當(dāng)降至1nm時(shí)，表面原子比例高達(dá)90%，原子幾乎全部集中到顆粒表面，處于高度活化狀態(tài)，導(dǎo)致表面原子配位數(shù)不足和高表面能。納米顆粒具有很高的化學(xué)活性，表現(xiàn)出強(qiáng)烈的表面效應(yīng)，很容易發(fā)生聚集而達(dá)到穩(wěn)定狀態(tài)，從而團(tuán)聚發(fā)生
*納米氧化物極易產(chǎn)生自身的團(tuán)聚，使得應(yīng)有的性能難以充分發(fā)揮。此外，納米氧化物的諸多奇異性能能否得到充分發(fā)揮，還取決于zui大限度降低粉體與介質(zhì)間的表面張力。因此，納米氧化物粉體必須均勻分散，充分打開其團(tuán)聚體，才能發(fā)揮其應(yīng)有的奇異性能。
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影響分散乳化結(jié)果的因素有以下幾點(diǎn)
1 分散頭的形式（批次式和連續(xù)式）（連續(xù)式比批次好）
2 分散頭的剪切速率 （越大，效果越好）
3 分散頭的齒形結(jié)構(gòu)（分為初齒，中齒，細(xì)齒，超細(xì)齒，約細(xì)齒效果越好）
4 物料在分散墻體的停留時(shí)間，乳化分散時(shí)間（可以看作同等的電機(jī)，流量越小，效果越好）
5 循環(huán)次數(shù)（越多，效果越好，到設(shè)備的期限，就不能再好）
線速度的計(jì)算
剪切速率的定義是兩表面之間液體層的相對(duì)速率。
– 剪切速率 (s-1) = v 速率 (m/s)
g 定-轉(zhuǎn)子 間距 (m)
由上可知，剪切速率取決于以下因素：
– 轉(zhuǎn)子的線速率
– 在這種請(qǐng)況下兩表面間的距離為轉(zhuǎn)子-定子 間距。
IKN 定-轉(zhuǎn)子的間距范圍為 0.2 ~ 0.4 mm
速率V= 3.14 X D（轉(zhuǎn)子直徑）X 轉(zhuǎn)速 RPM / 60
高的轉(zhuǎn)速和剪切率對(duì)于獲得超細(xì)微懸浮液是zui重要的。可以處理量大，運(yùn)轉(zhuǎn)更平穩(wěn)，拆裝更方便,適合工業(yè)化在線連續(xù)生產(chǎn)，粒徑分布范圍窄，分散效果佳，*，物料*通過(guò)分散剪切。
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