新型涂層測厚儀JJC810F
廣泛使用范圍的磁性儀器。其技術(shù)參數(shù)*符合標(biāo)準(zhǔn)。
本儀器是磁性便攜式覆層測厚儀，采用磁感應(yīng)測試方法，能快速、無損傷、精密地測試磁性底材上的非磁性涂、鍍層厚度。既可用于實(shí)驗(yàn)室，也可用于工程現(xiàn)場。本儀器能廣泛地應(yīng)用在制造業(yè)、金屬加工業(yè)、化工業(yè)、商檢等檢測領(lǐng)域。是材料保護(hù)專業(yè)*的儀器。
Fe質(zhì)探針可檢測所有非磁性涂層厚度，例如涂在鋼、鐵上的漆、粉末涂層、塑料、瓷、鉻、銅、鋅v
●采用了磁性測厚方法，可測量磁性金屬基體上非磁性覆蓋層的厚度；
●可采用單點(diǎn)校準(zhǔn)和兩點(diǎn)校準(zhǔn)兩種方法對儀器進(jìn)行校準(zhǔn)；
●可采用基本校準(zhǔn)修正法對測頭系統(tǒng)誤差進(jìn)行更新修正，保證儀器在測量過程中的準(zhǔn)確性；
●負(fù)數(shù)顯示功能，保證儀器零位點(diǎn)校準(zhǔn)的準(zhǔn)確性，提高測試精度；
●操作過程有蜂鳴聲提示；
●兩種關(guān)機(jī)方式：手動關(guān)機(jī)方式和自動關(guān)機(jī)方式；
●電池電壓指示：低電壓提示；
●微功耗設(shè)計(jì)，在待機(jī)裝態(tài)不到10微安的電流；
●測量方法：F 磁感應(yīng)。
技術(shù)參數(shù)：
測量范圍：0~1250um (其他量程可訂制)
分辨率：0.1/1
zui小曲面: 凸 5mm/ 凹 5mm
zui小測量面積：10×10mm
zui薄基底：0.4mm
使用環(huán)境：溫度：0-40℃ 濕度：10-85%RH
測量準(zhǔn)精度誤差：零點(diǎn)校準(zhǔn) ±（1+3%H）；二點(diǎn)校準(zhǔn)±【（1%～3%H）】H+1.5
公制/英制：可轉(zhuǎn)換 機(jī)身尺寸：102mm x 66mm x24mm
電源：2節(jié)5號電池
重量：99g（含電池）
 | 產(chǎn)品名稱：溫度變送器RS485 產(chǎn)品型號：RS485 |
溫度變送器型號：TD-RS485
一、產(chǎn)品特點(diǎn)：智能信號處理技術(shù)，精度高、穩(wěn)定性好，抗干擾性能強(qiáng)。
本安防爆設(shè)計(jì),采用三級防雷電設(shè)計(jì)，抗雷擊效果好
適合多點(diǎn)溫度參數(shù)組網(wǎng)采集，總線支持255臺設(shè)備
現(xiàn)場組網(wǎng)，現(xiàn)場顯示（四位半液晶顯示）
可同時(shí)具備：4-20mA輸出（可遷移）和RS485通訊功能，輸出電流分辨率優(yōu)于3uA
二、產(chǎn)品參數(shù)：電源電壓：10～36VDC 二線制4-20mA輸出
通訊方式：RS485 Modbus 通訊協(xié)議
顯示方式：動態(tài)四位液晶數(shù)字顯示（四位半），加漢字提示。
可顯示的單位：°C
溫度范圍：-20℃～+85℃ 濕度：﹤90%
精度等級：0.1級
負(fù)載能力：RL=（U-10V）÷0.02A(Ω ); U- 環(huán)路供電電壓 RL-負(fù)載電阻
新型涂層測厚儀JJC810F
 | 產(chǎn)品名稱：半導(dǎo)體分立器件測試儀 產(chǎn)品型號：CS2935 |
半導(dǎo)體分立器件測試儀型號：CS2935
一、產(chǎn)品特點(diǎn)：
測試品種覆蓋面廣、測試精度高、電參數(shù)測試全、速度快、有良好的重復(fù)性和*性、工作穩(wěn)定可靠，具有保護(hù)系統(tǒng)和被測器件的能力。測試儀由計(jì)算機(jī)操控，測試數(shù)據(jù)可存儲打印。除具有點(diǎn)測試功能外，還具有曲線掃描功能（圖示儀功能）。系統(tǒng)軟件功能全、使用靈活方便、操作簡單。系統(tǒng)軟件穩(wěn)定可靠、硬件故障率低，在實(shí)際測試應(yīng)用中各項(xiàng)技術(shù)指標(biāo)均可達(dá)到器件手冊技術(shù)指標(biāo)及國標(biāo)要求。
二、測試參數(shù)
1． 二管
VF、IR、BVR
2． 穩(wěn)壓（齊納）二管
VF、IR、BV Z
3． 晶體管 Transistor（NPN型/PNP型）
VBE、ICBO、 LCEO、IEBO、BVCEO、BVCBO、BVEBO、hFE、VCESAT、VBESAT 、VBEON
4． 可控硅整流器（晶閘管）
IGT、VGT、 IH、IL 、VTM
5． 場效應(yīng)管
IGESF、IGSSF、 IGSSR、IGSS、VDSON、RDSON、VGSTH、IDSS、IDON 、gFS、 BVDGO、BVGSS
6． 光電耦合器
VF 、IR、CTR、ICEO、BVCEO、VCESAT
*7．三端穩(wěn)壓器
VO、SV、ID、IDV
三、測試參數(shù)范圍
晶體管
測試參數(shù) | 測試范圍 |
ICEO ICBO IEBO | 1nA-100nA 100nA-1uA 1uA-100uA 100uA-10mA |
VCE(sat) VBE(sat) | 0.10V-30V |
VBE(VBE(on)) | 0.10V-30V |
hFE | 1－99999 |
V(BR)EBO | 0.10V-30V |
V(BR)CEO V(BR)CBO | 0. 10V-50V 50V-1499V |
二管
測試參數(shù) | 測試范圍 |
IR | 1nA-100nA 100nA-1uA 1uA-100uA 100uA-10mA |
VF | 0.10V-30V |
V(BR) | 1V-50V |
50V-1499V |
穩(wěn)壓二管
測試參數(shù) | 測試范圍 |
IR | 1nA-100nA 100nA-1uA 1uA-100uA 100uA-10mA |
VF | 0.10V-30V |
VZ | 0.10V-50V |
三端穩(wěn)壓器
測試參數(shù) | 測試范圍 |
VO | 0.10V-30V |
SV | 0.10mV-1V |
ID | 1uA-10mA |
IDV | 1uA-10mA |
MOSFET
測試參數(shù) | 測試范圍 |
VGS(th) | 0.10V-30V |
gfs | 0.1mS-1000S |
RDS(on) | 10mΩ-100KΩ |
VDS(on) | 0.10V-50V |
IGSS | 1nA-100nA 100nA-1uA 1uA-100uA 100uA-10mA |
IDSS | 1nA-100nA 100nA-1uA 1uA-100uA 100uA-10mA |
ID(on) | 0-50A |
V(BR)GSS | 0.1V-30V |
V(BR)DSS | 0.1V-1499V |
光耦
測試參數(shù) | 測試范圍 |
VF | 0.10V-30V |
IR | 1nA-100nA 100nA-1uA 1uA-100uA 100uA-10mA |
VCE(sat) | 0.10V-50V |
CTR | 0.1%-1000% |
ICEO | 與IR參數(shù)相同 |
V(BR)ECO V(BR)CEO | 0.10V-50V 50V-1499V |
可控硅
測試參數(shù) | 測試范圍 |
IGT | 10uA-200mA |
VGT | 0.10V-30V |
IH | 10uA-1A |
IL | 10uA-1A |
VTM | 0.10V-50V |
四、技術(shù)指標(biāo)
1、源的指標(biāo)
主壓流源 (VA)
電壓：
設(shè)定范圍（V） | 精確度 |
±(0~10) | ±(14.6mV+0.5%set) |
±(10~50) | ±(73.2mV+0.5%set) |
電流：
測量范圍 | 精確度 |
±(0-50)uA | ±(244nA+0.5% set) |
±(50-500) uA | ±(2.44uA+0.5% set) |
±(0.5-5) mA | ±(24.4uA+0.5% set) |
±(5-50) mA | ±(244uA+0.5% set) |
±(50~500) mA | ±(2.44mA+0.5%set) |
±(0.5~5)A（脈沖） | ±(24.4mA+0.5%set) |
±(5-50)A（脈沖） | ±(244mA+0.5%set) |
壓流源 (VB)
電壓：
設(shè)定范圍（V） | 精確度 |
±(0~10) | ±(14.6mV+0.5%set) |
±(10~30) | ±(43.8mV+0.5%set) |
電流：
測量范圍 | 精確度 |
±(0-50)uA | ±(244nA+0.5% set) |
±(50-500) uA | ±(2.44uA+0.5% set) |
±(0.5-5) mA | ±(24.4uA+0.5% set) |
±(5-50) mA | ±(244uA+0.5% set) |
±(50~500) mA | ±(2.44mA+0.5%set) |
±(0.5~5)A（脈沖） | ±(24.4mA+0.5%set) |
±(5-50)A（脈沖） | ±(244mA+0.5%set) |
源（HV）
設(shè)定范圍（V） | 精確度 |
0~1500 | ±(1.22V+1%set) |
*1500V時(shí)大輸出為5mA。
2、電壓表的指標(biāo)
測漏電流
測量范圍 | 精確度 |
±(0~200)nA | ±(2.44nA+0.5% Rdg) |
±(0.2-2)uA | ±(24.4nA+0.5% Rdg) |
±(2-20)uA | ±(244nA+0.5% Rdg) |
±(20~200) uA | ±(2.44uA+0.5% Rdg) |
±(0.2~2)mA | ±(24.4uA+0.5% Rdg) |
±(2-20)mA | ±(244uA+0.5% Rdg) |
測試電壓
設(shè)定范圍（V） | 精確度 |
±(0~10) | ±(3mV+0.5% Rdg) |
±(10~50) | ±(15mV+0.5% Rdg) |
測擊穿電壓
設(shè)定范圍（V） | 精確度 |
（0~50）V/10mA | ±(36.6mV+0.25% Rdg) |
（50~1500）V/1mA | ±(610.3mV+1% Rdg) |
放大倍數(shù)
設(shè)定范圍（V） | 精確度 |
1~9999 | 1% |
 | 產(chǎn)品名稱：瀝青化學(xué)組分試驗(yàn)器 產(chǎn)品型號：SYD-0618A |
瀝青化學(xué)組分試驗(yàn)器型號：SYD-0618A
SYD-0618A 瀝青化學(xué)組分試驗(yàn)器是根據(jù)中華人民共和國行業(yè)標(biāo)準(zhǔn)JTG E20-2011《公路工程瀝青及瀝青混合料試驗(yàn)規(guī)程》中T 0618-1993《瀝青化學(xué)組分試驗(yàn)(四組分法)》設(shè)計(jì)制造的,本儀器采用溶劑沉淀及色譜柱法進(jìn)行道路石油瀝青的四組分成分分析。
一、SYD-0618A 瀝青化學(xué)組分試驗(yàn)器儀器組成
本儀器由瀝青質(zhì)抽提器（包括球形冷凝器及100ml抽提器組裝面成）和玻璃吸附柱組成，其結(jié)構(gòu)及技術(shù)參數(shù)*符合T 0618-1993標(biāo)準(zhǔn)要求。配備的落地夾持裝置，方便的組成試驗(yàn)機(jī)構(gòu)，使用戶使用十分方便。
二、SYD-0618A 瀝青化學(xué)組分試驗(yàn)器儀器成套
1、冷凝器： 1只；
2、吸附柱： 1個(gè)；
3、抽提器： 1只；
4、錐型燒杯（250ml）： 2只；
5、底板 1塊；
6、立柱 2根；
7、夾子 2套；
8、儀器箱（硬塑金屬鋁鑲邊）： 1只。
注：底座尺寸：345㎜×210㎜， 立柱總高：1120㎜
三、選配件
1、真空干燥箱： 真空度267Pa（2㎜Hg）；
2、高溫爐： 0℃~1000℃，有自動溫度控制器；
3、恒溫浴： HWY-501循環(huán)恒溫水?。ǎ?nbsp;
4、天平 ： 稱重500g，感量不大于1g、1mg、0.1mg各1臺。
 | 產(chǎn)品名稱：聲波提取機(jī) 聲波攪拌提取器 產(chǎn)品型號： YH-10B |
聲波提取機(jī) 聲波攪拌提取器型號：YH-10B
簡單介紹
1、提取效率高 YH-10B聲波提取機(jī)的性能特點(diǎn) 采用機(jī)械攪拌和聲循環(huán)強(qiáng)化提取，提取時(shí)間短（常規(guī)方法的幾分之一到幾十分之一），工作效率高。
2、目標(biāo)提取物提取率高 由于采用聲波破碎強(qiáng)化提取技術(shù)，使原料中的有效成份得以充分釋出，從而使目標(biāo)提取物的提取率提高。以從青蒿中提取為例，可以提高25%以上。
3、能耗低 小功能聲波即可破碎提取大量物料，一般均在室溫下提取，無須大功率攪拌和耗費(fèi)大量加熱能源。單位物料處理量能耗較常規(guī)提取方法降低50%以上。 YH-10B聲波提取機(jī)主要用在實(shí)驗(yàn)室中草藥提取。
產(chǎn)品描述
YH-10B聲波提取機(jī)的技術(shù)參數(shù)
1、聲波功率：1200 W （調(diào)功旋鈕調(diào)節(jié)聲波功率大?。?nbsp;
2、提取槽有效容積：10L
3、時(shí)間范圍：1-99H99M99S(數(shù)顯，任意設(shè)定)
4、溫度范圍：常溫-80度（數(shù)顯，任意設(shè)定）
5、加熱管功率：600W
6、聲頻率：雙頻，20/28KHz
7、過濾系統(tǒng)水泵功率：90W，電源220V
8、攪拌電機(jī)功率：200W，電源220V，轉(zhuǎn)速可調(diào)（0-2800r/min）。
9、總工作電源：AC 220 V.50Hz（本設(shè)備必須有接地線，供電電源務(wù)必加漏電保護(hù)開關(guān)），總用電功率：2500W
